Abstract:
PURPOSE: A receiving device for a home network modem and a receiving method therefor are provided to enhance channel equalization performance by equalizing a channel using all training signal series. CONSTITUTION: A frame synchronization recovering unit(200) recovers a frame synchronous signal from an input signal. A selecting unit(220) receives the input signal, stores the input signal and a selection signal to designate a mode for judging whether impact is generated in a transmission line. If the selection signal is an impact sensing mode, the selecting unit(220) outputs the stored input signal by the frame synchronous signal. If the selection signal is a normal reception mode, the selecting unit(220) bypasses the input signal. An equalizing unit(230) adjusts an equalization tap number on the basis of the selection signal, and equalizes the output signal of the selecting unit(220).
Abstract:
1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야 에피택셜장치용 덧붙임 뭉치 2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 요지 본 발명은 어댑터에 주름벽을 장착하여 원료교체나 부분품 수리시 진공챔버내의 전체적인 진공을 유지하면서 도가니 부분의 국부적 진공만을 파괴하여 장비의 오염과 상태 회복의 시간을 극소화 할 수 있는 에피택셜장치용 덧붙임 뭉치를 제공함에 그 목적이 있다. 3. 발명의 해결방법의 요지 본 발명은 진공챔버의 입구측 플랜지에 장착되어 진공을 유지하고 도입하기 위해 개폐되는 수단; 상기 개폐수단과 도가니의 플랜지 사이에서 국부적진공만을 제거하기 위해 신장 및 수축하는 수단; 및 상기 신장 및 수축수단의 이동을 안내하는 수단을 포함하는 에피택셜장치용 덧붙임 뭉치를 제공한다. 4. 발명의 중요한 용도 진공챔버의 전체진공을 제거하지 않고도 부분품을 쉽게 분해조립하기 위한 것임.
Abstract:
본 발명은 원거리 플라즈마를 이용하여 저온성장, 고안전성 및 고순도의 특성을 갖는 새로운 이원계, 삼원계 및 사원계 Ⅲ-Ⅴ 화합물 반도체 에피택셜 박막의 형성방법에 관한 것으로서, 그 특징은 Ⅲ-Ⅴ 화합물 반도체 에피택셜 박막의 형성방법에 있어서, H 2 와 He 혼합가스를 플라즈마 상태로 만드는 제1과정과, 고순도의 비소와 인과 안티몬 고체 소오스를 가열시키는 제2과정 및 상기 제2과정에서 발생된 증발 원소들이 H 2 와 He 플라즈마 환경하에서 Ⅴ족 원소-H 2 간의 화학반응으로Ⅴ-수소 화합물 반도체 에피택셜 박막을 만드는 제3과정을 포함는 데에 있으므로, 본 발명은 저온공정 및 고순도의 에피택셜 박막이 가능하고 초고진공을 요하지 않는 고경제성, Ⅴ족 공급원의 안전성, 다양한 이원계, 삼원계, 및 사원계의 화합물 반도체의 제조 용이성을 얻을 수 있으며, 고속, 고주파, 광통신 등 정보통신 응용소재인(Ga, In, Al)-(As, P, Sb)계의 이종구조 바이폴러 트랜지스터, 고전자 운반 트랜지스터, 반도체 레이저 및 광스위치 등 다양한 Ⅲ-Ⅴ 화합물 반도체 전자소자 광소자 및 그 회로에 적용할 수 있는 데에 그 효과가 있다.
Abstract:
본 발명은 MBE, 또는 MOCVD방법에 의하여 성장된 에피 웨이퍼상에 T형 에미터 전극을 형성하여 에미터 전극과 자기정렬된 베이스 전극 구조를 갖는 HBT소자의 제조방법에 관한 것이다. 상기 성장된 에피 웨이퍼상에 1차 감광막(9)을 도포하고 노광시킨 후 유전체 절연막(10)을 전면에 증착하고 2차 감광막(11)을 상기 유전체 절연막(10)상에 도포하는 공정과; 상기 2차 감광막(11)을 노광한 후 이를 마스크로하여 하층의 유전체 절연막(10)을 등방성식각하고 상기 1차 감광막(9)을 현상하는 공정과; 에미터 전극(12)을 증착하고 전면에 1차 플라즈마 증착 절연막(13)을 증착하는 공정과; 상기 에미터 전극(12)을 마스크로 하여 상기 1차 유전박막(13)을 반응성 이온 식각을 하고 전면에 2차 플라즈마 증착 절연막(14)을 증착하는 공정과; 상기 2차 플라즈마 증착 절연막(14)의 측벽만 남도록 반응성 이온 식각을 하고 베이스층(4)표면까지 수직하게 식각하고 노출된 부분에 베이스 전극(15)을 증착하여 에미터 전극 및 베이스 전극을 자기정렬하는 공정과; 베이스 메사식각을 하고 노출된 부분에 콜렉터 전극(16)을 증착한 후 금속배선공정을 실시한다. 따라서 본 발명은 HBT소자의 고속특성과 공정의 신뢰성을 향상시킨다.
Abstract:
본 발명은 반도체 및 초전도체등에서 단결정 상태의 성장 즉, 에피성장시 기판으로 사용되는 재표의 표면에는 존재하는 산화층을 열식각으로 제거하는데 있어 제거의 완료시점을 실시간으로 감지하는 방법에 관한 것이다. 본 발명은 산화층 제거완료를 실시간으로 감지방법은 반도체기판과 굴절율 차이가 있는 기판표면의 산화층이 고온에서 열식각될때 산화층의 두께가 감소함에 따라 레이저 빔의 반사신호가 주기적신호를 나타내며, 이산호의 주기를 이용하여 상대적 식각속도와 식각완료 시점을 규명할 수 있다.
Abstract:
Disclosed are a handover method for supporting communications of a high speed mobile terminal and a distributed antenna system performing the same. The handover method performed in a first digital unit of a distributed antenna system includes a step of determining whether a plurality of serving radio units providing a service to a mobile terminal are all a shared radio unit shared in the digital units; and a step of performing handover on the mobile terminal when all of the serving radio units are the shared radio unit. Therefore, the present invention easily performs the handover on the mobile terminal moving at high speed and guarantees a service quality on the high speed mobile terminal by minimizing a delay time due to the handover.
Abstract:
PURPOSE: An apparatus and a method for obtaining a maximum value or a minimum value of a digital input signal are provided to reduce delay and to implement a maximum value or a minimum value of a digital input signal. CONSTITUTION: Bit processing elements(210,220,230) receive bits of a digital input signal. OR operators(241-249) receive operation values which are outputted from the bit processing elements and perform OR operations. Invertors invert an output value of the OR operators. The bit processing elements operate an output value of the bit processing elements.