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公开(公告)号：KR1020090036665A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：KR1020070101820
申请日：2007-10-10
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/42
Abstract: An optical module including a stress-relief layer is provided to suppress the change of optical fiber position due to thermal transformation by including a stress-relief layer between a multilayer substrate and an optical bench. A ball grid array(101b) is laminated on a ball grid array package of an optical module, and a stress relief layer is formed on a multilayer board ball grid array package. An optical bench(102) is prepared on the stress relief layer, and the optical device(103) is prepared on the optical bench. The optical fiber(105) is prepared on the optical bench while being far from the optical device by a certain interval. An amplifier(104) is electrically connected to the optical device and supplies an electrical signal to the optical device.
Abstract translation: 提供一种包括应力消除层的光学模块，通过在多层基板和光学台之间包括应力消除层来抑制由于热转变而引起的光纤位置的变化。 球栅阵列（101b）层叠在光学模块的球栅阵列封装上，并且在多层板球栅阵列封装上形成应力消除层。 在应力消除层上制备光学台架（102），并在光学台上制备光学装置（103）。 在光学台上准备光纤（105），同时远离光学装置一定的间隔。 放大器（104）电连接到光学装置，并向光学装置提供电信号。
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公开(公告)号：KR100849923B1
公开(公告)日：2008-08-04
申请号：KR1020070053311
申请日：2007-05-31
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 본 발명은 기판 상에 형성된 버퍼층, 채널층, 스페이서층 및 쇼트키층을 포함하는 화합물 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것이다. 본 화합물 반도체 소자의 제조 방법은 상기 쇼트키층 상에 식각 정지층 및 오믹층을 형성하는 단계; 상기 오믹층 상에 질화막을 형성하는 단계; 상기 질화막을 패터닝하여 미세 게이트 패턴을 형성하는 단계; 상기 미세 게이트 패턴을 이용하여 상기 오믹층을 선택적으로 식각하여 제1 게이트 리세스를 형성하는 단계; 상기 제1 게이트 리세스가 형성된 다음, 상기 질화막 상에 산화막을 증착하여 산화막 스페이서를 형성하는 단계; 상기 산화막 스페이서가 형성된 다음, 상기 식각 정지층을 식각하여 제2 게이트 리세스를 형성하는 단계; 상기 제2 게이트 리세스가 형성된 다음, 상기 질화막 상에 게이트 금속을 형성하는 단계; 상기 게이트 금속 상에 제1 포토 레지스트 패턴을 형성하고, 상기 제1 포토레지스트 패턴 상에 제1 금속층을 형성하는 단계; 리프트 오프 공정을 이용하여 상기 제1 포토 레지스트 패턴을 제거하여 상기 제1 금속층으로 비대칭형 게이트 전극의 머리 부분을 형성하는 단계; 및 상기 비대칭형 게이트 전극의 머리 부분이 형성된 다음, 상기 비대칭형 게이트 전극의 머리 부분을 마스크로 하여 상기 게이트 금속을 패터닝하는 단계를 포함한다.
이에 따라, 미세한 게이트 패턴을 용이하게 형성할 수 있고, 게이트 리세스 영역에 절연막을 형성하는 방법을 고안하여 소자의 표면을 보호할 수 있어 신뢰성이 높은 화합물 반도체 소자를 제작할 수 있다. 또한, 게이트 리세스 공정을 이 단계로 실시함으로써, 게이트 전극의 유효 길이 손실을 방지할 수 있기 때문에 화합물 반도체 소자의 차단주파수를 향상시킬 수 있다.
미세 게이트 패턴, 게이트 리세스, 산화막 스페이서, 질화막-
公开(公告)号：KR100751065B1
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：KR1020060050820
申请日：2006-06-07
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 핵심 구성 요소들 간의 연결 구조를 개선하여 수신감도를 향상시킬 수 있는 RF 송수신 모듈, 및 이 RF 송수신 모듈을 이용하는 밀리미터파 FMCW 레이더 센서에 관한 것이다. 본 발명에 따른 RF 송수신 모듈은 전압제어발진기에 의해 생성된 변조신호를 분배하는 전력분배기를 구비하며 변조신호를 2체배하고 증폭하며 증폭된 변조신호를 송신 안테나를 통해 방사하는 송신단과, 전력분배기로부터 나오는 변조신호를 국부발진기에서 나오는 국부발진신호를 이용하여 상향 및 하향 변환하고 변환된 제1 신호와 제2 신호를 출력하는 평형혼합부, 및 수신 안테나를 통해 수신한 신호를 하향주파수혼합기를 통해 제1 신호와 하향혼합하고 하향혼합된 제3 신호를 중간주파수혼합기를 통해 제2 신호와 혼합하며 혼합된 신호를 출력하는 수신단을 포함하여 이루어진다.
FMCW 레이더, 밀리미터파, RF 송수신 모듈, MMIC-
公开(公告)号：KR100668365B1
公开(公告)日：2007-01-16
申请号：KR1020040103679
申请日：2004-12-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03D7/12
Abstract: 본 발명은 주파수 혼합기에 관한 것으로, 보다 상세하게는 소오스 단자가 접지되는 전계효과 트랜지스터와, 상기 전계효과 트랜지스터의 드레인 단자에 연결되어 LO 신호를 제공받아 소정의 LO 주파수 대역의 신호를 상기 전계효과 트랜지스터에 제공하기 위한 LO 정합부와, 상기 전계효과 트랜지스터의 게이트 단자에 연결되어 RF 신호를 제공받아 소정의 RF 대역의 신호를 상기 전계효과 트랜지스터에 제공하기 위한 RF 정합부와, 상기 전계효과 트랜지스터의 게이트 단자에 연결되어 DC 바이어스를 공급하기 위한 게이트 바이어스부와, 상기 전계효과 트랜지스터의 드레인 단자에 연결되어 DC 바이어스를 공급하기 위한 드레인 바이어스부와, 상기 전계효과 트랜지스터의 드레인 단자에 연결되어 상기 LO 신호와 상기 RF 신호가 혼합된 IF 신호를 제공받아 소정의 IF 대역의 신호를 출력단자에 출력하기 위한 IF 정합부를 포함함으로써, 마이크로파 또는 밀리미터파 대역의 혼합기에 용이하게 사용할 수 있고, 혼합기의 LO 삽입 손실을 감소시키며, DC 전력 소모를 감소시킴과 동시에 저주파수 대역의 불요신호의 영향을 차단할 수 있는 효과가 있다.
주파수 혼합기, 전계효과 트랜지스터, 드레인 바이어스부, RF 정합부, LO 정합부, IF 정합부-
公开(公告)号：KR100923425B1
公开(公告)日：2009-10-27
申请号：KR1020070101820
申请日：2007-10-10
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/42
Abstract: 본 발명은 광소자, 증폭기 등의 전자소자, 광화이버, 광학벤치(optical bench), 다층기판으로 이루어진 볼 그리드 어레이 패키지, 및 응력 완화층을 포함하는 광모듈에 관한 것으로, 다수의 기판 및 볼 그리드 어레이가 적층된 다층 기판 볼 그리드 어레이 패키지(ball grid array package); 상기 다층 기판 볼 그리드 어레이 패키지 상에 형성되는 응력 완화층; 상기 응력 완화층 상에 마련되는 광학 벤치; 상기 광학 벤치 상에 마련되는 광소자; 상기 광소자와 이격 거리를 두고 상기 광학 벤치 상에 마련되는 광화이버; 및 상기 광소자와 전기적으로 연결되어 상기 광소자로 전기 신호를 제공하는 증폭기를 포함한다. 전술한 구성에 따라, RF 신호가 전자 소자를 통해 광 소자인 VCSEL에 전달되어 광 신호로 바뀐 후 광 화이버의 한쪽 끝 단 45도 경사면에 전반사되어 광 화이버로 전달된다. 광소자가 포토 다이오드일 경우 광 화이버를 통해 전달된 광신호가 광 화이버의 한쪽 끝 단 45도 경사면에 전반사되어 포토다이오드로 전달되고 그 후에 전자 소자에 RF 신호로 전달된다. 이때 광 화이버를 지지하고 있는 광학 벤치(metal optical bench 또는 silicon optical bench)는 응력 완화층이 형성되어 있는 다층 회로 기판에 실장되어 있어 광 모듈 동작 중에 발생하는 열 혹은 열 주기 시험(thermal cycle test) 동안 발생하는 열 변형이 최소화되어 광 화이버와 광 소자 간의 광학 결합을 안정적으로 유지할 수 있다.
광 모듈, 응력 완화층, 다층 볼 그리드 어레이 패키지, 광소자, 광화이버, 비아, 캐비티, 응력 완화 폴리머, 엘라스토머(elastomer)-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100668363B1
公开(公告)日：2007-01-16
申请号：KR1020060029313
申请日：2006-03-31
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04B1/06
CPC classification number: H04B1/28 , H01Q1/24 , H03G3/3052
Abstract: An RF transceiver for a millimeter wave band radar senor using an MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit) is provided to enable a signal isolation block to frequency-convert a signal, transmitted from a transmission block, by using an IF of a local oscillation signal and transmit the frequency-converted signal through a band pass filter, thereby improving receive sensitivity as much as 20 to 30db. An RF transceiver for a radar senor comprises the followings: a transmission block(120) which amplifies a modulation signal and radiates the amplified modulation signal through a transmission antenna(106); a signal isolation block(122) which performs frequency conversion on a signal, transmitted from the transmission block(120), by using the IF(Intermediate Frequency) of a local oscillation signal and transmits the frequency-converted signal through a band pass filter(116); a reception block(121) which mixes an external signal, received through a receiving antenna(107), with a signal transmitted from the signal isolation block(122) and transmits the mixed signal; and an IF block(123) which receives a signal transmitted from the reception block(121), mixes the received signal with the local oscillation signal, and amplifies the mixed signal to outputs a bit signal.
Abstract translation: 提供了一种使用MMIC（单片微波集成电路）的毫米波段雷达传感器的RF收发器，以使信号隔离块能够通过使用本地振荡信号的IF对从传输块传输的信号进行频率转换， 通过带通滤波器传送经频率转换的信号，从而提高20至30db的接收灵敏度。 用于雷达传感器的RF收发器包括：传输块（120），其放大调制信号并通过发射天线（106）辐射放大的调制信号; 信号隔离块（122），其通过使用本地振荡信号的IF（中频）对从发送块（120）发送的信号进行频率转换，并通过带通滤波器（ 116）; 接收块（121），其将通过接收天线（107）接收的外部信号与从所述信号隔离块（122）发送的信号进行混合，并发送所述混合信号; 以及接收从接收块（121）发送的信号的IF块（123），将接收到的信号与本地振荡信号进行混合，并放大混合信号以输出位信号。
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公开(公告)号：KR100644812B1
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：KR1020050118990
申请日：2005-12-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/335
Abstract: An RF electronic device and its manufacturing method are provided to obtain a uniform and precise T shaped gate electrode and to prevent the short of the T shaped gate electrode by using a T shaped insulating gate pattern. An etch stop layer(307) and an ohmic layer(308) are formed on a substrate(301). An insulating layer is formed on the ohmic layer. An insulating gate pattern is formed on the resultant structure by patterning selectively the insulating layer. A spacer is formed on the insulating gate pattern. A gate recess is formed on the etch stop layer and the ohmic layer by etching partially the etch stop layer and the ohmic layer. A first metal film is formed on the resultant structure. A photoresist pattern is formed on the first metal film. A second metal film is then formed on the photoresist pattern. The first metal film is eliminated from the resultant structure by using the second metal film as a mask.
Abstract translation: 提供一种RF电子器件及其制造方法，以获得均匀且精确的T形栅极电极，并通过使用T形绝缘栅极图案来防止T形栅极电极短路。 蚀刻停止层（307）和欧姆层（308）形成在衬底（301）上。 在欧姆层上形成绝缘层。 通过选择性地构图绝缘层来在所得结构上形成绝缘栅极图案。 隔离物形成在绝缘栅极图案上。 通过部分蚀刻蚀刻停止层和欧姆层，在蚀刻停止层和欧姆层上形成栅极凹部。 在所得结构上形成第一金属膜。 在第一金属膜上形成光致抗蚀剂图案。 然后在光致抗蚀剂图案上形成第二金属膜。 通过使用第二金属膜作为掩模从所得结构中消除第一金属膜。
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公开(公告)号：KR100636597B1
公开(公告)日：2006-10-23
申请号：KR1020050119004
申请日：2005-12-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/778 , H01L21/027
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公开(公告)号：KR100609681B1
公开(公告)日：2006-08-08
申请号：KR1020030090037
申请日：2003-12-11
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03D7/12
Abstract: 믹서 회로를 제공한다. 본 발명의 믹서 회로는 소스 단자를 접지하는 전계 효과 트랜지스터와, 상기 전계 효과 트랜지스터의 소스 단자에 접속되고, LO 신호를 상기 전계 효과 트랜지스터에 전달하는 LO 정합 회로와, 상기 전계 효과 트랜지스터의 소스 단자에 접속되고, LO 신호를 입력 받아 LO 정합 회로를 통하여 LO 주파수 대역의 신호를 상기 전계 효과 트랜지스터에 공급하는 신호 결합기 회로를 포함한다. 그리고, 본 발명의 믹서 회로는 상기 전계 효과 트랜지스터의 게이트 단자에 연결되고, IF 신호를 입력 받아 IF신호를 상기 전계 효과 트랜지스터에 전달하는 IF 정합 회로와, 상기 전계 효과 트랜지스터의 게이트 단자에 연결되어 바이어스를 가할 수 있는 게이트 바이어스 회로와, 상기 전계 효과 트랜지스터의 드레인 단자에 연결되어 바이어스를 가할 수 있는 드레인 바이어스 회로와, 상기 전계 효과 트랜지스터의 드레인 단자에 연결되어, RF 신호를 RF 출력 단자로 전달하는 RF 정합 회로를 구비한다. 본 발명의 믹서 회로는 LO 신호의 삽입 손실을 감소시키고 DC 차단과 동시에 저주파수 대역의 불요신호의 영향을 차단할 수 있고, LO 신호의 누설에 기인한 신호 변형 특성을 개선할 수 있다.
믹서 회로, 전계 효과 트랜지스터, 신호 결합기 회로-
公开(公告)号：KR100592765B1
公开(公告)日：2006-06-26
申请号：KR1020040099904
申请日：2004-12-01
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/336
Abstract: 본 발명은 반도체 소자의 티형 게이트 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판 상부의 소정 영역이 노출되도록 제1 감광막 패턴을 형성하는 단계와, 노출된 상기 기판의 일부분이 노출되도록 상기 노출된 기판 및 상기 제1 감광막 패턴 상에 제2 감광막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 결과물의 전체 상부면에 소정 두께의 금속층을 형성하는 단계와, 상기 제1,2 감광막 패턴 및 상기 제2 감광막 패턴의 상부에 형성된 금속층을 제거하는 단계를 포함함으로써, 종래의 티형 게이트 전극 형성 방법보다 간단한 공정을 통한 공정단가 절감과 공정 시간의 단축으로 생산성을 크게 증대시킬 수 있으며, 종래의 티형 게이트 전극 형성 방법보다 게이트 길이를 작게 할 수 있으므로 고주파 특성을 월등하게 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
고전자 이동도 트랜지스터(HEMT), 티형 게이트, 전자빔 리소그라피, 광 리소그라피, 화합물 반도체
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