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公开(公告)号：KR1020090129579A
公开(公告)日：2009-12-17
申请号：KR1020080055569
申请日：2008-06-13
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: C01B33/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01P2004/16
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a silicon nanowire is provided to produce a silicon nanowire of high quality massively by simple process and to lower the manufacturing cost. CONSTITUTION: A method for manufacturing a silicon nanowire comprises the steps of (110) setting ultrapure water at a certain temperature; (120) providing a catalyst to the ultrapure water; (130) providing a silicon nanowire raw material to the ultrapure water; and (150) growing the silicon nanowire from the silicon nanowire raw material. The certain temperature is within 70°C - 100°C.
Abstract translation: 目的：提供一种制造硅纳米线的方法，通过简单的工艺大量生产高质量的硅纳米线，降低制造成本。 构成：制造硅纳米线的方法包括以下步骤：（110）将超纯水置于一定温度; （120）向超纯水提供催化剂; （130）向超纯水提供硅纳米线原料; 和（150）从硅纳米线原料生长硅纳米线。 一定温度在70℃〜100℃之间。
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公开(公告)号：KR100853200B1
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：KR1020070035723
申请日：2007-04-11
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L29/267 , B82Y10/00 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/068
Abstract: A nanowire of multi-structure and a fabrication method thereof are provided to obtain a nanowire for optical element or electronic device by jointing silicon nanowire at both ends of compound semiconductor nanorod. A nanowire of multi-structure(100) has: a nanorod(110) of group II-VI compound or group III-V compound; and a silicon nanowire(130) which is jointed with each end in the opposite site of the nanorod and extended to each end of the nanorod, respectively. The compound semiconductor is one selected from a group consisting of AlN, AlP, AlAs, GaN, GaP, GaAs, InP, InAs, InSb, AlInGaP, AlGaAs, InGaN, CdS, CdSe, CdTe, ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, TiO2, HgTe and CdHgTe. A fabrication method of the nanowire of multi-structure comprises steps of: preparing a number of compound semiconductor; forming catalyst tip(120) at both ends of the nanorod; and growing silicon nanowire at both ends of the nanorod having catalyst tip. The catalyst tip is removed by wet-process after completing the growing of the silicon nanowire. The step of growing the silicon nanowire comprises a process comprising steps of: dispersing the nanorod on a substrate; and putting the substrate having the dispersed nanorod to a chamber in a silicon source atmosphere and subjecting the chamber to heat-treatment in order to decompose the silicon source to silicon element or silicon molecule.
Abstract translation: 提供多结构的纳米线及其制造方法，以通过在化合物半导体纳米棒的两端连接硅纳米线来获得光学元件或电子器件的纳米线。 多结构（100）的纳米线具有：II-VI族化合物或III-V族化合物的纳米棒（110）; 和一个硅纳米线（130），其分别与纳米棒的相对位置的每个端部连接并分别延伸到纳米棒的每一端。 化合物半导体是选自AlN，AlP，AlAs，GaN，GaP，GaAs，InP，InAs，InSb，AlInGaP，AlGaAs，InGaN，CdS，CdSe，CdTe，ZnO，ZnS，ZnSe，ZnTe，TiO2中的一种 ，HgTe和CdHgTe。 多结构纳米线的制造方法包括以下步骤：制备多种化合物半导体; 在纳米棒的两端形成催化剂尖端（120）; 并在具有催化剂末端的纳米棒的两端生长硅纳米线。 在完成硅纳米线的生长之后，通过湿法除去催化剂尖端。 生长硅纳米线的步骤包括以下步骤：将纳米棒分散在基底上; 并将具有分散的纳米棒的基板放置在硅源气氛中的室中，并对该室进行热处理，以将硅源分解成硅元素或硅分子。
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公开(公告)号：KR100833489B1
公开(公告)日：2008-05-29
申请号：KR1020060016665
申请日：2006-02-21
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L33/34 , B82Y20/00 , H01L33/18 , Y10S438/962 , Y10S977/773 , Y10S977/774
Abstract: 본 발명은 빛을 발산하는 발광층, 상기 발광층에 형성된 정공 주입층, 상기 정공 주입층과 대향되도록 상기 발광층에 형성된 전자 주입층, 상기 전자 주입층에 형성된 금속 나노 점(nano dot)을 포함하는 금속층, 및 상기 금속층에 형성된 투명 전도성 전극을 포함하는 실리콘 나노 점을 이용한 반도체 발광 소자 및 이의 제조 방법을 개시한다. 상기 발광층으로 실리콘 나노 점을 포함하는 비정질의 실리콘 나이트라이드를 포함한다.
실리콘 나노 점, 반도체 발광 소자, 금속층, 투명 전도성 전극-
公开(公告)号：KR100734881B1
公开(公告)日：2007-07-03
申请号：KR1020060014683
申请日：2006-02-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L33/60
Abstract: A silicon light emitting diode capable of effectively utilizing light radiated toward the lateral side of a substrate by including a side reflecting mirror is provided. The silicon-based light emitting diode includes a p-type silicon substrate having a plurality of grooves, a light emitting diode layer formed on each of the grooves of the silicon substrate, the light emitting diode layer including an active layer, an n-type doped layer, and a transparent electrode layer, and a metal electrode including a lower metal electrode formed on the bottom surface of the p-type silicon substrate and an upper metal electrode formed on the top surface of the transparent electrode layer. The lateral surface of each of the grooves is separated from the light emitting diode layer and used as a reflecting mirror. The lateral surface is referred to as the side reflecting mirror.
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公开(公告)号：KR100615430B1
公开(公告)日：2006-08-25
申请号：KR1020030097049
申请日：2003-12-26
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01S3/0632 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , H01S3/16 , H01S3/1603 , H01S3/163 , H01S3/1685 , H01S3/1691
Abstract: 본 발명은 비정질 실리콘 양자점과 희토류 원소가 함께 분산되어 포함되며 비정질 실리콘 양자점에 의해 희토류 원소가 여기되어 광을 방출시키는 광소자용 실리콘 질화물 박막 및 그 제조방법을 제공한다. 이를 이용하면, 비정질 실리콘 양자점이 희토류 원소의 발광특성을 매우 향상시켜 우수한 성능의 광소자를 만들 수 있다.
양자점, 비정질 실리콘 양자점, 희토류, 광소자-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100568502B1
公开(公告)日：2006-04-07
申请号：KR1020040063025
申请日：2004-08-11
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L33/38
Abstract: 본 발명은 반도체 발광소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 실리콘계 또는 질화물계 발광소자에 있어서 발광층 또는 상부 도핑층의 상부면에 복수개의 상부전극을 형성하고, 기판 또는 하부 도핑층의 상부면에 적어도 하나의 하부전극을 형성하여 전극들로 인가되는 전류 퍼짐 특성을 향상시킴으로써, 발광층의 발광 면적을 최대화시킬 수 있을 뿐만 아니라 발광층 전면에서 균일한 세기를 가지는 발광을 유도하여 발광소자의 발광 효율을 더욱 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
반도체 발광소자, 발광층, 상부 도핑층, 하부 도핑층, 상부전극, 하부전극-
公开(公告)号：KR1020170069360A
公开(公告)日：2017-06-21
申请号：KR1020150176201
申请日：2015-12-10
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01B7/06 , H01B13/008 , H05K1/0283 , H05K3/007 , H05K3/107 , H05K3/20 , H05K2201/0329 , H05K2201/0338 , H05K2201/035 , H05K2203/016 , H05K2203/0568 , H05K2203/128
Abstract: 본발명은신축가능한고상전도성구조체; 상기고상전도성구조체를둘러싸는신축가능한신축절연층; 및상기고상전도성구조체및 상기신축절연층사이에배치되고, 상기고상전도성구조체와접하는액상전도성물질층을포함하는, 신축성배선및 그제조방법에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种可伸展的固态导电结构; 围绕固态导电结构的可拉伸和可收缩的绝缘层; 以及设置在固态导电结构与弹性绝缘层之间并与固态导电结构接触的导液材料层及其制造方法。
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公开(公告)号：KR1020150112123A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：KR1020140035484
申请日：2014-03-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G06F3/044
CPC classification number: G06F3/044
Abstract: 본발명은터치패널로, 본발명의일실시예에따른터치패널은기판, 상기기판중 적어도일부상에형성된산화물층, 전기적으로서로분리된복수의패턴을갖고, 상기산화물층중 외부에노출된노출부를정의하도록상기산화물층상에형성된금속패턴부, 전기적으로서로분리된복수의패턴을갖도록상기금속패턴부상에형성된산화물패턴부및 상기산화물층의상기노출부중 적어도일부상에형성된광학적성질조절패턴부를포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及触摸面板。 根据本发明的实施例的触摸面板包括：基板; 形成在所述基板的至少一部分上的氧化物层; 具有电分离图案的金属图案部分，并且形成在所述氧化物层上以限定在所述氧化物层中暴露于外部的曝光部分，所述氧化物图案部分形成在所述金属图案部分上以具有电分离的图案; 以及形成在所述氧化物层的所述曝光部的至少一部分上的光学性质控制图案部。
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公开(公告)号：KR101504343B1
公开(公告)日：2015-03-20
申请号：KR1020100100948
申请日：2010-10-15
Applicant: 한국전자통신연구원
Inventor： 박래만
IPC: H01L31/0445 , H01L21/203
CPC classification number: H01L31/0322 , C23C14/0057 , C23C14/0623 , H01L21/02491 , H01L21/02568 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L31/03923 , H01L31/0749 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명의 실시예는, 배면 전극이 형성된 기판을 준비하는 단계; 및 상기 배면 전극 상에 인듐 증착 가스 분위기 하에서, 금속 타겟을 스퍼터링하여 CIGS 박막을 형성하는 단계를 포함하는 화합물 반도체 태양전지의 제조방법을 제공한다.
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公开(公告)号：KR1020140132800A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：KR1020130050729
申请日：2013-05-06
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G06F3/041
CPC classification number: H01L27/323 , G06F3/045 , G06F3/041 , G02F1/13338 , G06F3/0412 , H01B5/14
Abstract: 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널은 기판 상에 배치된 버퍼층, 및 상기 버퍼층의 일측 상에 배치된 ITO(Indium Tin Oxide) 투명전극을 포함하되, 상기 ITO 투명전극은 100nm 내지 500nm의 두께를 가지며 상기 일측의 버퍼층을 투과하는 제 1 투과율과 상기 타측의 버퍼층을 투과하는 제 2 투과율의 차가 1.5% 이하이다.
Abstract translation: 根据本发明的实施例的触摸屏面板包括布置在基板上的缓冲层; 和设置在缓冲层一侧的透明铟锡氧化物（ITO）电极，其中透明ITO电极的厚度为100nm至500nm，缓冲层的一侧的第一透射率与缓冲层的第二透射率之差 另一侧的层为1.5％以下。
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