-
公开(公告)号：KR1020160099919A
公开(公告)日：2016-08-23
申请号：KR1020150022219
申请日：2015-02-13
Applicant: 한국항공대학교산학협력단
IPC: H01L21/768 , H01L21/3213 , H01L21/027 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/76813 , H01L21/0274 , H01L21/3213 , H01L29/786
Abstract: 다중금속막식각방법이개시되며, 상기다중금속막식각방법은, 구리(Cu) 및구리합금중 하나이상을포함하는재질로이루어지는제1층및 티타늄(Ti) 및티타늄합금중 하나이상을포함하는재질로이루어지는제2층을포함하는다중금속막을식각하는방법에있어서, 상기다중금속막상에소정의패턴을갖는포토레지스트막을형성하는단계; 식각액을사용하여상기다중금속막을식각하는단계; 및상기포토레지스트막을제거하는단계를포함하되, 상기다중금속막을식각하는단계에서, 상기식각액은황산암모늄(ammonium sulfite) 및하이드록실암모늄황산염(hydroxylammonium sulfate) 중하나이상을포함한다.
Abstract translation: 公开了蚀刻多层金属膜的方法。 蚀刻多层金属膜的方法蚀刻多层金属膜，该多层金属膜包括由包含Cu和Cu合金中的一种或多种的材料形成的第一层，以及由包括Ti和Cu中的一种或多种的材料形成的第二层 钛合金。 该方法包括以下步骤：在多层金属膜上形成包含预定图案的光致抗蚀剂膜; 用蚀刻剂蚀刻多层膜; 并除去光致抗蚀剂膜。 在蚀刻多层金属膜的步骤中的蚀刻剂包括一种或多种来自亚硫酸铵和羟基硫酸铵的蚀刻剂。
-
公开(公告)号：KR1020160099918A
公开(公告)日：2016-08-23
申请号：KR1020150022218
申请日：2015-02-13
Applicant: 한국항공대학교산학협력단
IPC: H01L21/768 , H01L21/3213 , H01L21/027 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/76813 , H01L21/0274 , H01L21/3213 , H01L29/786
Abstract: 다중금속막식각방법이개시되며, 상기다중금속막식각방법은, 구리(Cu) 및구리합금중 하나이상을포함하는재질로이루어지는제1층및 티타늄(Ti) 및티타늄합금중 하나이상을포함하는재질로이루어지는제2층을포함하는다중금속막을식각하는방법에있어서, 상기다중금속막상에소정의패턴을갖는포토레지스트막을형성하는단계; 식각액을사용하여상기다중금속막을식각하는단계; 및상기포토레지스트막을제거하는단계를포함하되, 상기다중금속막을식각하는단계에서, 상기식각액은그의총 중량에대해포스폰산(phosphonic acid) 계열의화합물을 0.1 내지 10.0 중량% 포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种蚀刻多层金属膜的方法。 用于蚀刻包括由包含铜（Cu）和铜合金中的一种或多种的材料制成的第一层的多层金属膜的方法和由包括钛（Ti）和钛合金中的一种或多种的材料制成的第二层 包括：在所述多层金属膜上形成具有预定图案的光致抗蚀剂膜的步骤; 通过使用蚀刻剂蚀刻多层金属膜的步骤; 以及去除光致抗蚀剂膜的步骤，其中在蚀刻多层金属膜的步骤中，蚀刻剂包括基于亚磷酸的化合物的总重量为0.1至10.0重量％。
-
公开(公告)号：KR101622634B1
公开(公告)日：2016-05-20
申请号：KR1020140126627
申请日：2014-09-23
Applicant: 한국항공대학교산학협력단
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/786
Abstract: 박막트랜지스터제조방법이개시되며, 상기박막트랜지스터제조방법은, 기판상에반도체층및 배선층을형성하는단계; 상기반도체층및 배선층을패터닝하는단계; 상기배선층을에칭하여채널부를형성하는단계; 및상기반도체층의표면을유체와접촉시킨상태에서, 상기반도체층의표면에광을조사하는단계를포함하되, 상기광을조사하는단계에서, 상기유체는수분(H₂O)을포함한다.
-
公开(公告)号：KR101394469B1
公开(公告)日：2014-05-13
申请号：KR1020120079227
申请日：2012-07-20
Applicant: 한국항공대학교산학협력단
Inventor： 서종현
Abstract: 다중금속막을 식각하기 위하여 사용되는 식각액 조성물로서, 상기 다중금속막은 Cu 또는 Cu-합금의 1 이상의 층, 및 Ti 또는 Ti-합금의 1 이상의 층을 포함하는 것이고, 상기 식각액 조성물은 그의 총 중량에 대하여, 인산 약 35 중량% 내지 약 75 중량%; 질산 약 0.5 중량% 내지 약 10 중량%; 초산 약 4 중량% 내지 약 30 중량%; 불소-함유 화합물 약 0.5 중량% 내지 약 8 중량%; (HONH
3 )
2 SO
4 약 0.1 중량% 내지 약 2 중량%; 및 잔량의 물을 포함하는 것인, 식각액 조성물을 제공한다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130046065A
公开(公告)日：2013-05-07
申请号：KR1020110110401
申请日：2011-10-27
Applicant: 한국항공대학교산학협력단
Inventor： 서종현
CPC classification number: C09K13/06 , C23F1/02 , C23F1/18 , C23F1/30 , G03F7/00 , H05K3/067 , H05K2203/12
Abstract: PURPOSE: An etchant composition and an etching method for multiple metal films are provided to effectively control the etching speed of copper by using a phenomenon where fluorine ion lowers the etching speed of the copper. CONSTITUTION: An etchant composition is composed of, in wt%: phosphoric acid of 35-70, nitric acid of 0.5-8, acetic acid of 2-20, a fluorine-containing compound of 0.5-10, and the remaining water. The fluorine-containing compound comprises at least one among HF, NaF, NaF_2, NH_4F, NH_4HF_2, H_2SiF_6, Na_2SiF_6, and KHF_2. The etchant composition can include at least two different kinds of fluorine-containing compounds.
Abstract translation: 目的：提供多种金属膜的蚀刻剂组合物和蚀刻方法，以通过使用氟离子降低铜的蚀刻速度的现象来有效地控制铜的蚀刻速度。 构成：蚀刻剂组成以重量％：35-70的磷酸，0.5-8的硝酸，2-20的乙酸，0.5-10的含氟化合物和剩余的水组成。 含氟化合物包括HF，NaF，NaF_2，NH4F，NH4HF_2，H_2SiF_6，Na_2SiF_6和KHF_2中的至少一种。 蚀刻剂组合物可以包括至少两种不同种类的含氟化合物。
-
公开(公告)号：KR101737034B1
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：KR1020150113159
申请日：2015-08-11
Applicant: 한국항공대학교산학협력단
IPC: H01L29/786
Abstract: 박막트랜지스터제조방법이개시되며, 상기박막트랜지스터제조방법은, 기판상에비정질실리콘층을형성하는단계; 상기비정질실리콘층을결정화하여다결정실리콘층을형성하는단계; 상기다결정실리콘층상에게이트절연막을형성하는단계; 상기게이트절연막상에제1층및 제2층을갖는게이트전극을형성하는단계; 상기다결정실리콘층에소스영역및 드레인영역을형성하는단계; 상기게이트절연막및 상기게이트전극상에층간절연막을형성하는단계; 및상기층간절연막상에상기소스영역에접속하는소스전극및 상기드레인영역에접속되는드레인전극을형성하는단계를포함하되, 상기제1층의재질은구리(Cu) 및구리알로이(Alloy) 계열중 하나이상을포함하는것이고, 상기제2층의재질은알루미늄(Al)을포함하는몰리브데늄(Mo) 알로이계열이다.
Abstract translation: 公开了一种制造薄膜晶体管的方法，包括：在衬底上形成非晶硅层; 使非晶硅层结晶以形成多晶硅层; 在多晶硅层上形成栅绝缘膜; 在栅极绝缘膜上形成具有第一层和第二层的栅电极; 在多晶硅层中形成源极区和漏极区; 在栅极绝缘膜和栅电极上形成层间绝缘膜; 并且在层间绝缘膜上形成连接到源极区的源电极和连接到漏区的漏电极，其中第一层的材料是铜（Cu）和铜合金 而第二层的材料是包含铝（Al）的钼（Mo）合金。
-
公开(公告)号：KR1020170019151A
公开(公告)日：2017-02-21
申请号：KR1020150113158
申请日：2015-08-11
Applicant: 한국항공대학교산학협력단
IPC: H01L21/027 , H01L21/306 , H01L21/3213
Abstract: 다중금속막식각방법이개시되며, 상기다중금속막식각방법은, 구리(Cu) 및구리합금중 하나이상을포함하는재질로이루어지는제1층및 티타늄(Ti) 및티타늄합금중 하나이상을포함하는재질로이루어지는제2층을포함하는다중금속막을식각하는방법에있어서, 상기다중금속막상에소정의패턴을갖는포토레지스트막을형성하는단계; 식각액을사용하여상기다중금속막을식각하는단계; 및상기포토레지스트막을제거하는단계를포함하되, 상기다중금속막을식각하는단계에서, 상기식각액은그의총 중량에대하여, 인산 15 중량% 내지 70 중량%; 초산 4 중량% 내지 40 중량%; 과망간산염 0.1 중량% 내지 10 중량%; 및불소-함유화합물 0.5 중량% 내지 8 중량%를포함한다.
-
公开(公告)号：KR101614879B1
公开(公告)日：2016-04-22
申请号：KR1020150113043
申请日：2015-08-11
Applicant: 한국항공대학교산학협력단
Inventor： 서종현
Abstract: 다중금속막을식각하기위하여사용되는식각액조성물로서, 상기다중금속막은 Cu 또는 Cu-합금의 1 이상의층, 및 Mo 또는 Mo-합금의 1 이상의층을포함하는것이고, 상기식각액조성물은그의총 중량에대하여인산약 35 중량% 내지약 70 중량%; 질산약 0.5 중량% 내지약 8 중량%; 초산약 4 중량% 내지약 30 중량%; 불소-함유화합물약 0.5 중량% 내지약 8 중량%; 및잔량의물을포함하는것인식각액조성물, 및이를이용하여다중금속막을식각하는방법에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及蚀刻剂组合物和蚀刻多层金属膜的方法。 蚀刻剂组合物用于蚀刻多层金属膜。 多层金属膜包括：一层或多层Cu或Cu合金; 和一层或多层Mo或Mo合金。 蚀刻剂组合物含有约35-70重量％的磷酸; 约0.5-8重量％的硝酸; 约4-30重量％的乙酸; 约0.5-8重量％的含氟组合物; 和剩余量的水。 蚀刻剂组合物和蚀刻多层金属膜的方法可以解决诸如Cu的过度蚀刻，快速倾斜角度以及用下部膜形成不同宽度的问题。
-
公开(公告)号：KR1020160035267A
公开(公告)日：2016-03-31
申请号：KR1020140126627
申请日：2014-09-23
Applicant: 한국항공대학교산학협력단
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/786
Abstract: 박막트랜지스터제조방법이개시되며, 상기박막트랜지스터제조방법은, 기판상에반도체층및 배선층을형성하는단계; 상기반도체층및 배선층을패터닝하는단계; 상기배선층을에칭하여채널부를형성하는단계; 및상기반도체층의표면을유체와접촉시킨상태에서, 상기반도체층의표면에광을조사하는단계를포함하되, 상기광을조사하는단계에서, 상기유체는수분(H₂O)을포함한다.
Abstract translation: 公开了一种薄膜晶体管的制造方法。 更具体地说，本发明是提供一种制造薄膜晶体管的方法，该薄膜晶体管在最小时间内激活氧化物半导体，同时防止其性能恶化。 制造薄膜晶体管的方法包括以下步骤：在衬底上形成半导体层和布线层; 图案化半导体层和布线层; 通过蚀刻布线层形成沟道部分; 并且在半导体层的表面与流体接触的同时用光照射半导体层的表面。 在照射光的步骤中，流体含有水分（H_2O）。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
19
records
(took 0.027 seconds)
