-
公开(公告)号：KR1020140112633A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：KR1020130026189
申请日：2013-03-12
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: The present invention relates to a deposition device for an organic-inorganic hybrid thin film and a method for manufacturing an organic-inorganic hybrid thin film using the same. In the deposition device for an organic-inorganic hybrid thin film, an atomic layer deposition chamber for the deposition of inorganic matters and a thermal deposition chamber for the depositing of organic matters are vertically connected. A gate valve is arranged in a connection path connecting the chambers. An injection port for supplying an inorganic deposition source is arranged in the atomic layer deposition chamber. A unit for heating an organic deposition source is arranged in the thermal deposition chamber. In the formation of a molecular organic-inorganic thin film, the present invention can form the multi-layered physical thin film of the organic and inorganic layers using a thermal deposition method and an atomic layer deposition method and the multi-layered thin film of the organic and inorganic layers through a chemical combination on the interface of the organic and inorganic layers.
Abstract translation: 本发明涉及一种有机 - 无机混合薄膜的沉积装置及其制造方法。 在有机 - 无机混合薄膜的沉积装置中，垂直连接用于沉积无机物质的原子层沉积室和用于沉积有机物的热沉积室。 闸阀布置在连接腔室的连接路径中。 用于提供无机沉积源的注入口布置在原子层沉积室中。 用于加热有机沉积源的单元布置在热沉积室中。 在分子有机 - 无机薄膜的形成中，本发明可以使用热沉积法和原子层沉积法形成有机和无机层的多层物理薄膜，并且可以形成多层薄膜 有机和无机层通过化学组合在有机和无机层的界面上。
-
-
-
公开(公告)号：KR1020180107544A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：KR1020170035968
申请日：2017-03-22
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C08B5/14 , H01M8/1027 , H01M8/103 , H01M8/1032 , H01M8/1041 , H01M8/1004 , C08L1/16 , H01M8/1018
Abstract: 본발명은술폰화셀룰로오스, 이를이용한수소이온전도성고분자전해질막 및이를구비하는연료전지에관한것으로, 더욱구체적으로는기계적특성과화학적안정성이우수한셀룰로오스백본에화학적기능화를통해술폰기를말단에도입함으로서상용고분자전해질막에비해향상된이온전도도를가지는술폰화셀룰로오스, 이를이용한수소이온전도성고분자전해질막 및이를포함하는연료전지에관한것이다.
-
公开(公告)号：KR101809251B1
公开(公告)日：2017-12-14
申请号：KR1020160153524
申请日：2016-11-17
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본발명은다양한기판에고품질전이금속칼코게나이드층을직접합성할수 있으며, 대면적의전이금속칼코게나이드층을연속적으로대량합성할수 있는전이금속칼코게나이드층의제조방법에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于高品质的过渡金属硫族化物层的制备和可以直接过渡合成金属硫属化物层，可以连续合成大量具有在各种基材上的大面积的过渡金属硫族化物层的。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101793515B1
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：KR1020160089088
申请日：2016-07-14
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C01G39/06 , C23C14/06 , C23C16/30 , C23C14/34 , C23C14/24 , C23C16/505 , C23C16/455
CPC classification number: C01G39/06 , C01P2004/24 , C23C14/0623 , C23C14/24 , C23C14/34 , C23C16/305 , C23C16/45525 , C23C16/505
Abstract: 본발명은이황화몰리브덴나노플레이크의제조방법에관한것으로, 상세하게는기판상에프로모터층을코팅하고, 상기프로모터층상에이황화몰리브덴나노플레이크를형성하는이황화몰리브덴나노플레이크의제조방법에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于二硫化钼纳米片，特别是在衬底上的启动子和被覆层的制备方法，用于制备二硫化钼纳米薄片，以形成二硫化钼纳米薄片的方法，以所述启动子层。
-
-
公开(公告)号：KR1020160043797A
公开(公告)日：2016-04-22
申请号：KR1020140138458
申请日：2014-10-14
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C01B31/04
CPC classification number: C01B32/184 , C01B32/186 , C01B2204/04 , C01B2204/22
Abstract: 본발명은그래핀적층구조체의제조방법및 이로제조된그래핀적층구조체에관한것으로, 보다상세하게는그래핀위에금속촉매를코팅하고, 코팅된금속촉매위에다시그래핀을형성하여, 그래핀의결함을보완하여투과도의감소없이전기전도도가향상된그래핀적층구조체의제조방법및 이로제조된그래핀적층구조체에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种叠层石墨烯结构体及其制备方法。 更具体地说，本发明涉及一种层叠石墨烯结构体的制备方法，其在石墨烯上涂覆金属催化剂并在涂覆的金属催化剂的顶部形成石墨烯; 和由其制备的层叠石墨烯结构。 堆叠的石墨烯结构补偿石墨烯的缺陷，并且具有改善的电导率而不会降低透光率。
-
公开(公告)号：KR101598492B1
公开(公告)日：2016-02-29
申请号：KR1020140040094
申请日：2014-04-03
Applicant: 한국화학연구원
IPC: H01B1/04 , H01B5/00 , H01L29/772
Abstract: 그래핀막에증착된복수의탄소나노튜브들을포함하는박막으로서상기복수의탄소나노튜브들이상기그래핀막에평면상으로배열되는탄소나노튜브-그래핀하이브리드박막은, 우수한투명성및 면저항을가지며, 스핀코팅등의간편한공정에의해제조될수 있으므로, 투명전극및 전계효과트랜지스터등의분야에유용하다.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
45
records
(took 0.024 seconds)
