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公开(公告)号：KR102226767B1
公开(公告)日：2021-03-11
申请号：KR1020190017882A
申请日：2019-02-15
Applicant: 한국화학연구원
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/1608 , H01L45/1253 , H01L45/145 , H01L45/1675
Abstract: 본 발명은 에너지 고 효율이 가능한 ReRAM의 제조 방법을 공개한다. 이 방법은 기판 상에 증착된 하부 전극층의 상부에 가변 저항막이 증착되는 단계; 및 상기 가변 저항막 상부에 상부 전극층이 증착되는 단계; 를 포함하고, 상기 상부 전극층과 상기 가변 저항막의 인터페이스 근처에서 산소 부족 층이 형성되어, 고 저항 상태를 수반하지 않고 복수개의 저 저항 상태 사이에서 저항이 전환됨에 따라 ReRAM 동작 중 소거 동작이 제거되는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의할 경우, 종래의 반복적인 증분 단계 펄스 프로그래밍 / 오류 검사 및 교정 알고리즘이 멀티비트 저항 스위칭 동작 동안 시간 소모적인 문제점을 극복하고, 높은 신뢰성과 에너지 고 효율적인 저항 스위칭 동작을 달성할 수 있는 에너지 고 효율적인 멀티비트 저항 스위칭 동작이 가능하게 된다.
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公开(公告)号：KR102226791B1
公开(公告)日：2021-03-11
申请号：KR1020190013114A
申请日：2019-01-31
Applicant: 한국화학연구원
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/1253 , H01L45/1233 , H01L45/145
Abstract: 본 발명은 소거 동작을 제거한 저항 스위칭 메모리를 공개한다. 이 장치는 하부 전극층, 가변 저항막 및 상부 전극층의 적층을 포함하는 저항 스위칭 메모리에 있어서, 멀티 비트 동작 구간 동안 상기 상부 전극층과 상기 가변 저항막의 인터페이스 근처에서 산소 부족 층이 형성되어 저항 스위칭 메모리 동작 중 소거 동작이 제거되는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의할 경우, 상부 전극층이 부분적으로 산화되어, 저항 스위칭 메모리에서 요구되는 저항 스위칭 성능을 수행하기 위하여 필요한 양호한 산소 저장소 및 적절한 부하 저항 기능을 할 수 있게 된다.
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公开(公告)号：WO2014178684A1
公开(公告)日：2014-11-06
申请号：PCT/KR2014/003957
申请日：2014-05-02
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C23C16/06 , C23C16/448
CPC classification number: C23C16/45553 , C07F15/0046 , C23C16/18 , C23C16/40
Abstract: 본 발명은 화학식 1로 표시되는 루테늄 전구체에 관한 것으로, 상기 루테늄 전구체는 열적 안정성과 휘발성이 향상되고, 박막 증착 시 산소를 사용하지 않아도 되는 장점이 있어 양질의 루테늄 박막을 형성할 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及由化学式1表示的钌前体，钌前体具有改善的热稳定性和挥发性，并且在沉积薄膜时不必使用氧，因此能够形成高分子量 优质钌薄膜。
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4.发明申请
公开(公告)号：WO2013165221A1
公开(公告)日：2013-11-07
申请号：PCT/KR2013/003879
申请日：2013-05-03
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C23C16/305 , C07F1/005 , C07F3/003 , C07F7/003 , C07F7/2284 , C07F9/902
Abstract: 본 발명은 아미노싸이올레이트 리간드를 이용한 금속 전구체에 관한 것으로, 상기 금속 전구체는 황을 포함하고 있는 전구체로서 박막 제조 중에 별도의 황을 첨가시키지 않아도 되는 장점이 있고 열적 안정성과 휘발성이 향상되어 양질의 황화금속 박막을 형성할 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及使用氨基硫醇配体的金属前体，其中金属前体包含硫，并且具有在制造薄膜时不需要单独添加硫的优点，并且由于制备高质量的金属硫化物薄膜而形成 增强的热稳定性和挥发性。
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公开(公告)号：WO2022169232A1
公开(公告)日：2022-08-11
申请号：PCT/KR2022/001606
申请日：2022-01-28
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07F7/28 , C07F7/00 , C23C16/40 , C23C16/455
Abstract: 본 발명은 4족 전이금속 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 4족 전이금속 화합물은 열적으로 안정하고 휘발성이 우수하고 저장안정성이 높아, 이를 전구체로 이용하여 고밀도 및 고순도의 4족 전이금속함유 박막 및 이의 제조방법을 제공할 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2021085810A2
公开(公告)日：2021-05-06
申请号：PCT/KR2020/010113
申请日：2020-07-31
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07F7/28 , C07F7/00 , C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/45553
Abstract: 본 발명은 4족 전이금속 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 4족 전이금속 화합물은 휘발성이 우수하고 열적으로 안정하여, 이를 전구체로 이용하여 고밀도 및 고순도의 4족 전이금속함유 박막을 제조할 수 있다.
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7.发明申请
公开(公告)号：WO2012148085A9
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：PCT/KR2012/002056
申请日：2012-03-22
IPC: C07F9/90 , C23C16/18 , C23C16/44 , H01L21/205
Abstract: 본 발명은 신규한 안티몬 아미노 알콕사이드 화합물과 이를 이용하여 안티몬을 포함하는 박막을 제조하는 방법에 대한 것이다. 본 발명에 따른 신규한 안티몬 아미노 알콕사이드 화합물은 Sb[O-A-NR1R2]3으로 나타낼 수 있고, 상기 식에서, A는 C1-C10 선형 또는 분지형 알킬기로 치환 또는 비치환된 C2-C5의 알킬렌이고; R1 및 R2는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이다. 본 발명에 따르면, 품질이 우수한 박막을 제조할 수 있는 안티몬 전구체를 제공할 수 있다.
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公开(公告)号：WO2023068629A1
公开(公告)日：2023-04-27
申请号：PCT/KR2022/015345
申请日：2022-10-12
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C23C16/40 , C23C16/455 , C07F5/00
Abstract: 본 발명은 신규한 3족 금속 전구체, 이의 제조방법, 이를 이용하는 박막의 제조방법 및 이를 채용하여 제조되는 박막에 관한 것으로, 상기 3족 금속 전구체는 고유전상수 및 열역학적 안정성을 가지고 우수한 증기압을 나타내어, 우수한 순도의 박막을 제조할 수 있다.
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公开(公告)号：WO2023013949A1
公开(公告)日：2023-02-09
申请号：PCT/KR2022/010925
申请日：2022-07-26
IPC: C07F15/00 , C07F17/00 , C23C16/18 , C23C16/40 , C23C16/455
Abstract: 본 발명은 루테늄 유기금속 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 제조하는 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 화학기상증착 또는 용액공정을 통하여 박막을 제조함에 있어, 열적 안정성과 휘발성이 개선되고, 낮은 온도에서 쉽게 양질의 루테늄 박막 또는 루테늄 산화물 박막을 제조할 수 있는 루테늄 유기금속 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다.
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公开(公告)号：WO2013168941A1
公开(公告)日：2013-11-14
申请号：PCT/KR2013/003910
申请日：2013-05-06
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C23C16/403
Abstract: 본 발명은 β-다이케토네이트와 아미노알콕사이드 리간드를 갖는 산화 마그네슘 전구체에 관한 것으로, 상기 산화 마그네슘 전구체는 열적으로 안정하고 휘발성이 좋으므로 양질의 산화 마그네슘을 포함한 박막을 형성할 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及具有β-二酮酸盐和氨基 - 醇盐配体的氧化镁前体。 氧化镁前体具有良好的热稳定性和挥发性，因此可以获得改善的含氧化镁薄膜。
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