公开(公告)号：KR1020210003381A

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：KR1020190079090

申请日：2019-07-02

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 최재영 ,  채수동 ,  김범준 ,  오승배 ,  최경환 ,  정병주

IPC: C30B1/02 ,  C30B23/00 ,  C30B33/00 ,  C30B29/46 ,  C30B29/12 ,  C30B29/60 ,  B82Y40/00

Abstract: 하기화학식 1 로서표시되는전구체및 황을반응시켜하기화학식 2 로서표시되는일차원단결정벌크물질을합성하는단계; 및상기일차원단결정벌크물질로부터일차원나노사슬구조체를분리하는단계를포함하는, 일차원나노사슬구조체의제조방법에관한것이다: [화학식 1] MX2; [화학식 2] M6S9-aXa; (상기화학식 1 또는 2 에서, M 은 Mo, Cr, W 및이들의조합들로이루어진군으로부터선택된전이금속을포함하고, X 는 I, F, Cl, Br 및이들의조합들로이루어진군으로부터선택된할로겐을포함하고, a 는 4 내지 8 의정수인것임).

公开(公告)号：KR102140147B1

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：KR1020130017654

申请日：2013-02-19

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 홍승현 ,  김원영 ,  백승현 ,  이상훈 ,  최재영

IPC: H01L35/22 ,  H01L35/12 ,  H01L35/34 ,  B32B9/00 ,  C01B32/182 ,  C01B32/19

公开(公告)号：KR102140146B1

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：KR1020130017653

申请日：2013-02-19

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 홍승현 ,  김원영 ,  백승현 ,  이상훈 ,  최재영

IPC: H01L35/22 ,  H01L35/12 ,  H01L35/34 ,  H01L29/16 ,  B32B9/00 ,  C01B32/182

公开(公告)号：KR102117954B1

公开(公告)日：2020-06-02

申请号：KR1020180021315

申请日：2018-02-22

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 최재영 ,  김범준 ,  나세터키알

IPC: B41M3/00 ,  C08L25/06 ,  C08K5/00 ,  C01B32/182 ,  H01L29/16 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324

公开(公告)号：KR101878740B1

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：KR1020120035595

申请日：2012-04-05

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 신현진 ,  최재영 ,  야오페이 ,  이영희 ,  페츌라귀네슈 ,  채승진

IPC: C23C28/00 ,  C23C16/44 ,  C01B31/02

Abstract: 금속부식방지시스템이제공된다. 금속층위에그래핀층을형성함으로써반응성이큰 금속이온에의한인터컬레이션을방지할수 있다.

公开(公告)号：KR101878735B1

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：KR1020110076143

申请日：2011-07-29

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 신현진 ,  최재영 ,  이영희 ,  한강희

IPC: C01B31/02 ,  C23C16/26 ,  H01B1/04 ,  H01L21/335

Abstract: 그래핀의제조방법이제공되며, 균일한두께를가지고정공이동도가우수한그래핀을제조하는방법및 상기방법에의해얻어지는그래핀이제공된다.

公开(公告)号：KR101878734B1

公开(公告)日：2018-07-16

申请号：KR1020110061796

申请日：2011-06-24

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 신현진 ,  최재영 ,  안종렬 ,  서정탁

IPC: C01B31/02 ,  B32B18/00 ,  H01B1/04 ,  H01L21/331

CPC classification number: B32B9/04 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02656 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/778 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/1884 ,  H01M4/96 ,  H01M8/0234 ,  H01M8/086 ,  H01M8/1007 ,  H01M8/1011 ,  H01M8/103 ,  H01M8/1041 ,  Y02E10/50 ,  Y02E60/523 ,  Y02P70/56

Abstract: 그래핀의직성장방법이제공되며, 상기직성장방법에따르면기판상에서그래핀을직접성장시킨후 그결정성을향상시킴으로써별도의전사공정이요구되지않아그래핀의손상을최소화시키는것이가능해진다.

公开(公告)号：KR1020170126547A

公开(公告)日：2017-11-20

申请号：KR1020160056457

申请日：2016-05-09

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 구자춘 ,  김성준 ,  최재영

IPC: G01R27/26 ,  B25J15/00 ,  B25J19/02

CPC classification number: G01R27/2605 ,  B25J15/00 ,  B25J19/02

Abstract: 본발명은미끄럼감지센서및 미끄럼을감지하는로봇손에관한것으로서, 본발명에따른미끄럼감지센서는이동하는바디부의표면에고정되는베이스층, 베이스층의상면에고정되며비압축성유전체로형성되는유전체층, 유전체층의상면에위치하고물체와접촉하여미끄러질때 유전체층과분리되는접촉층, 베이스층과유전체층사이에위치하는제 1 전극, 제 1 전극의상부에위치하며접촉층의하면에고정되는제 2 전극및 제 1 전극과제 2 전극사이의캐패시턴스변화를감지하여미끄럼을감지하는미끄럼감지부를포함하는것을특징으로한다.

Abstract translation: 根据本发明的滑动传感器包括固定到移动体的表面的基层，固定到基层的上表面并由不可压缩的电介质形成的电介质层， 第一电极，其位于介电层的上表面上并在与物体接触滑动时与介电层分开;第一电极，其位于基底层与介电层之间;第二电极，其位于第一电极的顶部上; 以及滑动检测单元，用于通过检测两个电极之间的电容变化来检测滑动。

公开(公告)号：KR1020140104542A

公开(公告)日：2014-08-29

申请号：KR1020130017157

申请日：2013-02-18

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  코닝정밀소재 주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 윤여흥 ,  이효영 ,  권순근 ,  최재영

IPC: H01G11/24 ,  H01G11/36 ,  H01M4/13 ,  H01M4/66 ,  H01M4/78 ,  H01G11/28 ,  H01G11/50 ,  H01M4/133 ,  H01M4/1393

CPC classification number: H01G11/24 ,  B82Y99/00 ,  H01G11/28 ,  H01G11/36 ,  H01G11/50 ,  H01G13/02 ,  H01M4/04 ,  H01M4/0471 ,  H01M4/13 ,  H01M4/133 ,  H01M4/1393 ,  H01M4/587 ,  H01M4/663 ,  H01M4/667 ,  H01M4/78 ,  H01M10/0587 ,  Y02E60/13 ,  Y10S977/932 ,  Y10T29/417 ,  Y10T29/49115

Abstract: Disclosed are an electrode structure having a roll shape, an electrode and an electric device applying the same, and a method for manufacturing the electrode structure. The disclosed electrode structure has a structure of a graphene film having a nano material dispersed on at least one side wound in a roll shape. The electrode structure can have a high electrode density while securing a space making the diffusion of an electrolyte ion between the contact surfaces of the graphene film easy, and can be stably maintained in a shape of being vertically oriented on a current collector when applied to an electrode of an energy storage device such as a supercapacitor.

Abstract translation: 公开了具有辊状的电极结构，电极和施加该电极结构的电气装置，以及用于制造电极结构的方法。 所公开的电极结构具有在卷绕成卷状的至少一侧分散有纳米材料的石墨烯膜的结构。 电极结构可以具有高电极密度，同时确保使电解质离子在石墨烯膜的接触表面之间的扩散容易的空间，并且可以被稳定地保持为在集电器上垂直取向的形状 诸如超级电容器的能量存储装置的电极。

公开(公告)号：KR1020140023631A

公开(公告)日：2014-02-27

申请号：KR1020120089736

申请日：2012-08-16

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 최재영 ,  유원종 ,  이승환 ,  임영대

IPC: C01B31/02 ,  B01J19/12

CPC classification number: C01B31/0484 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/194 ,  C23C16/56 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32146 ,  Y10S977/845 ,  B01J19/12

Abstract: Disclosed are a method and an appartus for restoring the physical properties of graphene. The method and the apparatus for restoring the physical properties of graphene restore the physical properties of graphene by exposing the graphene to low density plasma within a range of 0.3*10^8-30*10^8 cm^-3 in a condition in which the graphene is grounded. The method and the apparatus for restoring the physical properties of graphene are compatible with a silicon process, are environment-friendly, enables a high speed process, a low temperature process, and a large area process.

Abstract translation: 公开了用于恢复石墨烯的物理性质的方法和应用。 用于恢复石墨烯的物理性能的方法和装置通过在0.3×10 ^ 8-30×10 ^ 8cm -3 -3的范围内将石墨烯暴露于低密度等离子体来恢复石墨烯的物理性质，其中 石墨烯接地。 用于恢复石墨烯的物理性能的方法和装置与硅工艺兼容，环境友好，能够实现高速工艺，低温工艺和大面积工艺。