公开(公告)号：CN102931044B

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201210283730.8

申请日：2012-08-10

Applicant: FEI公司

Inventor： F.布格霍贝尔 ,  P.波托塞克 ,  C.S.库伊曼 ,  B.H.利希

IPC: H01J37/22 ,  H01J37/28 ,  G01N23/22

CPC classification number: H01J37/222 ,  G01N23/22 ,  G01N2223/423 ,  H01J37/28 ,  H01J2237/226

Abstract: 本发明涉及提供深度分辨图像的带电粒子显微镜。一种使用带电粒子显微镜检查样本的方法，包括以下步骤：将样本安装在样本保持器上；使用‑粒子‑光学柱将至少一个微粒辐射束引导到样本的表面S上，由此产生交互作用，该交互作用导致从样本发出发射辐射；使用检测器装置检测所述发射辐射的至少一部分，该方法包括如下步骤：将所述检测器装置的输出On记录作为所述发射辐射的出射角θn的函数，从而针对θn的多个值汇集测量结果集合M={（On,θn）}，其中所述出射角θn是相对于与S正交的轴测得的；使用计算机处理设备对测量结果集合M自动去卷积并将其空间分解成结果集合R={（Vk，Lk)}，其中空间变量V表示在以表面S为参考的相关联的离散深度水平Lk处的值Vk,由此n和k是整数序列的成员，并且空间变量V表示样本的作为在其体积内的位置的函数的物理性质。

公开(公告)号：CN102130218B

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201110006527.1

申请日：2011-01-13

Applicant: FEI公司

Inventor： G.N.A.范维恩 ,  C.S.库伊曼 ,  L.K.南弗 ,  T.L.M.肖尔特斯 ,  A.萨基克

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L27/144 ,  H01L31/115

CPC classification number: H01L31/1185 ,  H01J37/244 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/105

Abstract: 本发明公开了一种用于制造用于检测例如200eV电子的辐射检测器的工艺。这使得所述检测器适合于例如用在扫描电子显微镜中。本发明致力于将铝栅格形成在硼层上，而不损及硼层。为此，通过下述方式来形成铝栅格：用铝层完全覆盖硼层，并且然后通过刻蚀移除所述铝层的一部分，所述刻蚀包括干法刻蚀的第一步骤（304），所述干法刻蚀的步骤限定栅格，但让所述硼层的一部分上的薄铝层暴露，之后是湿法刻蚀的第二步骤（308），所述湿法刻蚀的步骤从被暴露的硼层的一部分完全移除铝。

公开(公告)号：CN102253066B

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201110110551.X

申请日：2011-04-29

Applicant: FEI公司

Inventor： F.布戈尔贝尔 ,  C.S.库伊曼 ,  B.H.利赫 ,  E.G.T.博施

IPC: G01N23/22

CPC classification number: H01J37/222 ,  H01J37/28 ,  H01J2237/226 ,  H01J2237/2611

Abstract: 本发明涉及SEM成像方法。一种使用扫描电镜法研究样品的方法，包含以下步骤：－在多个（N个）测量会话中使用探测电子束照射样品的表面（S），每个测量会话具有相关联的束参数（P）值，该束参数值选自于一系列这样的值且在测量会话之间不同；－在每个测量会话期间检测样品发射的激励辐射，将被测对象（M）与其关联且记录用于每次测量会话的该被测对象的值，因而允许数据对（Pi,Mi）的数据集（D）的汇编，其中1≤i≤N，其中：－采用统计盲源分离技术来自动处理数据集（D）且空间地将其分解为成像对(Qk,Lk)的结果集（R），其中具有值Qk的成像量（Q）与参考表面S的离散深度水平Lk相关。

公开(公告)号：CN102954773A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201210283575.X

申请日：2012-08-10

Applicant: FEI公司

Inventor： F.布格霍比尔 ,  B.H.利希 ,  C.S.库伊曼 ,  E.G.T.博施 ,  A.F.德琼格

IPC: G01B15/00 ,  G01N23/22

CPC classification number: H01J37/222 ,  G01N23/22 ,  G01N2223/423 ,  H01J37/28 ,  H01J2237/226

Abstract: 本发明涉及带电粒子显微成像方法。利用带电粒子显微镜法研究样本的方法包括：在多个测量会话中利用带电粒子射束辐照样本表面，每个测量会话都具有不同的射束参数值；在每个测量会话期间检测样本的受激辐射，将被测量与其相关联并为每个测量会话记下被测量的值，从而允许汇集数据对{Pn，Mn}的数据集合，其中，通过如下步骤自动处理该数据集合：定义点扩展函数，对于n的每个值，其具有核值Kn；定义空间变量，其表示样本的作为其体积内的位置的函数的物理性质；定义成像量，对于n的每个值，其具有值Qn=Kn*V；对于n的每个值，确定minD(Mn║Kn*V)，其中在对值Kn施加约束的同时求解V。

公开(公告)号：CN102866413A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201210233116.0

申请日：2012-07-06

Applicant: FEI公司

Inventor： C.S.库伊曼 ,  G.N.A.范维恩

IPC: G01T1/00

CPC classification number: G01T1/24 ,  G01T1/2928 ,  H01J37/244 ,  H01J37/261 ,  H01J37/28 ,  H01J2237/24415 ,  H01J2237/2448 ,  H01L31/115

Abstract: 本发明涉及一种用于检测X射线的辐射检测器，所述检测器包括硅漂移二极管(10,200)，所述硅漂移二极管示出阳极(16,202)和输出端，处于工作中的所述硅漂移二极管响应于单个检测到的光子在所述输出端上产生脉冲，所述输出端被连接到用于测量输出信号的电子电路，其特征在于所述硅漂移二极管包括在I/O端口与所述阳极之间的电压/电流转换器(208)，所述检测器被装备成经由开关(209)选择性地连接模拟反馈回路中的所述电压/电流转换器，作为其结果，所述硅漂移二极管被装备成可切换地工作于脉冲高度测量模式或电流测量模式下。

公开(公告)号：CN102130218A

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN201110006527.1

申请日：2011-01-13

Applicant: FEI公司

Inventor： G.N.A.范维恩 ,  C.S.库伊曼 ,  L.K.南弗 ,  T.L.M.肖尔特斯 ,  A.萨基克

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L27/144 ,  H01L31/115

CPC classification number: H01L31/1185 ,  H01J37/244 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/105

Abstract: 本发明公开了一种用于制造用于检测例如200eV电子的辐射检测器的工艺。这使得所述检测器适合于例如用在扫描电子显微镜中。本发明致力于将铝栅格形成在硼层上，而不损及硼层。为此，通过下述方式来形成铝栅格：用铝层完全覆盖硼层，并且然后通过刻蚀移除所述铝层的一部分，所述刻蚀包括干法刻蚀的第一步骤（304），所述干法刻蚀的步骤限定栅格，但让所述硼层的一部分上的薄铝层暴露，之后是湿法刻蚀的第二步骤（308），所述湿法刻蚀的步骤从被暴露的硼层的一部分完全移除铝。