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公开(公告)号:CN109682710A
公开(公告)日:2019-04-26
申请号:CN201910067908.7
申请日:2019-01-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: G01N5/00 , G01N1/28 , G01N23/04 , H01J37/261
Abstract: 本发明提供一种用于TEM构效关联间接原位表征的芯片及其制作方法,芯片包括主芯片及辅芯片,其中,主芯片包括:检测悬臂梁、主芯片凹槽、具有观测孔的观测悬臂梁、主芯片窗口及气孔;辅芯片包括:辅芯片窗口;通过检测悬臂梁的谐振用以检测位于检测悬臂梁上的待测样品的质量变化;主芯片及辅芯片相对设置,并分别固定于TEM样品杆上,主芯片、辅芯片及TEM样品杆之间形成闭合空间;TEM通过辅芯片窗口、观测孔及主芯片窗口观测位于观测悬臂梁上的待测样品的形貌变化。本发明可以在TEM内实现形貌变化及质量变化的间接、原位、实时表征,可广泛应用于纳米材料在气固反应过程中的TEM原位表征。
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公开(公告)号:CN104377104B
公开(公告)日:2018-04-13
申请号:CN201410392945.2
申请日:2014-08-12
IPC: H01J37/26
CPC classification number: H01J37/261 , H01J37/147 , H01J37/22 , H01J37/26 , H01J37/263 , H01J2237/006 , H01J2237/2605 , H01J2237/262
Abstract: 本发明公开了使用环境透射电子显微镜的方法以及环境透射电子显微镜。环境透射电子显微镜遭受气体诱发的分辨率劣化。已发现该劣化并不是样品上的电流密度的函数,而是电子束的总电流的函数。发明人得出结论,劣化是由于ETEM的样品室中的气体的电离而引起的,并且提出使用样品室中的电场来移除电离气体,从而减小气体诱发的分辨率劣化。电场不需要是强场,并且能通过例如使样品114相对于样品室138偏置而引起。经由电压源144施加的100 V的偏置电压足以实现气体诱发的分辨率劣化的显著改善。极化并不是重要的。备选地,能通过例如将电偏置导线或纱网154离轴地放置在样品室中来使用垂直于光轴104的电场。
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公开(公告)号:CN105659353B
公开(公告)日:2017-04-05
申请号:CN201480058375.1
申请日:2014-10-31
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01J37/22
CPC classification number: H01J37/222 , H01J37/10 , H01J37/22 , H01J37/261 , H01J37/263 , H01J2237/045 , H01J2237/103 , H01J2237/221 , H01J2237/248 , H01J2237/2602
Abstract: 本发明提供一种电子显微镜,提高限制视场光阑的位置调整作业中的作业性。在电子显微镜中,具备:摄影单元,其拍摄限制视场光阑插入前的观察视场作为映射图像;存储单元,其存储所述映射图像;提取单元,其拍摄所述光阑插入后的观察视场来提取所述光阑的轮廓线;绘制单元,其在所述映射图像上绘制所述轮廓线;以及显示单元,其显示由所述绘制单元绘制出的图像。
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公开(公告)号:CN104810230B
公开(公告)日:2017-03-08
申请号:CN201510040069.1
申请日:2015-01-27
Inventor: B.布伊斯塞
CPC classification number: H01J37/226 , H01J37/20 , H01J37/228 , H01J37/26 , H01J37/261 , H01J2237/14 , H01J2237/20207 , H01J2237/20214 , H01J2237/223 , H01J2237/2602
Abstract: 相关光学和带电粒子显微镜。本发明涉及装配有TEM柱和光显微镜(10)的相关光和电子显微镜(CLEM),所述光显微镜安装在TEM的物镜的极靴(8A、8B)之间。为了扩大针对增强的灵敏度的接受立体角而使用截短的透镜。应注意的是这并不意味着透镜示出像散(其并不是圆筒形透镜)。本发明还教导在样本(1)处于第一方向上的情况下使用光显微镜来制作第一图像。由于两个方向312x,312y)上的透镜的不同NA,此图像将在一个方向上示出比在与之垂直的方向上更高的(衍射限制)分辨率。通过使样本旋转并制作第二图像,可以形成与在其中其示出低NA的方向上的图像中的任一个相比示出更好分辨率的组合图像。
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公开(公告)号:CN102866413B
公开(公告)日:2016-12-28
申请号:CN201210233116.0
申请日:2012-07-06
IPC: G01T1/00
CPC classification number: G01T1/24 , G01T1/2928 , H01J37/244 , H01J37/261 , H01J37/28 , H01J2237/24415 , H01J2237/2448 , H01L31/115
Abstract: 本发明涉及一种用于检测X射线的辐射检测器,所述检测器包括硅漂移二极管(10,200),所述硅漂移二极管示出阳极(16,202)和输出端,处于工作中的所述硅漂移二极管响应于单个检测到的光子在所述输出端上产生脉冲,所述输出端被连接到用于测量输出信号的电子电路,其特征在于所述硅漂移二极管包括在I/O端口与所述阳极之间的电压/电流转换器(208),所述检测器被装备成经由开关(209)选择性地连接模拟反馈回路中的所述电压/电流转换器,作为其结果,所述硅漂移二极管被装备成可切换地工作于脉冲高度测量模式或电流测量模式下。(56)对比文件R.Alberti等.high rate X rayspectroscopy using a silicon driftdetector and a charge preamplifer.《Nuclear instruments and methods inphysics research A》.2006,第568卷第106-111页.G.Bertuccio等.Silicon drift detectorwith integrated p-JFET for continuousdischarge of collected electrons throughthe gate junction《.Nuclear instrumentsand methods in physics research A》.1996,第377卷(第2期),第352-356页.
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公开(公告)号:CN105869977A
公开(公告)日:2016-08-17
申请号:CN201610377057.2
申请日:2016-05-31
Applicant: 襄阳宏伟航空器有限责任公司
CPC classification number: H01J37/261 , B82Y30/00 , H01J37/20
Abstract: 本发明公开了一种多自由度微动调整装置,包括固定台、上下移动单元、水平移动单元和微动调整臂,其中上下移动单元沿着竖直方向设置在固定台上,其包括彼此连接的导向部和安装有上下驱动电机的移动部;水平移动单元沿着水平方向设置在上下移动单元的移动部上,并包括彼此滑动连接的第一关联部件、第二关联部件和第三关联部件,其中第一关联部件上安装有左右驱动电机,第二关联部件上安装有前后驱动电机,第三关联部件上安装有旋转运动电机,旋转运动电机上安装有微动调整臂。本发明通过对驱动电机与移动部的高精度控制,能够有效保证微动调整操作的精确性,同时具备运动精度高、调节灵活和结构紧凑的优点。
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公开(公告)号:CN103794596B
公开(公告)日:2016-08-10
申请号:CN201210419099.X
申请日:2012-10-29
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L23/544 , G01B7/00 , G01B7/14
CPC classification number: H01J37/261 , H01J37/263 , H01J37/28 , H01J2237/282 , H01L21/02381 , H01L21/02439 , H01L21/02488 , H01L21/02502 , H01L21/02521 , H01L21/28088
Abstract: 本发明公开了标准晶片及其制造方法。本公开的实施例提供一种标准晶片,其包括:衬底;形成于衬底上的第一半导体材料层;形成于第一半导体材料层之上的栅条,其中,间隔层介于第一半导体材料层和所述栅条之间;以及分别形成在所述栅条的相对两侧的第一侧壁间隔件和第二侧壁间隔件,其中,所述栅条和第一半导体材料层由相同的半导体材料形成,介于第一半导体材料层和所述栅条之间的所述间隔层与第一侧壁间隔件和第二侧壁间隔件由相同的氧化物形成。本公开实施例还提供相应的标准晶片制造方法。通过本公开的实施例,可以提供具有不容易带电、不容易受污染,成像对比度高、价格较低、制作工艺简单中的至少一个或多个优点的标准晶片以及相应的制造方法。
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公开(公告)号:CN105531793A
公开(公告)日:2016-04-27
申请号:CN201480047309.4
申请日:2014-05-16
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01J37/295 , G01N23/04 , H01J37/09 , H01J37/147 , H01J37/153 , H01J37/24 , H01J37/244 , H01J37/26 , H01J37/28
CPC classification number: H01J37/10 , G01N23/20058 , G01N2223/418 , H01J37/04 , H01J37/05 , H01J37/09 , H01J37/147 , H01J37/1472 , H01J37/153 , H01J37/24 , H01J37/244 , H01J37/26 , H01J37/261 , H01J37/28 , H01J37/285 , H01J37/295 , H01J2237/21 , H01J2237/2614
Abstract: 本发明提供一种电子显微镜,其特征在于,在通过关闭透射电子显微镜的物镜(5),使电子束的交叉(11、13)与限制视场光阑(65)一致,并使第一成像透镜(61)的焦距变化,来进行试样的像观察模式与试样的衍射图案观察模式的切换的无透镜傅科法中,在第一成像透镜(61)的后段配置偏转器(81),在确定成像光学系统的条件后能够固定照射光学系统(4)的条件。由此,在不安装磁屏蔽透镜的通常的通用型透射电子显微镜中,也能够对操作者没有负担地实施无透镜傅科法。
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公开(公告)号:CN103809197B
公开(公告)日:2016-01-06
申请号:CN201210455060.3
申请日:2012-11-13
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Inventor: 蔡博修
CPC classification number: H01J37/261 , G01D18/00 , H01J37/263 , H01J37/28 , H01J2237/2826
Abstract: 一种扫描电镜的电子束的检测方法、微细图形的检测方法,其中,本发明的扫描电镜的电子束的检测方法,包括:提供检测样品,检测样品表面形成有沿第一方向的直线图形;提供相同曝光工艺下标准模型的功率谱密度曲线;通过扫描电镜获取检测样品的直线图形的边缘轮廓;以固定采样频率对检测样品的直线图形的边缘轮廓进行采样,得到各采样点处的直线图形沿第二方向的变化幅度;根据所述变化幅度,得到检测样品的功率密度曲线;比较检测样品的功率密度曲线和标准模型的功率密度曲线,判断电子束在第二方向上的质量是否合格。本发明实施例中检测电子束的检测结果更为准确。采用经本发明实施例检测合格的电子束,检测微细图形,获得的尺寸精确。
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公开(公告)号:CN104810230A
公开(公告)日:2015-07-29
申请号:CN201510040069.1
申请日:2015-01-27
Applicant: FEI公司
Inventor: B.布伊斯塞
CPC classification number: H01J37/226 , H01J37/20 , H01J37/228 , H01J37/26 , H01J37/261 , H01J2237/14 , H01J2237/20207 , H01J2237/20214 , H01J2237/223 , H01J2237/2602
Abstract: 相关光学和带电粒子显微镜。本发明涉及装配有TEM柱和光显微镜(10)的相关光和电子显微镜(CLEM),所述光显微镜安装在TEM的物镜的极靴(8A、8B)之间。为了扩大针对增强的灵敏度的接受立体角而使用截短的透镜。应注意的是这并不意味着透镜示出像散(其并不是圆筒形透镜)。本发明还教导在样本(1)处于第一方向上的情况下使用光显微镜来制作第一图像。由于两个方向(312x,312y)上的透镜的不同NA,此图像将在一个方向上示出比在与之垂直的方向上更高的(衍射限制)分辨率。通过使样本旋转并制作第二图像,可以形成与在其中其示出低NA的方向上的图像中的任一个相比示出更好分辨率的组合图像。
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