中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

19 records (took 0.119 seconds)

    Halbleiterbauelement mit Metallisierungsstapel mit sehr kleinem ε (ULK) mit reduzierter Wechselwirkung zwischen Chip und Gehäuse
    13.
    发明专利
    Halbleiterbauelement mit Metallisierungsstapel mit sehr kleinem ε (ULK) mit reduzierter Wechselwirkung zwischen Chip und Gehäuse 未知

    公开(公告)号：DE102010030759B4

    公开(公告)日：2018-10-18

    申请号：DE102010030759

    申请日：2010-06-30

    Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

    Inventor： HUISINGA TORSTEN ,  HEINRICH JENS ,  FROHBERG KAI ,  FEUSTEL FRANK

    IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

    Abstract: Halbleiterbauelement mit:einem Metallisierungssystem (260) mit einer Metallleitungsschicht (220, 230), die über einem Substrat (201) ausgebildet ist, wobei die Metallleitungsschicht (230) eine Metallleitung (235) aufweist, die lateral in einem porösen dielektrischen Material (231) eingebettet ist, wobei das Metallisierungssystem (260) ferner eine Kontaktdurchführungsschicht (240) umfasst, die eine Kontaktdurchführung (245) enthält, die mit der Metallleitung (235) in Verbindung steht und die lateral in einem nicht-porösen dielektrischen Material (241) entlang der Höhe der Kontaktdurchführung (245) eingebettet ist und das nicht-poröse dielektrische Material (241) eine Ätzstoppschicht (242) und mindestens ein weiteres Material, das zumindest lokal an der Kontaktdurchführung (245) ausgebildet ist, aufweist, wobei das mindestens eine weitere Material Materialbereiche (241A, 241B) bildet, wovon jeder lateral in einem weiteren porösen dielektrischen Material eingebettet ist; undeiner Höckerstruktur (210), die ausgebildet ist, mit einer komplementären Kontaktstruktur eines Gehäusesubstrats unter Anwendung eines bleifreien Lotmaterials verbunden zu werden.

    Verfahren, das ein Entfernen einer Hartmaske von einer Halbleiterstruktur und ein Spülen der Halbleiterstruktur mit einer alkalischen Spüllösung umfasst
    14.
    发明专利
    Verfahren, das ein Entfernen einer Hartmaske von einer Halbleiterstruktur und ein Spülen der Halbleiterstruktur mit einer alkalischen Spüllösung umfasst 未知

    公开(公告)号：DE102014209461A1

    公开(公告)日：2014-11-27

    申请号：DE102014209461

    申请日：2014-05-19

    Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

    Inventor： MIETH OLIVER ,  HUISINGA TORSTEN ,  PETERS CARSTEN ,  HINTZE BERND ,  BONSDORF GRIT

    IPC: H01L21/768 ,  H01L21/283

    Abstract: Ein Verfahren umfasst ein Bereitstellen einer Halbleiterstruktur. Die Halbleiterstruktur umfasst ein elektrisch leitfähiges Strukturelement, das ein erstes Metall enthält, ein dielektrisches Material, das sich über dem elektrisch leitfähigen Strukturelement befindet und eine Hartmaske. Die Hartmaske enthält ein Hartmaskenmaterial und befindet sich über dem dielektrischen Material. In dem Zwischenschichtdielektrikum und der Hartmaske befindet sich eine Öffnung. Ein Teil des elektrisch leitfähigen Strukturelements liegt am Boden der Öffnung frei. Die Hartmaske wird entfernt. Das Entfernen der Hartmaske umfasst ein Aussetzen der Halbleiterstruktur an eine Ätzlösung, die Wasserstoffperoxid und ein Korrosionsschutzmittel enthält. Nach dem Entfernen der Hartmaske wird die Halbleiterstruktur gespült. Das Spülen der Halbleiterstruktur umfasst ein Aussetzen der Halbleiterstruktur an eine alkalische Spüllösung.

    Halbleiterbauelement mit Durchgangskontaktierungen mit einem Verspannungsrelaxationsmechanismus und Verfahren zur Herstellung eines solchen
    15.
    发明专利
    Halbleiterbauelement mit Durchgangskontaktierungen mit einem Verspannungsrelaxationsmechanismus und Verfahren zur Herstellung eines solchen 未知

    公开(公告)号：DE102010030760B4

    公开(公告)日：2014-07-24

    申请号：DE102010030760

    申请日：2010-06-30

    Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

    Inventor： HUISINGA TORSTEN ,  GRILLBERGER MICHAEL ,  HAHN JENS

    IPC: H01L23/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52

    Abstract: Halbleiterbauelement mit: einem Substrat mit einer Vorderseite und einer Rückseite; einer Durchgangskontaktierung, die in dem Substrat so ausgebildet ist, dass sie sich zumindest zu der Rückseite erstreckt, wobei die Durchgangskontaktierung eine dielektrische Schicht aufweist, die in Kontakt mit dem Substrat und einem metallenthaltenden leitenden Füllmaterial ausgebildet ist; und einem Verspannungsrelaxationsmechanismus, der in Kontakt mit der Durchgangskontaktierung ausgebildet und so gestaltet ist, dass eine thermisch hervorgerufene Verspannung, die durch eine Fehlanpassung der thermischen Ausdehnungskoeffizienten zwischen dem Substrat und dem leitenden Füllmaterial hervorgerufen wird, verringert wird, wobei der Verspannungsrelaxationsmechanismus zumindest einen Volumenausdehnungsbereich umfasst, der als ein Kontaktierungsbereich mit einer lokal erhöhten Breite und einer im Wesentlichen nicht variierenden Dicke des leitenden Füllmaterials vorgesehen ist.

    Selektive Größenreduzierung von Kontaktelementen in einem Halbleiterbauelement
    17.
    发明专利
    Selektive Größenreduzierung von Kontaktelementen in einem Halbleiterbauelement 未知

    公开(公告)号：DE102010029533B3

    公开(公告)日：2012-02-09

    申请号：DE102010029533

    申请日：2010-05-31

    Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

    Inventor： FROHBERG KAI ,  RICHTER RALF ,  HUISINGA TORSTEN ,  REICHE KATRIN

    IPC: H01L21/283 ,  H01L29/40

    Abstract: Verfahren zur Herstellung von Kontaktelementen eines Halbleiterbauelements, wobei das Verfahren umfasst: Bilden einer ersten Kontaktöffnung in einem dielektrischen Zwischenschichtmaterial, derart dass sich die erste Kontaktöffnung zu einer ersten dielektrischen Schicht erstreckt, die unter einer zweiten dielektrischen Schicht des dielektrischen Zwischenschichtmaterials ausgebildet ist; Bilden einer Beschichtung an Seitenwänden und an einer Unterseite der ersten Kontaktöffnung derart, dass eine Breite der ersten Kontaktöffnung reduziert wird, Bilden einer zweiten Kontaktöffnung in dem dielektrischen Zwischenschichtmaterial nach dem Herstellen der Beschichtung derart, dass sich die zweite Kontaktöffnung zu der ersten dielektrischen Schicht erstreckt; Entfernen der Beschichtung von der Unterseite, so dass die erste dielektrische Schicht freigelegt wird; gemeinsames Vergrößern einer Tiefe der ersten und der zweiten Kontaktöffnung durch Ätzen durch die erste dielektrische Schicht derart, dass sie eine Verbindung zu einem entsprechenden ersten und einem zweiten Kontaktgebiet herstellen; und Füllen der ersten und der zweiten Kontaktöffnung mit einem leitenden...

Patent Agency Ranking