公开(公告)号：DE102012201025B4

公开(公告)日：2018-05-09

申请号：DE102012201025

申请日：2012-01-25

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： RICHTER RALF ,  HUISINGA TORSTEN ,  HEINRICH JENS

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines CMOS-Bauelements auf einem Halbleitersubstrat (102), das ein erstes Transistorgebiet (101) und ein zweites Transistorgebiet (103) aufweist, wobei das Verfahren umfasst:Bilden einer ersten Schicht eines ersten verspannungsinduzierenden Materials (140) über dem ersten Transistorgebiet (101) und dem zweiten Transistorgebiet (103);Entfernen von Bereichen der ersten Schicht über dem zweiten Transistorgebiet (103);isotropes Ätzen von Bereichen der ersten Schicht (140) über dem ersten Transistorgebiet (101) nach dem Entfernen der Bereiche der ersten Schicht (140) über dem zweiten Transistorgebiet (103), um die Kanten der ersten Schicht abzurunden;Bilden einer zweiten Schicht aus dielektrischem Material (150) über dem ersten Transistorgebiet (101) und dem zweiten Transistorgebiet (103), wobei nach dem Abrunden der Kanten der ersten Schicht die zweite Schicht aus dielektrischem Material (150) über dem ersten Transistorgebiet (101) über der ersten Schicht aus verspannungsinduzierenden Material (140) gebildet wird; undBilden von leitenden Kontakten (170) in der ersten Schicht (140) und der zweiten Schicht aus dielektrischem Material (150) über dem ersten Halbleitergebiet (101), wobei die leitenden Kontakte (170) elektrisch mit dotierten Gebieten (120), die in dem Halbleitersubstrat (102) ausgebildet sind, verbunden sind.

公开(公告)号：DE102011089322A1

公开(公告)日：2012-06-28

申请号：DE102011089322

申请日：2011-12-21

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： RICHTER RALF ,  HUISINGA TORSTEN

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements beginnt damit, dass eine-N-Metall-Oxid-Halbleiter-(NMOS-)Transistorstruktur auf einer Halbleiterscheibe hergestellt wird. Das Verfahren geht weiter, indem eine optisch reflektierende Schicht über der NMOS-Transistorstruktur hergestellt wird, eine Schicht aus Zugverspannung induzierendem Material über der optisch reflektierenden Schicht hergestellt wird und die Schicht aus Zugverspannung induzierendem Material ausgehärtet wird, indem diese mit Ultraviolettstrahlung behandelt wird. Ein gewisser Anteil der Ultraviolettstrahlung trifft direkt auf die Schicht aus Zugverspannung induzierendem Material auf und ein gewisser Anteil der Ultraviolettstrahlung bestrahlt die Schicht aus Zugverspannung induzierendem Material durch Reflexion an der optisch reflektierenden Schicht.

公开(公告)号：DE102010030760A1

公开(公告)日：2012-01-05

申请号：DE102010030760

申请日：2010-06-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： HUISINGA TORSTEN ,  GRILLBERGER MICHAEL ,  HAHN JENS

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

Abstract: In einem Halbleiterbauelement werden Durchgangskontaktierungen oder Siliziumdurchgangskontaktierungen (TSV) so hergestellt, dass diese einen effizienten Verspannungsrelaxationsmechanismus aufweisen, beispielsweise auf der Grundlage einer Verspannungsrelaxationsschicht, um damit Verspannungskräfte zu reduzieren oder zu kompensieren, die durch eine ausgeprägte Änderung im Volumen der leitenden Füllmaterialien in den Durchgangskontaktierungen hervorgerufen werden. Auf diese Weise wird die hohe Wahrscheinlichkeit des Erzeugens von Rissen oder Materialablösungen, wie sie in konventionellen Halbleiterbauelementen auftritt, deutlich verringert.

公开(公告)号：DE102010030757B4

公开(公告)日：2019-03-28

申请号：DE102010030757

申请日：2010-06-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： HUISINGA TORSTEN ,  GRILLBERGER MICHAEL ,  FEUSTEL FRANK

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: Verfahren mit:Bilden einer Öffnung in einem dielektrischen Material mit sehr kleinem ε (231), das in einer Metallisierungsschicht (230) eines Halbleiterbauelements (200) ausgebildet ist, durch Ausführen einer Prozesssequenz, die mindestens einen Ätzprozess enthält, der eine modifizierte Materialschicht (231M) auf allen freiliegenden Oberflächenbereichen innerhalb der Öffnung erzeugt;Bilden eines leitenden metallenthaltenden Materials (232A, 232B) in der Öffnung angrenzend zu der modifizierten Materialschicht (231M) durch Bilden einer leitenden Barrierenschicht (232A) auf der modifizierten Materialschicht (231M) und Bilden eines Füllmetalls (232B) auf der leitenden Barrierenschicht (231M), so dass ein Metallgebiet (232) in der Öffnung hergestellt wird;Entfernen der modifizierten Materialschicht (231M), mittels eines selektiven nasschemischen Ätzprozesses (203) unter Verwendung von HCl, von zumindest einem Teil der Seitenwände (232S) der Öffnung in Anwesenheit des Metallgebiets (232) derart, dass Spalte (235) angrenzend zu dem Metallgebiet (232) gebildet werden, wobei eine Tiefe (235D) der Spalte (235) derart im Hinblick auf die Ätzzeit gesteuert wird, dass ein Unterätzen des Metallgebiets (232) vermieden wird; undBilden einer dielektrischen Materialschicht (231A, 243) über der Metallisierungsschicht (230) derart, dass die Spalte (235) geschlossen werden.

公开(公告)号：DE102014209002A1

公开(公告)日：2015-08-20

申请号：DE102014209002

申请日：2014-05-13

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： MIETH OLIVER ,  PETERS CARSTEN ,  HUISINGA TORSTEN

IPC: H01L21/768

Abstract: Es werden Verfahren zum Herstellen integrierter Schaltungen bereitgestellt. In einem Beispiel umfasst ein Verfahren zum Herstellen einer integrierten Schaltung ein Verdichten eines oberen Oberflächenbereichs einer ILD-Schicht aus dielektrischem Material, die eine Metallisierungsschicht über einem Halbleitersubstrat überlagert, um eine verdichtete Oberflächenschicht aus dielektrischem Material zu bilden. Die verdichtete Oberflächenschicht und die ILD-Schicht werden durchgeätzt, um eine Metallleitung der Metallisierungsschicht freizulegen.

公开(公告)号：DE102011089322B4

公开(公告)日：2015-02-05

申请号：DE102011089322

申请日：2011-12-21

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： RICHTER RALF ,  HUISINGA TORSTEN

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements, wobei das Verfahren umfasst: Herstellen einer N-Metall-Oxid-Halbleiter-(NMOS-)Transistorstruktur auf einer Halbleiterscheibe, wobei die NMOS-Transistorstruktur freiliegende Anschlusskontaktgebiete aufweist; Modifizieren optisch reflektierender Eigenschaften der freiliegenden Anschlusskontaktgebiete durch Anwenden eines sauerstoffenthaltenden Plasmas auf die freiliegenden Anschlusskontaktgebiete zur Erzeugung optisch reflektierender Gebiete der NMOS-Transistorstruktur; Herstellen einer Schicht aus Zugverspannung induzierendem Material über den optisch reflektierenden Gebieten; und Aushärten der Schicht aus Zugverspannung induzierendem Material durch Anwenden von Ultraviolettstrahlung derart, dass ein gewisser Anteil der Ultraviolettstrahlung die Schicht aus Zugverspannung induzierendem Material direkt bestrahlt, und derart, dass ein gewisser Anteil der Ultraviolettstrahlung die Schicht aus Zugverspannung induzierendem Material durch Reflexion an den optisch reflektierenden Gebieten bestrahlt.

公开(公告)号：DE102014201446A1

公开(公告)日：2014-09-11

申请号：DE102014201446

申请日：2014-01-28

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： HUISINGA TORSTEN ,  PETERS CARSTEN ,  OTT ANDREAS ,  PREUSSE AXEL

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/283 ,  H01L21/60 ,  H01L23/52 ,  H01L29/41

Abstract: Es werden integrierte Schaltungen und Verfahren zum Herstellen integrierter Schaltungen bereitgestellt. In einer beispielhaften Ausführungsform umfasst ein Verfahren zum Bilden integrierter Schaltungen ein Bilden einer Metallkontaktstruktur, die mit einer Vorrichtung elektrisch verbunden ist. Auf der Metallkontaktstruktur wird selektiv eine Deckschicht gebildet und über der Deckschicht wird ein Zwischenschichtdielektrikummaterial abgeschieden. Über dem Zwischenschichtdielektrikummaterial wird eine Metallhartmaske abgeschieden und strukturiert, um einen freiliegenden Bereich des Zwischenschichtdielektrikummaterials festzulegen. Das Verfahren ätzt den freiliegenden Bereich des Zwischenschichtdielektrikummaterials, um wenigstens einen Bereich der Deckschicht freizulegen. Das Verfahren umfasst ein Entfernen der Metallhartmaske mit einem Ätzmittel, während die Deckschicht die Metallkontaktstruktur von dem Ätzmittel physikalisch trennt. Ein Metall wird abgeschieden, um eine leitfähige Durchführung zu bilden, die mit der Metallkontaktstruktur durch die Deckschicht elektrisch verbunden ist.

公开(公告)号：DE102011002769B4

公开(公告)日：2013-03-21

申请号：DE102011002769

申请日：2011-01-17

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： HEINRICH JENS ,  RICHTER RALF ,  HUISINGA TORSTEN ,  FROHBERG KAI

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/768 ,  H01L29/45

Abstract: Verfahren mit: Bilden einer dielektrischen Schicht über einem Schaltungselement, das ein in einem Halbleitergebiet ausgebildetes Kontaktgebiet aufweist; Bilden eines Kontaktelements in der dielektrischen Schicht derart, dass es eine Verbindung zu dem Kontaktgebiet herstellt, wobei das Kontaktelement ein erstes leitendes Material aufweist; Bilden einer Vertiefung in dem Kontaktelement durch Entfernen eines Teils des ersten leitenden Materials; Bilden eines Grabens in der dielektrischen Schicht nach dem Bilden der Vertiefung, wobei der Graben mit dem Kontaktelement in Verbindung steht; Bilden einer Barrierenmaterialschicht in der Vertiefung; und Füllen der Vertiefung mit einem zweiten leitenden Material, das sich von dem ersten leitenden Material unterscheidet, nach dem Bilden der Barrierenmaterialschicht.

公开(公告)号：DE102010038744B4

公开(公告)日：2012-08-30

申请号：DE102010038744

申请日：2010-07-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： RICHTER RALF ,  LENSKI MARKUS ,  HUISINGA TORSTEN

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/311

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines dielektrischen Zwischenschichtmaterialssystems eines Halbleiterbauelements, wobei das Verfahren umfasst: Entfernen eines ersten Teils einer ersten verformungsinduzierenden Schicht von einem ersten Bauteilbereich und Bewahren eines zweiten Teils der ersten verformungsinduzierenden Schicht, der über einem zweiten Bauteilbereich ausgebildet ist; Bilden einer zweiten verformungsinduzierenden Schicht über dem zweiten Teil und dem ersten Bauteilbereich; Bilden eines Ätzstoppmaterials; danach Ausführen eines Abtragungsprozesses derart, dass ein erster Teil der zweiten verformungsinduzierenden Schicht, der über dem ersten Bauteilbereich ausgebildet ist, bewahrt wird und Material eines zweiten Teils der zweiten verformungsinduzierenden Schicht, der über dem zweiten Teil der ersten verformungsinduzierenden Schicht ausgebildet ist, entfernt wird, wobei der Abtragungsprozess Bilden einer Ätzmaske derart, dass der erste Bauteilbereich abgedeckt ist, durch Strukturieren des Ätzstoppmaterials mittels einer Lackmaske umfasst; Ausführen eines nasschemischen Ätzprozesses in Anwesenheit der Ätzmaske derart, dass weiteres Material des zweiten Teils der zweiten verformungsinduzierenden Schicht abgetragen wird; und...

公开(公告)号：DE102012201025A1

公开(公告)日：2012-08-09

申请号：DE102012201025

申请日：2012-01-25

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： RICHTER RALF ,  HUISINGA TORSTEN ,  HEINRICH JENS

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768

Abstract: Es werden Fertigungsverfahren für Halbleiterbauteilstrukturen bereitgestellt. Ein Verfahren für das Herstellen einer Halbleiterbauteilstruktur, die eine Gatestruktur über einem Halbleitersubstrat und ein dotiertes Gebiet aufweist, das in dem Halbleitersubstrat benachbart zu der Gatestruktur ausgebildet ist, umfasst die Schritte: Bilden einer ersten Schicht aus dielektrischem Material über der Gatestruktur und dem dotierten Gebiet, isotropes Ätzen der ersten Schicht aus dielektrischem Material, Bilden einer zweiten Schicht aus dielektrischem Material über der ersten Schicht aus dielektrischem Material nach dem isotropen Ätzen der ersten Schicht, und Bilden eines leitenden Kontakts, der elektrisch mit dem dotierten Gebiet in der ersten Schicht und der zweiten Schicht verbunden ist.