公开(公告)号：GB2485495B

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：GB201200880

申请日：2010-08-30

Applicant: IBM

Inventor： BJOERK MIKAEL T ,  KARG SIEGFRIED FRIEDRICH ,  KNOCH JOACHIM ,  RIEL HEIKE E ,  RIESS WALTER H ,  SOLOMON PAUL M

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: An indirectly induced tunnel emitter for a tunneling field effect transistor (TFET) structure includes an outer sheath that at least partially surrounds an elongated core element, the elongated core element formed from a first semiconductor material; an insulator layer disposed between the outer sheath and the core element; the outer sheath disposed at a location corresponding to a source region of the TFET structure; and a source contact that shorts the outer sheath to the core element; wherein the outer sheath is configured to introduce a carrier concentration in the source region of the core element sufficient for tunneling into a channel region of the TFET structure during an on state.

公开(公告)号：DE112010003495T5

公开(公告)日：2012-09-20

申请号：DE112010003495

申请日：2010-08-30

Applicant: IBM

Inventor： KARG SIEGFRIED ,  BJOERK MIKAEL T ,  KNOCH JOACHIM ,  RIEL HEIKE ,  RIESS WALTER H ,  SOLOMON PAUL M

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: Ein indirekt induzierter Tunnelemitter für eine Tunnelfeldeffekttransistor(TFET)-Struktur umfasst einen äußeren Mantel, der zumindest teilweise ein längliches Kernelement umgibt, wobei das längliche Kernelement aus einem ersten Halbleitermaterial gebildet ist; eine Isolatorschicht, die zwischen dem äußeren Mantel und dem Kernelement angeordnet ist; wobei der äußere Mantel an einer Stelle angeordnet ist, die einer Source-Zone der TFET-Struktur entspricht; und einen Source-Kontakt, der den äußeren Mantel mit dem Kernelement kurzschließt; wobei der äußere Mantel so aufgebaut ist, dass er in die Source-Zone des Kernelements eine Ladungsträgerkonzentration einführt, die zum Tunneln in eine Kanalzone der TFET-Struktur während eines EIN-Zustands ausreicht.