公开(公告)号：DE112021000300T5

公开(公告)日：2022-11-10

申请号：DE112021000300

申请日：2021-02-01

Applicant: IBM

Inventor： DANG BING ,  PANCOAST LEANNA ,  NAH JAE-WOONG ,  KNICKERBOCKER JOHN

IPC: H01M10/0585 ,  H01M10/0525

Abstract: Es werden Mikrobatterien und Verfahren zum Bilden von Mikrobatterien bereitgestellt. Die Mikrobatterien und die Verfahren gehen zumindest eines oder beides von Randversiegelungsproblemen für Ränder eines Stapels, der einen Teil einer Mikrobatterie bildet, und einer Gesamtversiegelung für einzelne Zellen für Mikrobatterien in einem Chargenverfahren an. In einem Beispiel werden eine versetzbare Lötmittel-Formvorrichtung und eine Versiegelungsstruktur vorgeschlagen, um ein Metallgehäuse für eine Festkörper-Dünnschicht-Mikrobatterie bereitzustellen. Ein beispielhaftes vorgeschlagenes Verfahren umfasst Abscheiden oder Vorformen eines Niedertemperatur-Lötmittel-Gehäuses separat von den Mikrobatterien. Anschließend kann eine thermische Kompression angewendet werden, um das Lötmittelgehäuse zu jeder Batteriezelle zu überführen, in einem Beispiel mit einer Handhabungsvorrichtung in einem Chargenverfahren. Durch diese beispielhaften Ausführungsformen können die Temperaturtoleranzbeschränkungen für eine Festkörper-Dünnschichtbatterie während der Handhabung, der Metallversiegelung und der Verkapselung angegangen werden.

公开(公告)号：DE112016004442T5

公开(公告)日：2018-06-14

申请号：DE112016004442

申请日：2016-12-02

Applicant: IBM

Inventor： KNICKERBOCKER JOHN ,  GELORME JEFFREY DONALD ,  HUNG LI-WEN ,  ANDRY PAUL ,  DANG BING ,  YANG CORNELIA TSANG

IPC: H01L23/32

Abstract: Verschiedene Ausführungsformen verarbeiten Halbeitereinheiten (202, 302). In einer Ausführungsform wird eine Ablösungsschicht (210) auf eine Handhabungsvorrichtung (204) aufgebracht. Die Ablösungsschicht (210) weist mindestens einen Zusatzstoff auf, der eine Frequenz einer elektromagnetischen Strahlungsabsorptionseigenschaft der Ablösungsschicht (210) einstellt. Der Zusatzstoff weist beispielsweise einen chemischen Absorber für 355 nm und/oder einen chemischen Absorber für eine von mehreren Wellenlängen in einem Bereich auf, der 600 nm bis 740 nm umfasst. Die mindestens eine vereinzelte Halbleitereinheit (202) wird an die Handhabungsvorrichtung (204) gebondet. Die mindestens eine vereinzelte Halbleitereinheit (202) wird eingehaust, während sie an die Handhabungsvorrichtung (204) gebondet ist. Die Ablösungsschicht (210) wird durch Bestrahlen der Ablösungsschicht durch die Handhabungsvorrichtung (204) hindurch mit einem Laser (214) abgetragen. Die mindestens eine vereinzelte Halbleitereinheit (202) wird, nachdem die Ablösungsschicht (210) abgetragen wurde, von der transparenten Handhabungsvorrichtung (204) entfernt.

公开(公告)号：DE112012001114B4

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：DE112012001114

申请日：2012-03-08

Applicant: IBM

Inventor： DANG BING ,  PENG HONGBO

IPC: H01L21/82 ,  B82Y15/00 ,  G01N27/414 ,  G01N33/487 ,  H01L27/04

Abstract: Verfahren zum Bilden eines Nanoporenfelds, wobei das Verfahren aufweist: Strukturieren einer vorderen Schicht eines Substrats, um vordere Gräben zu bilden, wobei das Substrat eine vergrabene Schicht enthält, die zwischen der vorderen Schicht und einer hinteren Schicht angeordnet ist; Abscheiden einer Membranschicht über der strukturierten vorderen Schicht und in den vorderen Gräben; Strukturieren der hinteren Schicht und der vergrabenen Schicht, um hintere Gräben zu bilden, wobei die hinteren Gräben an den vorderen Gräben ausgerichtet sind; Bilden einer Vielzahl von Nanoporen des Nanoporenfelds durch die Membranschicht; Abscheiden eines Opfermaterials in den vorderen Gräben und den hinteren Gräben; Abscheiden einer vorderen und hinteren Isolationsschicht über dem Opfermaterial; und Erhitzen des Opfermaterials auf eine Zersetzungstemperatur des Opfermaterials, um das Opfermaterial zu entfernen und Paare von vorderen und hinteren Kanälen zu bilden, wobei der vordere Kanal jedes Kanalpaars über eine einzelne Nanopore mit dem hinteren Kanal seines jeweiligen Kanalpaars verbunden ist.

公开(公告)号：GB2504041B

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：GB201319326

申请日：2012-03-08

Applicant: IBM

Inventor： DANG BING ,  PENG HONGBO

IPC: H01L51/10 ,  B82Y15/00 ,  G01N27/403 ,  G01N27/414 ,  H01L21/70 ,  H01L51/56

Abstract: A method of forming a nanopore array includes patterning a front layer of a substrate to form front trenches, the substrate including a buried layer disposed between the front layer and a back layer; depositing a membrane layer over the patterned front layer and in the front trenches; patterning the back layer and the buried layer to form back trenches, the back trenches being aligned with the front trenches; forming a plurality of nanopores through the membrane layer; depositing a sacrificial material in the front trenches and the back trenches; depositing front and back insulating layers over the sacrificial material; and heating the sacrificial material to a decomposition temperature of the sacrificial material to remove the sacrificial material and form pairs of front and back channels, wherein the front channel of each channel pair is connected to the back channel of its respective channel pair by an individual nanopore.

公开(公告)号：GB2504041A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：GB201319326

申请日：2012-03-08

Applicant: IBM

Inventor： DANG BING ,  PENG HONGBO

IPC: H01L51/10 ,  B82Y15/00 ,  G01N27/403 ,  G01N27/414 ,  H01L21/70 ,  H01L51/56

Abstract: A method of forming a nanopore array includes patterning a front layer of a substrate to form front trenches, the substrate including a buried layer disposed between the front layer and a back layer; depositing a membrane layer over the patterned front layer and in the front trenches; patterning the back layer and the buried layer to form back trenches, the back trenches being aligned with the front trenches; forming a plurality of nanopores through the membrane layer; depositing a sacrificial material in the front trenches and the back trenches; depositing front and back insulating layers over the sacrificial material; and heating the sacrificial material to a decomposition temperature of the sacrificial material to remove the sacrificial material and form pairs of front and back channels, wherein the front channel of each channel pair is connected to the back channel of its respective channel pair by an individual nanopore.