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    Stud bumps for post-measurement qubit frequency modification
    2.
    发明专利
    Stud bumps for post-measurement qubit frequency modification 未知

    公开(公告)号：AU2020224954A1

    公开(公告)日：2021-09-30

    申请号：AU2020224954

    申请日：2020-02-11

    Applicant: IBM

    Inventor： BRONN NICHOLAS TORLEIV ,  HERTZBERG JARED BARNEY ,  LEWANDOWSKI ERIC PETER ,  NAH JAE-WOONG

    IPC: G06N10/00 ,  G01R1/067 ,  H01L21/66 ,  H01L23/00

    Abstract: According to an embodiment of the present invention, a method of producing a quantum computer chip includes performing a frequency measurement on a qubit chip bonded to a test interposer chip for qubits on the qubit chip at an operating temperature of the qubit chip. The method further includes pulling the qubit chip apart from the test interposer chip after performing the frequency measurement, and modifying a frequency of a subset of qubits after pulling the qubit chip apart from the test interposer chip. The method further includes bonding the qubit chip to a device interposer chip after modifying the frequency of the subset of qubits.

    Bilden von Metall-Nanokugeln und Mikrokugeln
    3.
    发明专利
    Bilden von Metall-Nanokugeln und Mikrokugeln 未知

    公开(公告)号：DE112012003625T5

    公开(公告)日：2014-05-15

    申请号：DE112012003625

    申请日：2012-08-29

    Applicant: IBM

    Inventor： HONG AUGUSTIN J ,  JUNG WOO-SHIK ,  DEVENDRA SADANA K ,  KIM JEEHWAN ,  NAH JAE-WOONG

    IPC: H01L51/40

    Abstract: Es werden Halbkugeln (18) und Kugeln (28) gebildet und für eine Vielzahl von Anwendungen verwendet. Halbkugeln (18) werden verwendet, um ein Substrat zu bilden, welches eine obere Fläche und eine untere Fläche (12) aufweist. Die obere Fläche umfasst Spitzen von Säulen (10), welche einen Boden aufweisen, der an der unteren Fläche angebracht ist. Die Spitzen weisen eine Dichte auf, die an der oberen Fläche durch ein Feld von halbkugelförmigen Metallstrukturen (18) definiert ist, welche während eines Ätzverfahrens zum Entfernen von Substratmaterial herunter bis zu der unteren Fläche während des Bildens der Säulen als Maske fungieren. Die Säulen sind dicht und gleichmäßig und weisen einen mittleren Durchmesser im Mikromaßstab auf. Die Kugeln werden als unabhängige Metallkugeln oder Nanoteilchen für andere Anwendungen gebildet.

    SYSTEM UND VERFAHREN ZUM BILDEN VON LÖTPERLEN
    4.
    发明专利
    SYSTEM UND VERFAHREN ZUM BILDEN VON LÖTPERLEN 未知

    公开(公告)号：DE112020002985T5

    公开(公告)日：2022-03-10

    申请号：DE112020002985

    申请日：2020-06-17

    Applicant: IBM

    Inventor： LEWANDOWSKI ERIC PETER ,  NAH JAE-WOONG ,  YAU JENG-BANG ,  SORCE PETER JEROME

    IPC: H01L21/60 ,  B82Y10/00 ,  G06N10/40 ,  H01L21/58 ,  H01L23/485 ,  H01L23/498 ,  H01L23/50 ,  H01L39/22

    Abstract: Ein Verfahren zum Bilden einer Lötperle (122) schließt Vorbereiten einer Transferform (100), die eine Lötmittelsäule (112) aufweist, die sich von einem Formsubstrat (102) und durch eine erste Photoresistschicht (104) erstreckt und eine Form aufweist, die zum Teil durch eine zweite Photoresistschicht (108) definiert wird, die vor dem Überführen des Lötmittels entfernt wird; Bereitstellen eines Einheitensubstrats (114) mit einer benetzbaren Anschlussfläche (120); Anordnen der Transferform (100) und des Einheitensubstrats (114) in ausgerichtetem Kontakt, so dass die Lötmittelsäule (112) in Kontakt mit der benetzbaren Anschlussfläche (120) steht; Bilden einer metallischen Verbindung zwischen der Lötmittelsäule (112) und der benetzbaren Anschlussfläche (120), z.B. durch ein Kaltschweißverfahren oder ein Aufschmelzverfahren; und Entfernen des Formsubstrats (102) und der ersten Photoresistschicht (104) ein. Das Formsubstrat (102) und die Transferform (100) können flexibel sein. Die Transferform kann wenigstens eines aufweisen von: eine Benetzungsschicht über dem Formsubstrat (402), in welchem Fall eine Säule (112), die Aluminium enthält, aufgebracht und aufgeschmolzen werden kann; eine Keimschicht über dem Formsubstrat (402); und eine nichtbenetzende Schicht über der zweiten Photoresistschicht (408). Das Einheitensubstrat (114, 502) kann ein Durchgangsloch (118, 504) aufweisen und kann ein Interposer sein, der aus Silicium, Glas und/oder organischem Substratmaterial hergestellt ist. Das Verfahren kann ferner Befestigen des Interposers (114, 502) an eine Qubit-Halbleitereinheit (einen supraleitenden Chip) (300, 516) einschließen, wobei die Qubit-Halbleitereinheit (300, 516) einen Josephson-Übergang (304, 518) aufweist und wobei das Befestigen des Interposers (114, 502) an der Qubit-Halbleitereinheit (300, 516) Ausrichten des Lochs (118, 504) durch den Interposer (114, 502) auf den Josephson-Übergang (304, 518) einschließt, um einen Weg zum Zugang zu dem Josephson-Übergang (304, 518), insbesondere für die Durchführung von Einstellungen seiner baueigenen Frequenz, bereitzustellen. Die Lötmittelsäule (122) kann eine aus einer Mehrzahl von Lötmittelsäulen sein, die um das Loch (118) zwischen der Qubit-Halbleitereinheit (300) und dem Interposer (114) gebildet sind, um ein Maß an Wärmeisolation des Josephson-Übergangs (304) bereitzustellen, die eine kreisförmige Wand (200A, 200B) um die Qubits und zwischen dem Interposer (114) und dem supraleitenden Chip (300) bilden, wobei die kreisförmige Wand (200A, 200B) wenigstens eine hindurchgehende Lücke (202) aufweisen kann. Die Lötmittelsäule (122) kann eine aus einer Mehrzahl von Lötmittelsäulen (512) der Transferform sein, einschließlich einer ersten Lötmittelsäule (512) mit einem ersten Durchmesser und einer zweiten Lötmittelsäule (512) mit einem zweiten Durchmesser, wobei der erste Durchmesser größer als der zweite Durchmesser ist. Das Einheitensubstrat (602) kann ein Halbleitersubstrat aufweisen, das eine tiefe Vertiefung (604) aufweist, wobei eine Schaltungskomponente (608) in der tiefen Vertiefung (604) enthalten sein kann. Das Vorbereiten der Transferform (100) kann einschließen: Strukturieren der ersten und der

    VERKAPSELUNG UND HANDHABUNG ULTRADÜNNER MIKROBATTERIEN
    6.
    发明专利
    VERKAPSELUNG UND HANDHABUNG ULTRADÜNNER MIKROBATTERIEN 未知

    公开(公告)号：DE112021000300T5

    公开(公告)日：2022-11-10

    申请号：DE112021000300

    申请日：2021-02-01

    Applicant: IBM

    Inventor： DANG BING ,  PANCOAST LEANNA ,  NAH JAE-WOONG ,  KNICKERBOCKER JOHN

    IPC: H01M10/0585 ,  H01M10/0525

    Abstract: Es werden Mikrobatterien und Verfahren zum Bilden von Mikrobatterien bereitgestellt. Die Mikrobatterien und die Verfahren gehen zumindest eines oder beides von Randversiegelungsproblemen für Ränder eines Stapels, der einen Teil einer Mikrobatterie bildet, und einer Gesamtversiegelung für einzelne Zellen für Mikrobatterien in einem Chargenverfahren an. In einem Beispiel werden eine versetzbare Lötmittel-Formvorrichtung und eine Versiegelungsstruktur vorgeschlagen, um ein Metallgehäuse für eine Festkörper-Dünnschicht-Mikrobatterie bereitzustellen. Ein beispielhaftes vorgeschlagenes Verfahren umfasst Abscheiden oder Vorformen eines Niedertemperatur-Lötmittel-Gehäuses separat von den Mikrobatterien. Anschließend kann eine thermische Kompression angewendet werden, um das Lötmittelgehäuse zu jeder Batteriezelle zu überführen, in einem Beispiel mit einer Handhabungsvorrichtung in einem Chargenverfahren. Durch diese beispielhaften Ausführungsformen können die Temperaturtoleranzbeschränkungen für eine Festkörper-Dünnschichtbatterie während der Handhabung, der Metallversiegelung und der Verkapselung angegangen werden.

    Formation of metal nanospheres and microspheres
    7.
    发明专利
    Formation of metal nanospheres and microspheres 未知

    公开(公告)号：GB2508748A

    公开(公告)日：2014-06-11

    申请号：GB201403424

    申请日：2012-08-29

    Applicant: IBM

    Inventor： HONG AUGUSTIN J ,  JUNG WOO-SHIK ,  KIM JEEHWAN ,  NAH JAE-WOONG ,  SADANA DEVENDRA K

    IPC: H01L31/0352 ,  H01L51/40 ,  H01L51/42

    Abstract: Hemispheres (18) and spheres (28) are formed and employed for a plurality of applications. Hemispheres (18) are employed to form a substrate having an upper surface and a lower surface (12). The upper surface includes peaks of pillars (10) which have a base attached to the lower surface. The peaks have a density defined at the upper surface by an array of hemispherical metal structures (18) that act as a mask during an etch to remove substrate material down to the lower surface during formation of the pillars. The pillars are dense and uniform and include a microscale average diameter. The spheres are formed as independent metal spheres or nanoparticles for other applications.

    Formation of metal nanospheres and microspheres
    8.
    发明专利
    Formation of metal nanospheres and microspheres 未知

    公开(公告)号：GB2508748B

    公开(公告)日：2016-04-06

    申请号：GB201403424

    申请日：2012-08-29

    Applicant: IBM

    Inventor： HONG AUGUSTIN J ,  JUNG WOO-SHIK ,  KIM JEEHWAN ,  NAH JAE-WOONG ,  SADANA DEVENDRA K

    IPC: H01L31/0352 ,  H01L51/40 ,  H01L51/42

    Abstract: Hemispheres and spheres are formed and employed for a plurality of applications. Hemispheres are employed to form a substrate having an upper surface and a lower surface. The upper surface includes peaks of pillars which have a base attached to the lower surface. The peaks have a density defined at the upper surface by an array of hemispherical metal structures that act as a mask during an etch to remove substrate material down to the lower surface during formation of the pillars. The pillars are dense and uniform and include a microscale average diameter. The spheres are formed as independent metal spheres or nanoparticles for other applications.

    Direct IMS (injection molded solder) without a mask
    9.
    发明专利
    Direct IMS (injection molded solder) without a mask 未知

    公开(公告)号：GB2491739A

    公开(公告)日：2012-12-12

    申请号：GB201214867

    申请日：2011-01-19

    Applicant: IBM

    Inventor： GRUBER PETER ,  LAURO PAUL A ,  NAH JAE-WOONG

    IPC: H01L21/48 ,  H01L23/498 ,  H05K3/34

    Abstract: A substrate comprising a plurality of wet-able pads formed on a surface of the substrate; and a solder resist layer deposited on the surface of the substrate is obtained. At least the solder resist layer is formed with recessed regions defining volumes adjacent the wet-able pads. Molten solder is directly injected into the volumes adjacent the wet-able pads, such that the volumes adjacent the wet-able pads are filled with solder and the solder solidifies forming a plurality of solder structures adhered to the wet-able pads. The substrate and the solder are re-heated after the solidification, to re-flow the solder into generally spherical balls extending above the outer surface of the solder resist layer. In an alternative approach, solder injection and solidification are carried out in a nitrogen environment or a forming gas environment, and the reflow step may be omitted.

    Ultra-thin microbattery packaging and handling
    10.
    发明专利
    Ultra-thin microbattery packaging and handling 未知

    公开(公告)号：AU2021235525A1

    公开(公告)日：2022-08-18

    申请号：AU2021235525

    申请日：2021-02-01

    Applicant: IBM

    Inventor： DANG BING ,  PANCOAST LEANNA ,  NAH JAE-WOONG ,  KNICKERBOCKER JOHN

    IPC: H01M10/0525 ,  H01M10/0585

    Abstract: Microbatteries and methods for forming microbatteries are provided. The microbatteries and methods address at least one or both of edge sealing issues for edges of a stack forming part of a microbatteries and overall sealing for individual cells for microbatteries in a batch process. A transferable solder molding apparatus and sealing structure are proposed in an example to provide a metal casing for a solid-state thin-film microbattery. An exemplary proposed process involves deposition or pre-forming low-temperature solder casing separately from the microbatteries. Then a thermal compression may be used to transfer the solder casing to each battery cell, with a handler apparatus in a batch process in an example. These exemplary embodiments can address the temperature tolerance constrain for solid state thin film battery during handling, metal sealing, and packaging.

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