公开(公告)号：EP3028294A4

公开(公告)日：2016-10-19

申请号：EP14832804

申请日：2014-07-29

Applicant: IBM

Inventor： DANG BING ,  KNICKERBOCKER JOHN U ,  TSANG CORNELIA KANG-I

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/67132 ,  B23K26/36 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/6838 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381

Abstract: Structures and methods are provided for temporarily bonding handler wafers to device wafers using bonding structures that include one or more releasable layers which are laser-ablatable using mid-wavelength infrared radiation

Abstract translation: 提供的结构和方法用于使用包括一个或多个可使用中波长红外辐射激光可消除的可释放层的结合结构将处理器晶片临时粘合到器件晶片

公开(公告)号：DE112016000846T5

公开(公告)日：2017-11-09

申请号：DE112016000846

申请日：2016-02-15

Applicant: IBM

Inventor： PLOUCHART JEAN-OLIVIER ,  DANG BING ,  LIU DUIXIAN ,  VALDES-GARCIA ALBERTO

IPC: H01L25/065

Abstract: Eine Blockstruktur enthält ein Blocksubstrat (130) mit einem integrierten Wellenleiter und einen ersten und einen zweiten integrierten Schaltkreis (110, 120), die an dem Blocksubstrat (130) angebracht sind. Der erste integrierte Schaltkreis (110) ist mit dem integrierten Wellenleiter (132) unter Verwendung eines ersten Übergangs Übertragungsleitung (116) – zu Wellenleiter verbunden und der zweite integrierte Schaltkreis (120) ist mit dem integrierten Wellenleiter (132) unter Verwendung eines zweiten Übergangs Übertragungsleitung (126) – zu-Wellenleiter verbunden. Der erste und der zweite integrierte Schaltkreis (110, 120) sind so eingerichtet, dass sie durch Übertragen von Signalen unter Verwendung des integrierten Wellenleiters (132) in dem Blockträger Daten austauschen. Die Blockstruktur ermöglicht Datenübertragungen mit hoher Datenrate zwischen Blockkomponenten.

公开(公告)号：DE102016221191A1

公开(公告)日：2017-05-04

申请号：DE102016221191

申请日：2016-10-27

Applicant: IBM

Inventor： DANG BING ,  FRITZ GREGORY ,  LEWANDOWSKI ERIC ,  MARIA JOANA ,  WEBB BUCKNELL ,  WRIGHT STEVEN

IPC: A61M37/00 ,  B81B1/00

Abstract: Eine digitale biomedizinische Einheit umfasst ein Substrat, welches einen Hohlraum bildet, eine Versiegelung, welche um den Hohlraum herum ausgebildet ist, eine Abdeckung, welche durch die Versiegelung mit dem Substrat verbunden ist, eine reaktive Metallstruktur, welche eine Mehrzahl von Metallschichten aufweist, wobei die reaktive Metallstruktur eine Komponente des Substrats und/oder der Abdeckung ist, eine Metallspur, welche so konfiguriert ist, dass sie eine von selbst fortschreitende Reaktion zwischen der Mehrzahl von Metallschichten der reaktiven Metallstruktur auslöst und Inhalte des Hohlraums freisetzt, und eine Stromversorgung, welche so konfiguriert ist, dass sie einen elektrischen Strom auf die Metallspur anwendet.

公开(公告)号：DE112016000846B4

公开(公告)日：2024-12-12

申请号：DE112016000846

申请日：2016-02-15

Applicant: IBM

Inventor： VALDES-GARCIA ALBERTO ,  DANG BING ,  LIU DUIXIAN ,  PLOUCHART JEAN-OLIVIER

IPC: H01L25/065

Abstract: Eine Blockstruktur (200), die aufweist:ein Blocksubstrat, das einen integrierten Wellenleiter (132) aufweist; undeinen ersten integrierten Schaltkreis (110) und einen zweiten integrierten Schaltkreis (120), die an dem Blocksubstrat angebracht sind;wobei der erste integrierte Schaltkreis (110) unter Verwendung eines ersten Übertragungsleitung-zu-Wellenleiter-Übergangs (134) mit dem integrierten Wellenleiter (132) verbunden ist;wobei der zweite integrierte Schaltkreis (120) unter Verwendung eines zweiten Übertragungsleitung-zu-Wellenleiter-Übergangs (136) mit dem integrierten Wellenleiter (132) verbunden ist;wobei der erste und der zweite integrierte Schaltkreis (110, 120) so eingerichtet sind, dass sie unter Verwendung des integrierten Wellenleiters (132) in dem Blocksubstrat durch Übertragen von Signalen Daten austauschen; undeine Anwendungsplatine (140);wobei aktive Oberflächen des ersten und des zweiten integrierten Schaltkreises (110, 120) an dem Blocksubstrat angebracht sind, das den integrierten Wellenleiter (132) aufweist;wobei die Anwendungsplatine (140) an inaktiven Oberflächen des ersten und des zweiten integrierten Schaltkreises (110, 120) so angebracht ist, dass der erste und der zweite integrierte Schaltkreis (110, 120) zwischen der Anwendungsplatine (140) und dem Blocksubstrat angeordnet sind.

公开(公告)号：DE112020003130T5

公开(公告)日：2022-06-02

申请号：DE112020003130

申请日：2020-06-23

Applicant: IBM

Inventor： DANG BING ,  NARAYANAN RAJEEV

IPC: G06K19/07

Abstract: Gerät zum Erkennen einer Manipulation eines Produkts in einem Produktverpackungsmaterial. Das Gerät umfasst ein Netzwerk von Sensoren, die in das Produktverpackungsmaterial integriert sind; einen Mikrocontroller, wobei der Mikrocontroller so konfiguriert ist, dass er durch Zugriff auf die Sensoren des Sensornetzwerks die Manipulation des Produktverpackungsmaterials erkennt; und eine Kommunikationsvorrichtung zur Weitergabe von Informationen bezüglich eines Zustands des Produktverpackungsmaterials.

公开(公告)号：DE112016004442B4

公开(公告)日：2021-03-25

申请号：DE112016004442

申请日：2016-12-02

Applicant: IBM

Inventor： KNICKERBOCKER JOHN ,  GELORME JEFFREY DONALD ,  HUNG LI-WEN ,  ANDRY PAUL ,  DANG BING ,  YANG CORNELIA TSANG

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/56

Abstract: Verfahren zum Verarbeiten von Halbleitereinheiten, wobei das Verfahren Folgendes aufweist:Aufbringen (102) einer Ablösungsschicht (210) auf eine transparente Handhabungsvorrichtung (204),Bonden mindestens einer vereinzelten Halbleitereinheit (202) an die transparente Handhabungsvorrichtung,Einhausen (106) der mindestens einen vereinzelten Halbleitereinheit, während sie an die transparente Handhabungsvorrichtung gebondet ist,Abtragen (110) der Ablösungsschicht durch Bestrahlen der Ablösungsschicht durch die transparente Handhabungsvorrichtung hindurch mit einem Laser (214) undEntfernen (112) der mindestens einen vereinzelten Halbleitereinheit von der transparenten Handhabungsvorrichtung, nachdem die Ablösungsschicht abgetragen wurde,wobei die Ablösungsschicht mindestens ein Zusatzmaterial aufweist undwobei das mindestens eine Zusatzmaterial eine Frequenz einer elektromagnetischen Strahlungsabsorptionseigenschaft der Ablösungsschicht einstellt, wobei:das mindestens eine Zusatzmaterial ein erstes Zusatzmaterial und ein zweites Zusatzmaterial aufweist, wobei es sich bei dem ersten Zusatzmaterial um einen chemischen Absorber für eine Wellenlänge von 355 nm und bei dem zweiten Zusatzmaterial um einen chemischen Absorber für eine von mehreren Wellenlängen in einem Bereich handelt, der 600 nm bis 740 nm umfasst, und wobei das erste und das zweite Zusatzmaterial jeweils bei einer Temperatur von ≥ 250 °C thermisch stabil sind; oderes sich bei dem mindestens einen Zusatzmaterial um einen chemischen Absorber für 355 nm in einem Phenoxy-Basismaterial handelt, oderes sich bei dem mindestens einen Zusatzmaterial um 2,5-Bis(2-benzimidazolyl)-pyridin handelt; oderes sich bei dem mindestens einen Zusatzmaterial um Folgendes handelt:wobei R Methylcyclohexan oder n-Butyl ist; oderdas mindestens eine Zusatzmaterial chemischer Absorber für eine von mehreren Wellenlängen in einem Bereich ist, der 600 nm bis 740 nm umfasst, und vollständig in Cyclohexanon löslich ist.

公开(公告)号：AU2021235525A1

公开(公告)日：2022-08-18

申请号：AU2021235525

申请日：2021-02-01

Applicant: IBM

Inventor： DANG BING ,  PANCOAST LEANNA ,  NAH JAE-WOONG ,  KNICKERBOCKER JOHN

IPC: H01M10/0525 ,  H01M10/0585

Abstract: Microbatteries and methods for forming microbatteries are provided. The microbatteries and methods address at least one or both of edge sealing issues for edges of a stack forming part of a microbatteries and overall sealing for individual cells for microbatteries in a batch process. A transferable solder molding apparatus and sealing structure are proposed in an example to provide a metal casing for a solid-state thin-film microbattery. An exemplary proposed process involves deposition or pre-forming low-temperature solder casing separately from the microbatteries. Then a thermal compression may be used to transfer the solder casing to each battery cell, with a handler apparatus in a batch process in an example. These exemplary embodiments can address the temperature tolerance constrain for solid state thin film battery during handling, metal sealing, and packaging.

公开(公告)号：DE102021130633A1

公开(公告)日：2022-06-23

申请号：DE102021130633

申请日：2021-11-23

Applicant: IBM

Inventor： CHEN QIANWEN ,  NAH JAE-WOONG ,  DANG BING ,  PANCOAST LEANNA ,  KNICKERBOCKER JOHN

IPC: H01M50/119 ,  H01M50/159

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Mikrobatterie bereitgestellt. Das Verfahren umfasst Bilden einer Mikrobatterieeinheit durch Bilden einer ersten Metallanodendurchkontaktierung und einer ersten Metallkathodendurchkontaktierung in einem ersten Substrat, Bilden einer ersten Metallschicht auf einer Unterseite des ersten Substrats, Bilden eines ersten Batterieelements auf einer Oberseite des Substrats, Bilden einer Verkapselungsschicht um das erste Batterieelement herum, Bilden von Gräben durch die Verkapselungsschicht und das erste Substrat auf verschiedenen Seiten des ersten Batterieelements und Bilden einer Metallversiegelungsschicht in den Gräben, um zumindest eine Mehrzahl von Seitenwandflächen des ersten Batterieelements zu bedecken. Die Metallversiegelungsschicht ist durch die erste Metallschicht und die erste Metallkathodendurchkontaktierung elektrisch mit dem Batterieelement verbunden.

公开(公告)号：SG11201600462VA

公开(公告)日：2016-02-26

申请号：SG11201600462V

申请日：2014-07-29

Applicant: IBM

Inventor： DANG BING ,  KNICKERBOCKER JOHN U ,  TSANG CORNELIA KANG-I

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/683

Abstract: Structures and methods are provided for temporarily bonding handler wafers to device wafers using bonding structures that include one or more releasable layers which are laser-ablatable using mid-wavelength infrared radiation

公开(公告)号：DE112012001114T5

公开(公告)日：2014-01-09

申请号：DE112012001114

申请日：2012-03-08

Applicant: IBM

Inventor： DANG BING ,  PENG HONGBO

IPC: H01L51/10

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden eines Nanoporenfelds beinhaltet ein Strukturieren einer vorderen Schicht eines Substrats, um vordere Gräben zu bilden, wobei das Substrat eine vergrabene Schicht beinhaltet, die zwischen der vorderen Schicht und einer hinteren Schicht angeordnet ist; ein Abscheiden einer Membranschicht über der strukturierten vorderen Schicht und in den vorderen Gräben; ein Strukturieren der hinteren Schicht und der vergrabenen Schicht, um hintere Gräben zu bilden, wobei die hinteren Gräben an den vorderen Gräben ausgerichtet sind; ein Bilden einer Vielzahl von Nanoporen durch die Membranschicht; ein Abscheiden eines Opfermaterials in den vorderen Gräben und den hinteren Gräben; ein Abscheiden einer vorderen und hinteren Isolationsschicht über dem Opfermaterial; und ein Erhitzen des Opfermaterials auf eine Zersetzungstemperatur des Opfermaterials, um das Opfermaterial zu entfernen und Paare von vorderen und hinteren Kanälen zu bilden, wobei der vordere Kanal jedes Kanalpaars über eine einzelne Nanopore mit dem hinteren Kanal des jeweiligen Kanalpaars verbunden ist.