公开(公告)号：DE112016003117T5

公开(公告)日：2018-04-12

申请号：DE112016003117

申请日：2016-08-02

Applicant: IBM

Inventor： ANDRY PAUL ,  WEBB BUCKNELL ,  TSANG CORNELIA KANG-L

IPC: H01M10/04 ,  H01L21/50

Abstract: Es ist eine Mikrobatteriestruktur für hermetisch abgedichtete Mikrobatterien vorgesehen. In einer Ausführungsform enthält die Mikrobatteriestruktur ein erstes Siliciumsubstrat, das mindestens einen Sockel enthält, der ein Kathodenmaterial einer Mikrobatterie aufnimmt, und mindestens eine Vertiefung, die ein erstes Dichtungsmaterial der Mikrobatterie aufnimmt. Die Struktur enthält ferner ein zweites Siliciumsubstrat, das mindestens einen Sockel enthält, der ein Anodenmaterial der Mikrobatterie aufnimmt, und mindestens eine Vertiefung, die ein zweites Dichtungsmaterial der Mikrobatterie aufnimmt. Ein isoliertes Mittelstück ist mit dem ersten Dichtungsmaterial verbunden, das in mindestens zwei Vertiefungen auf dem ersten Siliciumsubstrat vorhanden ist. Eine Verriegelungsstruktur wird durch Ausrichten und Überlagern des zweiten Siliciumsubstrats auf dem ersten Siliciumsubstrat in einer Zapfenverbindungsweise und durch Abdichten der zwei Substrate unter Verwendung einer hohen Kraft ausgebildet.

公开(公告)号：DE112015004455B4

公开(公告)日：2020-03-26

申请号：DE112015004455

申请日：2015-11-03

Applicant: IBM

Inventor： ANDRY PAUL ,  GELORME JEFFREY ,  WEBB BUCKNELL ,  KANG-I TSANG CORNELIA

IPC: H01L21/02 ,  B23K26/00 ,  B32B7/12 ,  H01L21/268 ,  H01L21/683 ,  H01L21/768

Abstract: Verfahren, aufweisend:Bereitstellen einer Laservorrichtung, welche zum Emittieren von UV-Licht einer ausgewählten Wellenlänge konfiguriert ist;Erhalten einer Struktur, welche einen Vorrichtungs-Wafer, eine auf den Vorrichtungs-Wafer geklebte Klebstoffschicht, einen UV-durchlässigen Handling-Wafer und eine Ablationsschicht zwischen dem Handling-Wafer und der Klebstoffschicht aufweist, und welche an die Klebstoffschicht geklebt ist, wobei die Ablationsschicht eine optische Eindringtiefe von 0,1 Mikrometer bis 0,2 Mikrometer bei der ausgewählten Wellenlänge aufweist und eine Dicke von mindestens zwei Eindringtiefen aufweist, wobei die Klebstoffschicht eine optische Eindringtiefe von zwei Mikrometer bis zwanzig Mikrometer bei der ausgewählten Wellenlänge und eine Dicke von mindestens einer Eindringtiefe aufweist, wobei die Klebstoffschicht darin suspendierte Nanopartikel zum Streuen von UV-Licht der ausgewählten Wellenlänge und/oder Farbstoff umfasst, welcher Licht der ausgewählten Wellenlänge absorbiert;Bewirken, dass die Laservorrichtung UV-Licht der ausgewählten Wellenlänge in Richtung der Struktur emittiert und die Ablationsschicht ablatiert, undTrennen des Handling-Wafers von dem Vorrichtungs-Wafer.

公开(公告)号：DE112017000808T5

公开(公告)日：2018-12-06

申请号：DE112017000808

申请日：2017-05-23

Applicant: IBM

Inventor： WEBB BUCKNELL ,  ANDRY PAUL

IPC: H01M4/76

Abstract: Batterien und Verfahren zur Bildung derselben beinhalten eine Anoden-Struktur, eine Kathoden-Struktur sowie eine leitfähige Deckschicht. Die Anoden-Struktur beinhaltet ein Anoden-Substrat, eine auf dem Anoden-Substrat ausgebildete Anode sowie einen leitfähigen Anoden-Überzug, der sich mit der Anode in Kontakt befindet. Die Kathoden-Struktur beinhaltet ein Kathoden-Substrat, eine auf dem Kathoden-Substrat ausgebildete Kathode sowie einen leitfähigen Kathoden-Überzug, der sich mit der Kathode in Kontakt befindet. Die leitfähige Deckschicht ist über der Anoden-Struktur und der Kathoden-Struktur so ausgebildet, dass ein Hohlraum abgedichtet wird, der durch die Anoden-Struktur und die Kathoden-Struktur gebildet wird. Zumindest eines von dem Anoden-Substrat und dem Kathoden-Substrat ist von Durchkontakten durchdrungen, die sich in Kontakt mit dem jeweiligen leitfähigen Anoden-Überzug oder leitfähigen Kathoden-Überzug befinden.

公开(公告)号：DE112015004453B4

公开(公告)日：2022-01-27

申请号：DE112015004453

申请日：2015-10-19

Applicant: IBM

Inventor： GELORME JEFFREY ,  HUNG LI-WEN ,  ANDRY PAUL ,  KANG-I TSANG CORNELIA ,  KNICKERBOCKER JOHN ,  ALLEN ROBERT DAVID

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/02

Abstract: Verfahren zum Ausbilden einer Halbleitereinheit, das aufweist:Verbinden eines Handhabungs-Wafers mit einer Vorderfläche eines Einheiten-Wafers mit einem phenoxyharzhaltigen Haftmittel, wobei das Phenoxyharz eine Viskosität in einem Bereich von 100 bis 10.000 Pa·s bei einer Temperatur in einem Bereich von 160 °C bis 210 °C und unter einem Druck von 1.000 mbar pro Fläche bei einer Wafer-Größe von 8 Zoll bei dem Einheiten-Wafer und/oder dem Handhabungs-Wafer aufweist;Vermindern der Dicke des Einheiten-Wafers von der Rückseite des Einheiten-Wafers aus, während der Einheiten-Wafer haftend an dem Handhabungs-Wafer anliegt; undEntfernen des phenoxyharzhaltigen Haftmittels durch Laser-Ablösen, wobei der Einheiten-Wafer von dem Handhabungs-Wafer getrennt wird.

公开(公告)号：DE112016004442B4

公开(公告)日：2021-03-25

申请号：DE112016004442

申请日：2016-12-02

Applicant: IBM

Inventor： KNICKERBOCKER JOHN ,  GELORME JEFFREY DONALD ,  HUNG LI-WEN ,  ANDRY PAUL ,  DANG BING ,  YANG CORNELIA TSANG

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/56

Abstract: Verfahren zum Verarbeiten von Halbleitereinheiten, wobei das Verfahren Folgendes aufweist:Aufbringen (102) einer Ablösungsschicht (210) auf eine transparente Handhabungsvorrichtung (204),Bonden mindestens einer vereinzelten Halbleitereinheit (202) an die transparente Handhabungsvorrichtung,Einhausen (106) der mindestens einen vereinzelten Halbleitereinheit, während sie an die transparente Handhabungsvorrichtung gebondet ist,Abtragen (110) der Ablösungsschicht durch Bestrahlen der Ablösungsschicht durch die transparente Handhabungsvorrichtung hindurch mit einem Laser (214) undEntfernen (112) der mindestens einen vereinzelten Halbleitereinheit von der transparenten Handhabungsvorrichtung, nachdem die Ablösungsschicht abgetragen wurde,wobei die Ablösungsschicht mindestens ein Zusatzmaterial aufweist undwobei das mindestens eine Zusatzmaterial eine Frequenz einer elektromagnetischen Strahlungsabsorptionseigenschaft der Ablösungsschicht einstellt, wobei:das mindestens eine Zusatzmaterial ein erstes Zusatzmaterial und ein zweites Zusatzmaterial aufweist, wobei es sich bei dem ersten Zusatzmaterial um einen chemischen Absorber für eine Wellenlänge von 355 nm und bei dem zweiten Zusatzmaterial um einen chemischen Absorber für eine von mehreren Wellenlängen in einem Bereich handelt, der 600 nm bis 740 nm umfasst, und wobei das erste und das zweite Zusatzmaterial jeweils bei einer Temperatur von ≥ 250 °C thermisch stabil sind; oderes sich bei dem mindestens einen Zusatzmaterial um einen chemischen Absorber für 355 nm in einem Phenoxy-Basismaterial handelt, oderes sich bei dem mindestens einen Zusatzmaterial um 2,5-Bis(2-benzimidazolyl)-pyridin handelt; oderes sich bei dem mindestens einen Zusatzmaterial um Folgendes handelt:wobei R Methylcyclohexan oder n-Butyl ist; oderdas mindestens eine Zusatzmaterial chemischer Absorber für eine von mehreren Wellenlängen in einem Bereich ist, der 600 nm bis 740 nm umfasst, und vollständig in Cyclohexanon löslich ist.

公开(公告)号：DE112015004453T5

公开(公告)日：2017-07-20

申请号：DE112015004453

申请日：2015-10-19

Applicant: IBM

Inventor： GELORME JEFFREY ,  HUNG LI-WEN ,  ANDRY PAUL ,  KANG-I TSANG CORNELIA ,  KNICKERBOCKER JOHN ,  ALLEN ROBERT DAVID

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/02

Abstract: Ein Verfahren zum haftenden Verbinden bei einer Bearbeitung von Mikroelektronikeinheiten wird bereitgestellt, das ein Verbinden eines Handhabungs-Wafers mit einer Vorderseite eines Einheiten-Wafers mit einem phenoxyharzhaltigen Haftmittel; und ein Vermindern der Dicke des Einheiten-Wafers von der Rückseite des Einheiten-Wafers aus beinhaltet, während der Einheiten-Wafer haftend an dem Handhabungs-Wafer anliegt. Nachdem die Dicke des Einheiten-Wafers vermindert worden ist, kann das phenoxyharzhaltige Haftmittel durch Laser-Ablösen entfernt werden, wobei der Einheiten-Wafer von dem Handhabungs-Wafer getrennt wird.

公开(公告)号：AT550784T

公开(公告)日：2012-04-15

申请号：AT10700729

申请日：2010-01-08

Applicant: IBM

Inventor： ANDRY PAUL ,  TSANG CORNELIA ,  SPROGIS EDMUND ,  COTTE JOHN ,  TORNELLO JAMES ,  LOFARO MICHAEL

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/48

Abstract: An assembly including a main wafer having a body with a front side and a back side and a plurality of blind electrical vias terminating above the back side, and a handler wafer, is obtained. A step includes exposing the blind electrical vias to various heights on the back side. Another step involves applying a first chemical mechanical polish process to the back side, to open any of the surrounding insulator adjacent the end regions of the cores remaining after the exposing step, and to co-planarize the via conductive cores, the surrounding insulator adjacent the side regions of the cores, and the body of the main wafer. Further steps include etching the back side to produce a uniform standoff height of each of the vias across the back side; depositing a dielectric across the back side; and applying a second chemical mechanical polish process to the back side.

公开(公告)号：DE112017000808B4

公开(公告)日：2021-10-28

申请号：DE112017000808

申请日：2017-05-23

Applicant: IBM

Inventor： WEBB BUCKNELL ,  ANDRY PAUL

IPC: H01M50/183 ,  H01M4/70 ,  H01M10/0585 ,  H01M50/124 ,  H01M50/138 ,  H01M50/141 ,  H01M50/164 ,  H01M50/171 ,  H01M50/172 ,  H01M50/191 ,  H01M50/193 ,  H01M50/545 ,  H01M50/562 ,  H01M50/564

Abstract: Batterie, die aufweist:eine Anoden-Struktur, die aufweist:ein Anoden-Substrat;eine Anode, die auf dem Anoden-Substrat ausgebildet ist; undein leitfähiger Anoden-Überzug, der sich mit der Anode in Kontakt befindet;eine Kathoden-Struktur, die aufweist:ein Kathoden-Substrat;eine Kathode, die auf dem Kathoden-Substrat ausgebildet ist; undein leitfähiger Kathoden-Überzug, der sich mit der Kathode in Kontakt befindet; undeine leitfähige Deckschicht, die über der Anoden-Struktur und der Kathoden-Struktur so ausgebildet ist, dass ein Hohlraum abgedichtet wird, der durch die Anoden-Struktur und die Kathoden-Struktur gebildet wird, wobei zumindest eines von dem Anoden-Substrat und dem Kathoden-Substrat von Durchkontakten durchdrungen ist, die sich in Kontakt mit dem jeweiligen leitfähigen Anoden-Überzug oder leitfähigen Kathoden-Überzug befinden, wobei die Batterie vertikale Wände aufweist, welche die Anoden-Struktur von der Kathoden-Struktur trennen und die gegenüber vertikalen Wänden der Kathodenstruktur nach innen abgestuft sind und gegenüber denen vertikale Wände der Anodenstruktur weiter nach innen abgestuft sind.

公开(公告)号：DE112016004442T5

公开(公告)日：2018-06-14

申请号：DE112016004442

申请日：2016-12-02

Applicant: IBM

Inventor： KNICKERBOCKER JOHN ,  GELORME JEFFREY DONALD ,  HUNG LI-WEN ,  ANDRY PAUL ,  DANG BING ,  YANG CORNELIA TSANG

IPC: H01L23/32

Abstract: Verschiedene Ausführungsformen verarbeiten Halbeitereinheiten (202, 302). In einer Ausführungsform wird eine Ablösungsschicht (210) auf eine Handhabungsvorrichtung (204) aufgebracht. Die Ablösungsschicht (210) weist mindestens einen Zusatzstoff auf, der eine Frequenz einer elektromagnetischen Strahlungsabsorptionseigenschaft der Ablösungsschicht (210) einstellt. Der Zusatzstoff weist beispielsweise einen chemischen Absorber für 355 nm und/oder einen chemischen Absorber für eine von mehreren Wellenlängen in einem Bereich auf, der 600 nm bis 740 nm umfasst. Die mindestens eine vereinzelte Halbleitereinheit (202) wird an die Handhabungsvorrichtung (204) gebondet. Die mindestens eine vereinzelte Halbleitereinheit (202) wird eingehaust, während sie an die Handhabungsvorrichtung (204) gebondet ist. Die Ablösungsschicht (210) wird durch Bestrahlen der Ablösungsschicht durch die Handhabungsvorrichtung (204) hindurch mit einem Laser (214) abgetragen. Die mindestens eine vereinzelte Halbleitereinheit (202) wird, nachdem die Ablösungsschicht (210) abgetragen wurde, von der transparenten Handhabungsvorrichtung (204) entfernt.

公开(公告)号：DE112015004455T5

公开(公告)日：2017-07-20

申请号：DE112015004455

申请日：2015-11-03

Applicant: IBM

Inventor： ANDRY PAUL ,  WEBB BUCKNELL ,  GELORME JEFFREY ,  KANG-I TSANG CORNELIA

IPC: H01L21/02

Abstract: Die Absorptionseigenschaften sowohl einer Klebstoffschicht als auch einer Ablationsschicht werden verwendet, um ein Debonding eines Vorrichtungs-Wafers und eines Glas-Handling-Wafers ohne Beschädigung des Vorrichtungs-Wafers zu ermöglichen. Die Eindringtiefen der Klebstoffschicht und der Ablationsschicht werden so gewählt, dass nicht mehr als eine vernachlässigbare Menge des Ablationsflusses die Oberfläche des Vorrichtungs-Wafers erreicht.