公开(公告)号：DE112018005205T5

公开(公告)日：2020-07-02

申请号：DE112018005205

申请日：2018-11-30

Applicant: IBM

Inventor： CHOI JUNGWOOK ,  NARAYANAN PRITISH ,  CHEN CHIA-YU ,  GOPALAKRISHNAN KAILASH ,  GUPTA SUYOG

IPC: G06N3/08

Abstract: Ein System mit einem Hauptspeicher, in dem durch einen Computer ausführbare Komponenten gespeichert sind, und einem Prozessor, der die durch einen Computer ausführbaren Komponenten ausführt, verringert die Datengröße im Zusammenhang mit einem Trainieren eines neuronalen Netzes durch Ausnutzung einer räumlichen Lokalität zu Gewichtsmatrizen und Erwirken von Frequenztransformation und Komprimierung. Eine Empfangskomponente empfängt Daten des neuronalen Netzes in Form einer komprimierten Frequenzbereichs-Gewichtsmatrix. Eine Segmentierungskomponente segmentiert die Ausgangsgewichtsmatrix in ursprüngliche Teilkomponenten, wobei jeweilige ursprüngliche Teilkomponenten räumliche Gewichte aufweisen. Eine Abtastkomponente wendet eine verallgemeinerte Gewichtsverteilung auf die jeweiligen ursprünglichen Teilkomponenten an, um jeweilige normalisierte Teilkomponenten zu erzeugen. Eine Transformationskomponente wendet eine Transformation auf die jeweiligen normalisierten Teilkomponenten an. Eine Beschneidungskomponente abschneidet hochfrequente Gewichte der jeweiligen transformierten normalisierten Teilkomponenten, um einen Satz von niederfrequenten normalisierten Teilkomponenten hervorzubringen, um eine komprimierte Darstellung der ursprünglichen Teilkomponenten zu erzeugen.

公开(公告)号：GB2508746A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：GB201403366

申请日：2012-08-15

Applicant: IBM

Inventor： VIRWANI KUMAR ,  GOPALAKRISHNAN KAILASH ,  SHENOY ROHIT SUDHIR ,  BETHUNE DONALD STIMSON ,  KELLOCK ANDREW JOHN

IPC: H01L45/00 ,  G11C13/00 ,  H01L27/102 ,  H01L27/22 ,  H01L27/24

Abstract: A crystalline semiconductor Schottky barrier- like diode sandwiched between two conducting electrodes is in series with a memory element, a word line and a bit line, wherein the setup provides voltage margins greater than IV and current densities greater than 5x106 A/cm2. This Schottky barrier-like diode can be fabricated under conditions compatible with low- temperature BEOL semiconductor processing, can supply high currents at low voltages, exhibits high on-off ratios, and enables large memory arrays.

公开(公告)号：AT515034T

公开(公告)日：2011-07-15

申请号：AT08708985

申请日：2008-02-14

Applicant: IBM

Inventor： GOPALAKRISHNAN KAILASH

IPC: G11C13/02 ,  G11C13/00 ,  G11C16/02

Abstract: A crosspoint array has been shown having a plurality of bitlines and wordlines; and a plurality of crossbar elements, with each crossbar element being disposed between a bitline and a wordline and with each crossbar element having at least a solid electrolyte material used as a rectifier in series with a symmetric or substantially symmetric resistive memory node. The crossbar elements are responsive to the following voltages: a first set of voltages to transition the solid electrolyte in the crossbar elements from an OFF state to an ON state, a second set of voltages to read or program the symmetric resistive memory, and a third set of voltages to transition solid electrolyte from an ON state to an OFF state.