公开(公告)号：DE112012003382T5

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：DE112012003382

申请日：2012-08-15

Applicant: IBM

Inventor： GOPALAKRISHNAN KAILASH ,  VIRWANI KUMAR ,  SHENOY ROHIT SUDHIR ,  KELLOCK ANDREW JOHN ,  BETHUNE DONALD STIMSON

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/768 ,  H01L29/82 ,  H01L29/86

Abstract: Eine kristalline Schottky-Barrieren-ähnliche Halbleiterdiode, die zwischen zwei leitenden Elektroden angeordnet ist, ist mit einem Speicherelement, einer Wortleitung und einer Bitleitung in Reihe geschaltet, wobei der Aufbau für Spannungsspielräume von mehr als 1 V und Stromdichten von mehr als 5 × 106 A/cm2 sorgt. Diese Schottky-Barrieren-ähnliche Diode kann unter Bedingungen hergestellt werden, die mit der Niedertemperatur-BEOL-Halbleiterverarbeitung kompatibel sind, kann bei niedrigen Spannungen hohe Stromstärken zuführen, zeigt hohe EIN/AUS-Verhältnisse und ermöglicht große Speicheranordnungen.

公开(公告)号：GB2508746A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：GB201403366

申请日：2012-08-15

Applicant: IBM

Inventor： VIRWANI KUMAR ,  GOPALAKRISHNAN KAILASH ,  SHENOY ROHIT SUDHIR ,  BETHUNE DONALD STIMSON ,  KELLOCK ANDREW JOHN

IPC: H01L45/00 ,  G11C13/00 ,  H01L27/102 ,  H01L27/22 ,  H01L27/24

Abstract: A crystalline semiconductor Schottky barrier- like diode sandwiched between two conducting electrodes is in series with a memory element, a word line and a bit line, wherein the setup provides voltage margins greater than IV and current densities greater than 5x106 A/cm2. This Schottky barrier-like diode can be fabricated under conditions compatible with low- temperature BEOL semiconductor processing, can supply high currents at low voltages, exhibits high on-off ratios, and enables large memory arrays.

公开(公告)号：DE102016105377A1

公开(公告)日：2016-09-29

申请号：DE102016105377

申请日：2016-03-22

Applicant: IBM

Inventor： DELIGIANNI HARIKLIA ,  GALLAGHER WILLIAM J ,  KELLOCK ANDREW JOHN ,  O'SULLIVAN EUGENE J ,  ROMANKIW LUBOMYR T ,  WANG NAIGANG

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L27/08

Abstract: Eine magnetische Struktur auf einem Chip beinhaltet ein magnetisches Material, das Cobalt in einem Bereich von etwa 80 bis etwa 90 Atom-% (At.-%) auf Grundlage der Gesamtzahl von Atomen des magnetischen Materials, Wolfram in einem Bereich von etwa 4 bis etwa 9 At.-% auf Grundlage der Gesamtzahl von Atomen des magnetischen Materials, Phosphor in einem Bereich von etwa 7 bis etwa 15 At.-% auf Grundlage der Gesamtzahl von Atomen des magnetischen Materials und Palladium im Wesentlichen im gesamten magnetischen Material verteilt aufweist.

公开(公告)号：GB2508746B

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：GB201403366

申请日：2012-08-15

Applicant: IBM

Inventor： VIRWANI KUMAR ,  GOPALAKRISHNAN KAILASH ,  SHENOY ROHIT SUDHIR ,  BETHUNE DONALD STIMSON ,  KELLOCK ANDREW JOHN

IPC: H01L45/00 ,  G11C13/00 ,  H01L27/102 ,  H01L27/22 ,  H01L27/24

Abstract: A crystalline semiconductor Schottky barrier-like diode sandwiched between two conducting electrodes is in series with a memory element, a word line and a bit line, wherein the setup provides voltage margins greater than 1V and current densities greater than 5×106 A/cm2. This Schottky barrier-like diode can be fabricated under conditions compatible with low-temperature BEOL semiconductor processing, can supply high currents at low voltages, exhibits high on-off ratios, and enables large memory arrays.