公开(公告)号：DE102012209713A1

公开(公告)日：2012-12-20

申请号：DE102012209713

申请日：2012-06-11

Applicant: IBM

Inventor： HEKMATSHOAR-TABARI BAHMAN ,  SADANA DEVENDRA K ,  SHAHIDI GHAVAM G ,  SHAHRJERDI DAVOOD

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/18

Abstract: Ein photovoltaisches Bauelement und Verfahren benötigen ein Substrat, das an eine Emitterseitenstruktur auf der ersten Seite des Substrats und an eine Rückseitenstruktur auf einer der ersten Seite des Substrats gegenüberliegenden Seite gekoppelt ist. Die Emitterseitenstruktur oder die Rückseitenstruktur bestehen aus Schichten, die zwischen Schichten mit großer Bandlücke und Schichten mit enger Bandlücke wechseln, um einen mehrschichtigen Kontakt mit einem wirksam erhöhten Bandoffset zum Substrat und/oder einen entscheidend höheren Dotierungsgrad über einen einzigen Materialkontakt bereitzustellen. Ein Emitterkontakt ist mit der Emitterseitenstruktur auf einem Lichtkollektorendteil des Bauelementes verbunden. Mit der Rückseitenstruktur, die dem Lichtkollektorendteil gegenüberliegt, ist ein Rückkontakt verbunden.