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    Rückseitenfeld-Strukturen für Mehrfachübergang-III-V-Photovoltaikeinheiten
    1.
    发明专利
    Rückseitenfeld-Strukturen für Mehrfachübergang-III-V-Photovoltaikeinheiten 未知

    公开(公告)号：DE102012218265A1

    公开(公告)日：2013-04-18

    申请号：DE102012218265

    申请日：2012-10-08

    Applicant: IBM

    Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  HEKMATSHOAR-TABARI BAHMAN ,  SADANA DEVENDRA K ,  SHAHIDI GHAVAM G ,  SHAHRJERDI DAVOOD

    IPC: H01L31/0725 ,  H01L31/18

    Abstract: Es wird eine Mehrfachübergang-III-V-Photovoltaikeinheit bereitgestellt, die wenigstens eine obere Zelle, die aus wenigstens einem III-V-Verbindungs-Halbleitermaterial besteht und eine untere Zelle in Kontakt mit einer Oberfläche der wenigstens einen oberen Zelle aufweist. Die untere Zelle weist eine Germanium-enthaltende Schicht in Kontakt mit der wenigstens einen oberen Zelle, wenigstens eine intrinsische hydrierte Silicium-enthaltende Schicht in Kontakt mit einer Oberfläche der Germanium-enthaltenden Schicht und wenigstens eine dotierte hydrierte Silicium-enthaltende Schicht in Kontakt mit einer Oberfläche der wenigstens einen intrinsischen hydrierten Silicium-enthaltenden Schicht auf. Die intrinsischen und dotierten Silicium-enthaltenden Schichten können amorph, nano/mikrokristallin, polykristallin oder einkristallin sein.

    Selektives epitaxiales Anwachsen von Silicium bei niedriger Temperatur zur Integration von Einheiten
    3.
    发明专利
    Selektives epitaxiales Anwachsen von Silicium bei niedriger Temperatur zur Integration von Einheiten 未知

    公开(公告)号：DE112012000962B4

    公开(公告)日：2020-11-12

    申请号：DE112012000962

    申请日：2012-01-26

    Applicant: IBM

    Inventor： HEKMATSHOAR-TABARI BAHMAN ,  KHAKIFIROOZ ALI ,  REZNICEK ALEXANDER ,  SADANA DEVENDRA K ,  SHAHIDI GHAVAM G ,  SHAHRJERDI DAVOOD

    IPC: H01L21/205 ,  C23C16/24 ,  C23C16/44 ,  C30B25/04 ,  H01L21/32

    Abstract: Epitaxieverfahren, aufweisend:Bereitstellen (502) eines kristallinen Substratmaterials (102);Anwachsen (504) eines Isolators (108) auf dem Substratmaterial (102);Öffnen (506) des Isolators (108), um frei liegende Bereiche des Substratmaterials (102) zu bilden;Abscheiden (512) von Silicium auf den frei liegenden Bereichen des Substratmaterials, um in einem Niedertemperaturverfahren auf den frei liegenden Bereichen epitaxiales Silicium (302) zu bilden und in anderen als den frei liegenden Bereichen nicht epitaxiales Silicium (310) zu bilden, wobei eine Abscheidungstemperatur weniger als 250 °C beträgt;Einbringen (518) eines Dotierstoffs mit einem Gasverhältnis, wodurch ein dotiertes epitaxiales Silicium bereitgestellt wird, wobei eine hohe Dotierstoffaktivierung höher als 1 x 1020cm-3erhalten wird; undÄtzen des nicht epitaxialen Siliciums unter Verwendung eines Plasmas, um die epitaxiale Abscheidung von Silicium über den frei liegenden Bereichen zu unterstützen,wobei das selektive epitaxiale Anwachsen durch Abwechseln der Abscheidungs- und Ätzschritte bereitgestellt wird.

    Rückseitenfeld-Strukturen für Mehrfachübergang-III-V-Photovoltaikeinheiten und Verfahren zum Herstellen einer Mehrfachübergang-III-V-Photovoltaikeinheit
    5.
    发明专利
    Rückseitenfeld-Strukturen für Mehrfachübergang-III-V-Photovoltaikeinheiten und Verfahren zum Herstellen einer Mehrfachübergang-III-V-Photovoltaikeinheit 未知

    公开(公告)号：DE102012218265B4

    公开(公告)日：2021-11-18

    申请号：DE102012218265

    申请日：2012-10-08

    Applicant: IBM

    Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  HEKMATSHOAR-TABARI BAHMAN ,  SADANA DEVENDRA K ,  SHAHIDI GHAVAM G ,  SHAHRJERDI DAVOOD

    IPC: H01L31/0725 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/18

    Abstract: Mehrfachübergang-III-V-Photovoltaikeinheit, aufweisend:wenigstens eine obere Zelle (10), bestehend aus wenigstens einem III-V-Verbindungs-Halbleitermaterial;eine untere Germanium-Zelle (16) in Kontakt mit einer Oberfläche der wenigstens einen oberen Zelle (10), wobei die untere Zelle (16) eine Germanium-enthaltende Schicht (18) in Kontakt mit der Oberfläche der wenigstens einen oberen Zelle (10), wenigstens eine intrinsische hydrierte Silicium-enthaltende Schicht (20) in Kontakt mit einer Oberfläche der Germanium-enthaltenden Schicht (18) und wenigstens eine dotierte hydrierte Silicium-enthaltende Schicht (22) in Kontakt mit einer Oberfläche der wenigstens einen intrinsischen hydrierten Silicium-enthaltenden Schicht (20) aufweist; undeinen leitfähigen Kontakt (24) in Kontakt mit einer Oberfläche der dotierten hydrierten Silicium-enthaltenden Schicht (22), wobei der leitfähige Kontakt (24) wenigstens ein transparentes leitfähiges Material enthält, wobei ein Übergang zwischen der Germanium-enthaltenden Schicht (18) und einer Rückseitenfeld Struktur aus der wenigstens einen intrinsischen hydrierten Silicium-enthaltenden Schicht (20) und der dotierten hydrierten Silicium-enthaltenden Schicht (22) ein elektrisches Feld erzeugt, das eine Barriere für den Strom von Minoritätsträgern zu dem leitfähigen Kontakt (24) einführt, wobei die Germanium-enthaltende Schicht (18) und die Rückseitenfeld Struktur den gleichen Leitfähigkeitstyp aufweisen.

    Silicon heterojunction photovoltaic device with non-crystalline wide band gap emitter
    6.
    发明专利
    Silicon heterojunction photovoltaic device with non-crystalline wide band gap emitter 未知

    公开(公告)号：GB2520399A

    公开(公告)日：2015-05-20

    申请号：GB201416784

    申请日：2014-09-23

    Applicant: IBM

    Inventor： HEKMATSHOAR-TABARI BAHMAN ,  BAYRAM CAN

    IPC: H01L31/0328 ,  H01L31/074

    Abstract: A photovoltaic device including a single junction solar cell provided by an absorption layer 10 of a type IV semiconductor material having a first conductivity, and an emitter layer 20 of a type III-V semiconductor material having a second conductivity, wherein the type III-V semiconductor material is non-crystalline and has a thickness that is no greater than 50 nm. Wherein, the type III-V semiconductor material may be amorphous, nano-crystalline or micro-crystalline. Also disclosed is a method of forming a photovoltaic device as above. The type IV semiconductor material may be silicon (Si), germanium (Ge), silicon-germanium (SiGe) alloy, silicon doped with carbon (Si:C) or a combination thereof. The type III-V material may be any semiconductive III-V material, including binary, tertiary and quaternary materials but is more preferably gallium nitride (GaN), indium gallium nitride (InGaN), gallium phosphide (GaP), indium phosphide (InP), gallium phosphide nitride (GaPN) or combinations thereof. The emitter layer 20 may be in direct contact with the absorption layer 10 or a buffer layer of type III-V semiconductor material may be provided between the absorption layer 10 and emitter layer 20.

    Verbesserte Emitterstruktur und Verfahren zur Herstellung einer Silicium-Solarzelle mit Heteroübergang
    7.
    发明专利
    Verbesserte Emitterstruktur und Verfahren zur Herstellung einer Silicium-Solarzelle mit Heteroübergang 未知

    公开(公告)号：DE102012104140A1

    公开(公告)日：2012-12-13

    申请号：DE102012104140

    申请日：2012-05-11

    Applicant: IBM

    Inventor： HEKMATSHOAR-TABARI BAHMAN ,  SADANA DEVENDRA K ,  SHAHIDI GHAVAM G ,  SHAHRJERDI DAVOOD

    IPC: H01L31/0747 ,  H01L31/18

    Abstract: Es wird ein Verfahren zum Bilden eines Fotoelements beschrieben, welches das Bilden einer Absorptionsschicht eines ersten kristallinen Halbleitermaterials vom ersten Leitungstyp, das epitaxiale Abscheiden einer zweiten kristallinen Halbleiterschicht vom zweiten Leitungstyp, welcher dem ersten Leitungstyp entgegengesetzt ist, und das Abscheiden einer dotierten amorphen oder nanokristallinen Passivierungsschicht vom zweiten Leitungstyp beinhaltet, welcher dem ersten Leitungstyp entgegengesetzt ist. Der erste Leitungstyp kann p-leitend und der zweite Leitungstyp kann n-leitend sein, oder der erste Leitungstyp kann n-leitend und der zweite Leitungstyp kann p-leitend sein. Die Temperatur beim epitaxialen Abscheiden der zweiten kristallinen Halbleiterschicht überschreitet 500°C nicht. Es werden elektrisch mit der Absorptionsschicht und der zweiten kristallinen Halbleiterschicht verbundene Kontakte gebildet.

    Photovoltaikeinheit mit mehreren Grenzschichten und Verfahren zu dessen Herstellung
    9.
    发明专利
    Photovoltaikeinheit mit mehreren Grenzschichten und Verfahren zu dessen Herstellung 未知

    公开(公告)号：DE102012212447A1

    公开(公告)日：2013-01-31

    申请号：DE102012212447

    申请日：2012-07-17

    Applicant: IBM

    Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  FOGEL KEITH E ,  HEKMATSHOAR-TABARI BAHMAN ,  SADANA DEVENDRA K ,  SHAHIDI GHAVAM G ,  SHAHRJERDI DAVOOD

    IPC: H01L31/18 ,  H01L21/302 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0687

    Abstract: Ein Verfahren zur Bildung einer Photovoltaikeinheit beinhaltet das Verbinden eines Substrate mit einer germaniumhaltigen Halbleiterschicht mittels einer Zugspannungsschicht, wobei die Zugspannungsschicht die germaniumhaltige Halbleiterschicht spaltet. Auf einer Spaltfläche der germaniumhaltigen Halbleiterschicht wird mindestens eine Halbleiterschicht gebildet, deren Leitungstyp dem Zeitungstyp der germaniumhaltigen Halbleiterschicht entgegengesetzt ist, um eine erste Solarzelle bereitzustellen. Die erste Solarzelle absorbiert einen ersten Wellenlängenbereich. Auf der ersten Solarzelle wird mindestens eine zweite Solarzelle gebildet, wobei die mindestens eine zweite Solarzelle aus mindestens einem Halbleitermaterial besteht, um einen zweiten Wellenlängenbereich zu absorbieren, der von dem durch die erste Solarzelle absorbierten ersten Wellenlängenbereich verschieden ist.

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