公开(公告)号：DE112013001688T5

公开(公告)日：2014-12-11

申请号：DE112013001688

申请日：2013-04-29

Applicant: EGYPT NANOTECHNOLOGY CT EGNC ,  IBM

Inventor： CURIONI ALESSANDRO ,  KHOMYAKOV PETR ,  KIM JEE HWAN ,  AFIFY NASSER D ,  ANDREONI WANDA ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L31/0376

Abstract: Es wird eine Photovoltaikeinheit (10a bis 10e) offenbart, aufweisend: ein lichtabsorbierendes Material (34, 35), welches ein amorphes Halbleitermaterial ist; und eine Bandstoppfilterstruktur (20) mit einem gegebenen Stoppband, wobei die Struktur in Bezug auf das lichtabsorbierende Material so eingerichtet ist, dass elektromagnetische Strahlung gedämpft wird, die das lichtabsorbierende Material erreicht und Winkelfrequenzen ω* innerhalb des Stoppbands aufweist, wobei das Stoppband elektronischen Anregungen ħω* aus Valenzbandrand(VBT)-Zuständen des amorphen Materials in Leitungsbandrand(CBT)-Zustände des amorphen Materials entspricht.

公开(公告)号：GB2495437B

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：GB201300364

申请日：2011-06-21

Applicant: IBM

Inventor： PARK JIN-HONG ,  ASSEFA SOLOMON ,  KIM JEE HWAN ,  VLASOV YURIL

IPC: H01L31/108 ,  H01L31/18

公开(公告)号：DE112011102241B4

公开(公告)日：2013-10-10

申请号：DE112011102241

申请日：2011-06-21

Applicant: IBM

Inventor： PARK JIN-HONG ,  KIM JEE HWAN ,  ASSEFA SOLOMON ,  VLASOV YURII

IPC: H01L31/102

Abstract: Verfahren zum Bilden einer Photodetektoreinheit, das Verfahren aufweisend: Bilden einer ersten Isolatorschicht auf einem Substrat; Bilden einer Germaniumschicht (Ge-Schicht) auf der Isolatorschicht und einem Teil des Substrats; Bilden einer zweiten Isolatorschicht auf der Ge-Schicht; Implantieren von n-Ionen in die Ge-Schicht; Strukturieren der n-Ge-Schicht; Bilden einer deckenden Isolatorschicht auf der zweiten Isolatorschicht und einem Teil der ersten Isolatorschicht; Erwärmen der Einheit zum Kristallisieren der Ge-Schicht, wodurch sich eine einkristalline n-Ge-Schicht ergibt; und Bilden von elektrisch mit der einkristallinen n-Ge-Schicht verbundenen Elektroden.