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    GERMANIUM PHOTODETECTOR
    1.
    发明申请
    GERMANIUM PHOTODETECTOR 审中-公开
    锗光电探测器

    公开(公告)号：WO2012000849A2

    公开(公告)日：2012-01-05

    申请号：PCT/EP2011060377

    申请日：2011-06-21

    Applicant: IBM ,  IBM UK ,  PARK JIN-HONG ,  ASSEFA SOLOMON ,  KIM JEE HWAN ,  VLASOV YURII

    Inventor： PARK JIN-HONG ,  ASSEFA SOLOMON ,  KIM JEE HWAN ,  VLASOV YURII

    IPC: H01L31/102

    CPC classification number: H01L31/1808 ,  H01L31/1085 ,  Y02E10/50

    Abstract: A method for forming a photodetector device includes forming an insulator layer on a substrate, forming a germanium (Ge) layer on the insulator layer and a portion of the substrate, forming a second insulator layer on the Ge layer, implanting n-type ions in the Ge layer, patterning the n-type Ge layer, forming a capping insulator layer on the second insulator layer and a portion of the first insulator layer, heating the device to crystallize the Ge layer resulting in an single crystalline n-type Ge layer, and forming electrodes electrically connected to the single crystalline n-type Ge layer.

    Abstract translation: 一种用于形成光电检测器装置的方法包括：在衬底上形成绝缘体层;在绝缘体层和衬底的一部分上形成锗（Ge）层;在Ge层上形成第二绝缘体层;将n型离子注入 Ge层，图案化n型Ge层，在第二绝缘层和一部分第一绝缘层上形成覆盖绝缘层，加热器件以结晶Ge层，产生单晶n型Ge层， 以及形成电连接到单晶n型Ge层的电极。

    LAYER TRANSFER USING BORON-DOPED SIGE LAYER
    3.
    发明专利
    LAYER TRANSFER USING BORON-DOPED SIGE LAYER 未知

    公开(公告)号：GB2489830B

    公开(公告)日：2014-08-20

    申请号：GB201206801

    申请日：2011-02-01

    Applicant: IBM

    Inventor： BEDELL STEPHEN ,  KIM JEE HWAN ,  INNS DANIEL ,  SADANA DEVENDRA ,  FOGEL KEITH ,  VICHICONTI JAMES

    IPC: H01L21/18 ,  H01L21/02 ,  H01L21/30

    Abstract: A method for layer transfer using a boron-doped silicon germanium (SiGe) layer includes forming a boron-doped SiGe layer on a bulk silicon substrate; forming an upper silicon (Si) layer over the boron-doped SiGe layer; hydrogenating the boron-doped SiGe layer; bonding the upper Si layer to an alternate substrate; and propagating a fracture at an interface between the boron-doped SiGe layer and the bulk silicon substrate. A system for layer transfer using a boron-doped silicon germanium (SiGe) layer includes a bulk silicon substrate; a boron-doped SiGe layer formed on the bulk silicon substrate, such that the boron-doped SiGe layer is located underneath an upper silicon (Si) layer, wherein the boron-doped SiGe layer is configured to propagate a fracture at an interface between the boron-doped SiGe layer and the bulk silicon substrate after hydrogenation of the boron-doped SiGe layer; and an alternate substrate bonded to the upper Si layer.

    Germanium-Photodetektor
    4.
    发明专利
    Germanium-Photodetektor 未知

    公开(公告)号：DE112011102241T5

    公开(公告)日：2013-05-08

    申请号：DE112011102241

    申请日：2011-06-21

    Applicant: IBM

    Inventor： PARK JIN-HONG ,  KIM JEE HWAN ,  ASSEFA SOLOMON ,  VLASOV YURII

    IPC: H01L31/102

    Abstract: Ein Verfahren zum Bilden einer Photodetektoreinheit beinhaltet das Bilden einer Isolatorschicht auf einem Substrat, das Bilden einer Germaniumschicht (Ge-Schicht) auf der Isolatorschicht und einem Teil des Substrats, das Bilden einer zweiten Isolatorschicht auf der Ge-Schicht, das Implantieren von n-Ionen in die Ge-Schicht, das Strukturieren der n-Ge-Schicht, das Bilden einer deckenden Isolatorschicht auf der zweiten Isolatorschicht und einem Teil der ersten Isolatorschicht, das Erwärmen der Einheit zum Kristallisieren der Ge-Schicht, wodurch sich eine einkristalline n-Ge-Schicht ergibt, und das Bilden von elektrisch mit der einkristallinen n-Ge-Schicht verbundenen Elektroden.

    Schichttransfer unter Verwendung einer mit Bor dotierten SiGe-Schicht
    6.
    发明专利
    Schichttransfer unter Verwendung einer mit Bor dotierten SiGe-Schicht 未知

    公开(公告)号：DE112011100445T5

    公开(公告)日：2013-04-04

    申请号：DE112011100445

    申请日：2011-02-01

    Applicant: IBM

    Inventor： BEDELL STEPHEN ,  SADANA DEVENDRA ,  FOGEL KEITH ,  VICHICONTI JAMES ,  KIM JEE HWAN ,  INNS DANIEL

    IPC: H01L21/18

    Abstract: Ein Verfahren für den Schichttransfer unter Verwendung einer mit Bor dotierten Silicium-Germanium(SiGe)-Schicht beinhaltet das Bilden einer mit Bor dotierten SiGe-Schicht auf einem Volumen-Silicium-Substrat; das Bilden einer oberen Silicium(Si)-Schicht über der mit Bor dotierten SiGe-Schicht; das Wasserstoffpassivieren der mit Bor dotierten SiGe-Schicht; das Verbinden der oberen Si-Schicht mit einem alternativen Substrat; und das Fortpflanzen einer Bruchstelle an einer Grenzfläche zwischen der mit Bor dotierten SiGe-Schicht und dem Volumen-Silicium-Substrat. Ein System für den Schichttransfer unter Verwendung einer mit Bor dotierten Silicium-Germanium(SiGe)-Schicht beinhaltet ein Volumen-Silicium-Substrat; eine auf dem Volumen-Silicium-Substrat gebildete, mit Bor dotierte SiGe-Schicht, so dass sich die mit Bor dotierte SiGe-Schicht unter einer oberen Silicium(Si)-Schicht befindet, wobei die mit Bor dotierte SiGe-Schicht so ausgebildet ist, dass sich nach Wasserstoffpassivieren der mit Bor dotierten SiGe-Schicht eine Bruchstelle an einer Grenzfläche zwischen der mit Bor dotierten SiGe-Schicht und dem Volumen-Silicium-Substrat fortpflanzt; und ein alternatives, mit der oberen Si-Schicht verbundenes Substrat.

    Germanium photodetector
    8.
    发明专利
    Germanium photodetector 未知

    公开(公告)号：GB2495437A

    公开(公告)日：2013-04-10

    申请号：GB201300364

    申请日：2011-06-21

    Applicant: IBM

    Inventor： PARK JIN-HONG ,  ASSEFA SOLOMON ,  KIM JEE HWAN ,  VLASOV YURIL

    IPC: H01L31/108 ,  H01L31/18

    Abstract: A method for forming a photodetector device includes forming an insulator layer on a substrate, forming a germanium (Ge) layer on the insulator layer and a portion of the substrate, forming a second insulator layer on the Ge layer, implanting n-type ions in the Ge layer, patterning the n-type Ge layer, forming a capping insulator layer on the second insulator layer and a portion of the first insulator layer, heating the device to crystallize the Ge layer resulting in an single crystalline n-type Ge layer, and forming electrodes electrically connected to the single crystalline n-type Ge layer.

    LAYER TRANSFER USING BORON-DOPED SIGE LAYER
    9.
    发明专利
    LAYER TRANSFER USING BORON-DOPED SIGE LAYER 未知

    公开(公告)号：GB2489830A

    公开(公告)日：2012-10-10

    申请号：GB201206801

    申请日：2011-02-01

    Applicant: IBM

    Inventor： BEDELL STEPHEN ,  KIM JEE HWAN ,  INNS DANIEL ,  SADANA DEVENDRA ,  FOGEL KEITH ,  VICHICONTI JAMES

    IPC: H01L21/18 ,  H01L21/02 ,  H01L21/30

    Abstract: A method for layer transfer using a boron-doped silicon germanium (SiGe) layer includes forming a boron-doped SiGe layer on a bulk silicon substrate; forming an upper silicon (Si) layer over the boron-doped SiGe layer; hydrogenating the boron-doped SiGe layer; bonding the upper Si layer to an alternate substrate; and propagating a fracture at an interface between the boron-doped SiGe layer and the bulk silicon substrate. A system for layer transfer using a boron-doped silicon germanium (SiGe) layer includes a bulk silicon substrate; a boron-doped Si Ge layer formed on the bulk silicon substrate, such that the boron-doped SiGe layer is located underneath an upper silicon (Si) layer, wherein the boron- doped SiGe layer is configured to propagate a fracture at an interface between the boron- doped SiGe layer and the bulk silicon substrate after hydrogenation of the boron-doped SiGe layer; and an alternate substrate bonded to the upper Si layer.

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