公开(公告)号：WO2012000849A2

公开(公告)日：2012-01-05

申请号：PCT/EP2011060377

申请日：2011-06-21

Applicant: IBM ,  IBM UK ,  PARK JIN-HONG ,  ASSEFA SOLOMON ,  KIM JEE HWAN ,  VLASOV YURII

Inventor： PARK JIN-HONG ,  ASSEFA SOLOMON ,  KIM JEE HWAN ,  VLASOV YURII

IPC: H01L31/102

CPC classification number: H01L31/1808 ,  H01L31/1085 ,  Y02E10/50

Abstract: A method for forming a photodetector device includes forming an insulator layer on a substrate, forming a germanium (Ge) layer on the insulator layer and a portion of the substrate, forming a second insulator layer on the Ge layer, implanting n-type ions in the Ge layer, patterning the n-type Ge layer, forming a capping insulator layer on the second insulator layer and a portion of the first insulator layer, heating the device to crystallize the Ge layer resulting in an single crystalline n-type Ge layer, and forming electrodes electrically connected to the single crystalline n-type Ge layer.

Abstract translation: 一种用于形成光电检测器装置的方法包括：在衬底上形成绝缘体层;在绝缘体层和衬底的一部分上形成锗（Ge）层;在Ge层上形成第二绝缘体层;将n型离子注入 Ge层，图案化n型Ge层，在第二绝缘层和一部分第一绝缘层上形成覆盖绝缘层，加热器件以结晶Ge层，产生单晶n型Ge层， 以及形成电连接到单晶n型Ge层的电极。

公开(公告)号：JP2010015121A

公开(公告)日：2010-01-21

申请号：JP2008259518

申请日：2008-10-06

Applicant: Internatl Business Mach Corp ,  インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Maschines Corporation

Inventor： ASSEFA SOLOMON ,  CHRISTOPHER YANES ,  VLASOV YURII

IPC: G02B6/13

CPC classification number: G02B6/30 ,  B82Y20/00 ,  G02B6/1223

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a CMOS compatible integrated dielectric optical waveguide coupler and a fabrication method therefor. SOLUTION: An optoelectronic circuit fabrication method and an integrated circuit manufacturing apparatus fabricated therewith are provided. Integrated circuits are fabricated with an integral optical coupling transition to efficiently couple optical energy from an optical fiber to an integrated optical waveguide on the integrated circuit. Layers of specific materials are deposited onto a semiconductor circuit to support etching of a trench to receive an optical coupler that performs proper impedance matching between an optical fiber and an on-circuit optical waveguide that extends part way into the transition channel. A silicon based dielectric that includes at least a portion with an refractive index substantially equal to a section of the optical fiber is deposited into the etched trench to create the optical coupler. Silicon based dielectrics with graded indices are also able to be used. Chemical mechanical polishing is used to finalize preparation of the optical transition and integrated circuit. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种CMOS兼容的集成电介质光波导耦合器及其制造方法。 提供了一种光电子电路制造方法及其制造的集成电路制造装置。 集成电路采用集成光耦合过渡制造，以有效地将光能从光纤耦合到集成电路上的集成光波导。 特定材料的层被沉积到半导体电路上以支持蚀刻沟槽以接收光纤耦合器，该光耦合器在光纤和部分地延伸到过渡通道中的在线光波导之间执行适当的阻抗匹配。 至少包括折射率基本上等于光纤的一部分的部分的硅基电介质被沉积到蚀刻沟槽中以产生光耦合器。 也可以使用具有分级指数的硅基电介质。 化学机械抛光用于完成光学转换和集成电路的准备。 版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2011043852A

公开(公告)日：2011-03-03

申请号：JP2010245968

申请日：2010-11-02

Applicant: Internatl Business Mach Corp ,  インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Maschines Corporation

Inventor： ASSEFA SOLOMON ,  CHRISTOPHER YANES ,  VLASOV YURII

IPC: G02B6/122 ,  G02B6/42

CPC classification number: G02B6/30 ,  B82Y20/00 ,  G02B6/1223

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a CMOS-compatible integrated dielectric optical waveguide coupler, and to provide an apparatus for fabrication thereof. SOLUTION: Integrated circuits are fabricated with an integral optical coupling transition to efficiently couple optical energy from an optical fiber to an integrated optical waveguide on the integrated circuit. Layers of specific materials are deposited onto a semiconductor circuit to support etching of a trench to receive an optical coupler that performs proper impedance matching between an optical fiber and an on-circuit optical waveguide that extends part way into the transition channel. A silicon based dielectric that includes at least a portion with a refractive index substantially equal to a section of the optical fiber is deposited into the etched trench to create the optical coupler. Silicon-based dielectrics with graded indices are also able to be used. Chemical mechanical polishing is used to finalize preparation of the optical transition and integrated circuit. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种CMOS兼容的集成电介质光波导耦合器，并提供其制造装置。 解决方案：集成电路采用集成光耦合转换制造，以有效地将光能从光纤耦合到集成电路上的集成光波导。 特定材料的层被沉积到半导体电路上以支持蚀刻沟槽以接收光纤耦合器，该光耦合器在光纤和部分地延伸到过渡通道中的在线光波导之间执行适当的阻抗匹配。 包括折射率基本上等于光纤的一部分的至少一部分的硅基电介质被沉积到蚀刻沟槽中以产生光耦合器。 也可以使用具有分级指数的硅基电介质。 化学机械抛光用于完成光学转换和集成电路的准备。 版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

公开(公告)号：DE112011101187T5

公开(公告)日：2013-01-24

申请号：DE112011101187

申请日：2011-05-24

Applicant: IBM

Inventor： RYIYAKOV ALEXANDER ,  SCHOW CLINT L ,  GREEN WILLIAM MICHAEL ,  VLASOV YURII

IPC: G02F1/01 ,  G02F1/025 ,  H04B3/40

Abstract: Eine Übertragungsleitung (304) weist eine Vielzahl von Segmenten auf, die einen elektrischen Pfad (203) bilden, und einen durchgehenden optischen Wellenleiter (205), der durch die Segmente verläuft. Diskrete Induktoren (102) sind zwischen benachbarten Segmenten gebildet und verbinden diese. Die Induktoren (102) werden in einer Vielzahl von Metallschichten einer integrierten Schaltung gebildet, um die Kapazität eines optischen Modulators auszugleichen, der die Übertragungsleitung (304) aufweist, die auf dem optischen Wellenleiter (205) gebildet ist, um dadurch eine vorbestimmte Leitungswellenimpedanz für die Übertragungsleitung zu erzielen. Eine Verzögerungsregelschleife (305) wird dazu verwendet, Varaktoren (302) so zu regeln, dass die Verzögerungen der optischen und elektrischen Signale ausgeglichen werden. Zum Abgleichen der Verzögerungen können optische Wellenleitersegmente (210) verwendet werden.

公开(公告)号：DE112011102241B4

公开(公告)日：2013-10-10

申请号：DE112011102241

申请日：2011-06-21

Applicant: IBM

Inventor： PARK JIN-HONG ,  KIM JEE HWAN ,  ASSEFA SOLOMON ,  VLASOV YURII

IPC: H01L31/102

Abstract: Verfahren zum Bilden einer Photodetektoreinheit, das Verfahren aufweisend: Bilden einer ersten Isolatorschicht auf einem Substrat; Bilden einer Germaniumschicht (Ge-Schicht) auf der Isolatorschicht und einem Teil des Substrats; Bilden einer zweiten Isolatorschicht auf der Ge-Schicht; Implantieren von n-Ionen in die Ge-Schicht; Strukturieren der n-Ge-Schicht; Bilden einer deckenden Isolatorschicht auf der zweiten Isolatorschicht und einem Teil der ersten Isolatorschicht; Erwärmen der Einheit zum Kristallisieren der Ge-Schicht, wodurch sich eine einkristalline n-Ge-Schicht ergibt; und Bilden von elektrisch mit der einkristallinen n-Ge-Schicht verbundenen Elektroden.

公开(公告)号：DE112011101187B4

公开(公告)日：2014-03-13

申请号：DE112011101187

申请日：2011-05-24

Applicant: IBM

Inventor： RYLYAKOV ALEXANDER ,  GREEN WILLIAM MICHAEL ,  SCHOW CLINT L ,  VLASOV YURII

IPC: G02F1/01 ,  G02F1/025 ,  H04B3/40

Abstract: Verfahren zum Realisieren einer Breitband-Übertragungsleitung (104), aufweisend: Ausgleichen der Kapazität eines optischen Modulators einer Breitband-Übertragungsleitung (104), um eine Leitungswellenimpedanz für die Übertragungsleitung (104) zu erzielen, indem ein diskreter Induktor (102, L) zwischen benachbarten Segmenten (106) der Übertragungsleitung (104) angeschlossen wird; und Abstimmen eines Regelkreises, um die Geschwindigkeit zwischen einem elektrischen Signal und einem optischen Signal abzugleichen, die sich auf der Übertragungsleitung (104) bewegen.

公开(公告)号：DE112011101187T8

公开(公告)日：2013-03-21

申请号：DE112011101187

申请日：2011-05-24

Applicant: IBM

Inventor： RYLYAKOV ALEXANDER ,  GREEN WILLIAM MICHAEL ,  SCHOW CLINT L ,  VLASOV YURII

IPC: G02F1/01 ,  G02F1/025 ,  H04B3/40

公开(公告)号：DE112016003245B4

公开(公告)日：2025-05-15

申请号：DE112016003245

申请日：2016-09-19

Applicant: IBM

Inventor： GOKMEN TAYFUN ,  VLASOV YURII ,  KIM SEYOUNG

IPC: G06N3/063 ,  G06F3/00 ,  G06G7/60 ,  G06N3/084 ,  G11C11/54

Abstract: Resistive Verarbeitungseinheit (RPU) mit zwei Anschlüssen, die aufweist:einen ersten Anschluss;einen zweiten Anschluss; undeinen aktiven Bereich mit einem Widerstand, wobei die RPU (820,820A) ein Neuron in einem neuronalen Netzwerk darstellt, und der Widerstand des aktiven Bereichs eine Gewichtung des Neurons gemäß einer auf das neuronale Netzwerk angewandten Trainingsmethodik kennzeichnet;wobei der aktive Bereich so konfiguriert ist, dass er eine nichtlineare Änderung des Widerstands auf stochastische Weise bewirkt, die auf mindestens einem an den ersten Anschluss angelegten ersten codierten Signal und mindestens einem an den zweiten Anschluss angelegten zweiten codierten Signal beruht;wobei der aktive Bereich außerdem so konfiguriert ist, dass er einen Datenspeichervorgang einer Trainingsmethodik, der zumindest teilweise auf der nichtlinearen Änderung des Widerstands beruht, lokal ausführt; undwobei der aktive Bereich außerdem so konfiguriert ist, dass er einen Datenverarbeitungsvorgang der Trainingsmethodik, der zumindest teilweise auf der nichtlinearen Änderung des Widerstands beruht, lokal ausführt, und wobei das Codieren des mindestens einen ersten codierten Signals und des mindestens einen zweiten codierten Signals eine stochastische Folge von Impulsen aufweist.

公开(公告)号：DE112016003245T5

公开(公告)日：2018-04-12

申请号：DE112016003245

申请日：2016-09-19

Applicant: IBM

Inventor： GOKMEN TAYFUN ,  VLASOV YURII ,  KIM SEYOUNG

IPC: G06F3/00

Abstract: Ausführungsformen sind auf eine resistive Verarbeitungseinheit (RPU) mit zwei Anschlüssen gerichtet, die einen ersten Anschluss, einen zweiten Anschluss und einen aktiven Bereich hat. Der aktive Bereich bewirkt eine nichtlineare Änderung an einem Leitungszustand des aktiven Bereichs aufgrund von mindestens einem an den ersten Anschluss angelegten ersten codierten Signal und mindestens einem an den zweiten Anschluss angelegten zweiten codierten Signal. Der aktive Bereich ist so konfiguriert, dass er einen Datenspeichervorgang einer Trainingsmethodik, der zumindest teilweise auf der nichtlinearen Änderung am Leitungszustand beruht, lokal ausführt. Der aktive Bereich ist außerdem so konfiguriert, dass er einen Datenverarbeitungsvorgang der Trainingsmethodik, der zumindest teilweise auf der nichtlinearen Änderung am Leitungszustand beruht, lokal ausführt.

公开(公告)号：DE112011102241T5

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：DE112011102241

申请日：2011-06-21

Applicant: IBM

Inventor： PARK JIN-HONG ,  KIM JEE HWAN ,  ASSEFA SOLOMON ,  VLASOV YURII

IPC: H01L31/102

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden einer Photodetektoreinheit beinhaltet das Bilden einer Isolatorschicht auf einem Substrat, das Bilden einer Germaniumschicht (Ge-Schicht) auf der Isolatorschicht und einem Teil des Substrats, das Bilden einer zweiten Isolatorschicht auf der Ge-Schicht, das Implantieren von n-Ionen in die Ge-Schicht, das Strukturieren der n-Ge-Schicht, das Bilden einer deckenden Isolatorschicht auf der zweiten Isolatorschicht und einem Teil der ersten Isolatorschicht, das Erwärmen der Einheit zum Kristallisieren der Ge-Schicht, wodurch sich eine einkristalline n-Ge-Schicht ergibt, und das Bilden von elektrisch mit der einkristallinen n-Ge-Schicht verbundenen Elektroden.