公开(公告)号：WO2012000849A2

公开(公告)日：2012-01-05

申请号：PCT/EP2011060377

申请日：2011-06-21

Applicant: IBM ,  IBM UK ,  PARK JIN-HONG ,  ASSEFA SOLOMON ,  KIM JEE HWAN ,  VLASOV YURII

Inventor： PARK JIN-HONG ,  ASSEFA SOLOMON ,  KIM JEE HWAN ,  VLASOV YURII

IPC: H01L31/102

CPC classification number: H01L31/1808 ,  H01L31/1085 ,  Y02E10/50

Abstract: A method for forming a photodetector device includes forming an insulator layer on a substrate, forming a germanium (Ge) layer on the insulator layer and a portion of the substrate, forming a second insulator layer on the Ge layer, implanting n-type ions in the Ge layer, patterning the n-type Ge layer, forming a capping insulator layer on the second insulator layer and a portion of the first insulator layer, heating the device to crystallize the Ge layer resulting in an single crystalline n-type Ge layer, and forming electrodes electrically connected to the single crystalline n-type Ge layer.

Abstract translation: 一种用于形成光电检测器装置的方法包括：在衬底上形成绝缘体层;在绝缘体层和衬底的一部分上形成锗（Ge）层;在Ge层上形成第二绝缘体层;将n型离子注入 Ge层，图案化n型Ge层，在第二绝缘层和一部分第一绝缘层上形成覆盖绝缘层，加热器件以结晶Ge层，产生单晶n型Ge层， 以及形成电连接到单晶n型Ge层的电极。

公开(公告)号：JP2015092641A

公开(公告)日：2015-05-14

申请号：JP2015028988

申请日：2015-02-17

Applicant: IBM

Inventor： PARK JIN-HONG ,  SOLOMON ASSEFA ,  KIM JEEHWAN ,  YURII VLASOV

IPC: H01L31/10

Abstract: 【課題】光検出デバイスを形成するための方法を提供する。【解決手段】光検出デバイスを形成するための方法が、基板上にゲルマニウム(Ge)層を形成することと、Ge層上に第1の絶縁体層を形成することと、Ge層内にn型イオンを注入することと、Ge層内のn型イオンを活性化させて単結晶n型Ge層を形成することと、第1の絶縁体層をパターン化して単結晶n型Ge層の露出部分を形成することと、単結晶n型Ge層の露出部分にゲルマニウム化物領域を形成することと、ゲルマニウム化物領域に電気的に接続された電極を形成することと、を含む。【選択図】図5

公开(公告)号：GB2495437A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：GB201300364

申请日：2011-06-21

Applicant: IBM

Inventor： PARK JIN-HONG ,  ASSEFA SOLOMON ,  KIM JEE HWAN ,  VLASOV YURIL

IPC: H01L31/108 ,  H01L31/18

Abstract: A method for forming a photodetector device includes forming an insulator layer on a substrate, forming a germanium (Ge) layer on the insulator layer and a portion of the substrate, forming a second insulator layer on the Ge layer, implanting n-type ions in the Ge layer, patterning the n-type Ge layer, forming a capping insulator layer on the second insulator layer and a portion of the first insulator layer, heating the device to crystallize the Ge layer resulting in an single crystalline n-type Ge layer, and forming electrodes electrically connected to the single crystalline n-type Ge layer.

公开(公告)号：DE112011102241T5

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：DE112011102241

申请日：2011-06-21

Applicant: IBM

Inventor： PARK JIN-HONG ,  KIM JEE HWAN ,  ASSEFA SOLOMON ,  VLASOV YURII

IPC: H01L31/102

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden einer Photodetektoreinheit beinhaltet das Bilden einer Isolatorschicht auf einem Substrat, das Bilden einer Germaniumschicht (Ge-Schicht) auf der Isolatorschicht und einem Teil des Substrats, das Bilden einer zweiten Isolatorschicht auf der Ge-Schicht, das Implantieren von n-Ionen in die Ge-Schicht, das Strukturieren der n-Ge-Schicht, das Bilden einer deckenden Isolatorschicht auf der zweiten Isolatorschicht und einem Teil der ersten Isolatorschicht, das Erwärmen der Einheit zum Kristallisieren der Ge-Schicht, wodurch sich eine einkristalline n-Ge-Schicht ergibt, und das Bilden von elektrisch mit der einkristallinen n-Ge-Schicht verbundenen Elektroden.

公开(公告)号：GB2495437B

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：GB201300364

申请日：2011-06-21

Applicant: IBM

Inventor： PARK JIN-HONG ,  ASSEFA SOLOMON ,  KIM JEE HWAN ,  VLASOV YURIL

IPC: H01L31/108 ,  H01L31/18

公开(公告)号：DE112011102241B4

公开(公告)日：2013-10-10

申请号：DE112011102241

申请日：2011-06-21

Applicant: IBM

Inventor： PARK JIN-HONG ,  KIM JEE HWAN ,  ASSEFA SOLOMON ,  VLASOV YURII

IPC: H01L31/102

Abstract: Verfahren zum Bilden einer Photodetektoreinheit, das Verfahren aufweisend: Bilden einer ersten Isolatorschicht auf einem Substrat; Bilden einer Germaniumschicht (Ge-Schicht) auf der Isolatorschicht und einem Teil des Substrats; Bilden einer zweiten Isolatorschicht auf der Ge-Schicht; Implantieren von n-Ionen in die Ge-Schicht; Strukturieren der n-Ge-Schicht; Bilden einer deckenden Isolatorschicht auf der zweiten Isolatorschicht und einem Teil der ersten Isolatorschicht; Erwärmen der Einheit zum Kristallisieren der Ge-Schicht, wodurch sich eine einkristalline n-Ge-Schicht ergibt; und Bilden von elektrisch mit der einkristallinen n-Ge-Schicht verbundenen Elektroden.