公开(公告)号：GB2508122A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：GB201404419

申请日：2012-09-14

Applicant: IBM

Inventor： BHOO-VARAGHAN BHAVANA ,  FAROOQ MUKTA G ,  KINSER EMILY R ,  SAROOP SUDESH

IPC: H01L21/66 ,  H01L23/58

Abstract: A leakage measurement structure for through substrate vias which includes a semiconductor substrate; a plurality of through substrate vias in the semiconductor substrate extending substantially through the semiconductor substrate; and a leakage measurement structure located in the semiconductor substrate. The leakage measurement structure includes a plurality of substrate contacts extending into the semiconductor substrate; a plurality of sensing circuits connected to the plurality of through substrate vias and to the plurality of the substrate contacts, the plurality of sensing circuits providing a plurality of outputs indicative of current leakage from the plurality of through substrate vias; a built-in self test (BIST) engine to step through testing of the plurality of through substrate vias; and a memory coupled to the BIST engine to receive the outputs from the plurality of sensing circuits. Also included is a method of testing a semiconductor substrate.

公开(公告)号：DE112012001870T5

公开(公告)日：2014-03-27

申请号：DE112012001870

申请日：2012-06-19

Applicant: IBM

Inventor： FAROOQ MUKTA G ,  HANNON ROBERT ,  VOLANT RICHARD P ,  ANDRY PAUL S ,  IYER SUBRAMANIAN S ,  KINSER EMILY R ,  TSANG CORNELIA K

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768

Abstract: Die vorliegende Offenbarung stellt einen thermo-mechanisch zuverlässigen Kupfer-TSV sowie eine Technik zum Bilden eines derartigen TSV während eines BEOL-Prozessablaufs bereit. Der TSV bildet einen ringförmigen Graben, der sich durch das Halbleitersubstrat hindurch erstreckt. Das Substrat definiert die inneren und äußeren Seitenwände des Grabens, wobei die Seitenwände durch einen Abstand innerhalb des Bereichs von 5 bis 10 Mikrometer separiert sind. Ein leitfähiger Pfad, der Kupfer oder eine Kupfer-Legierung aufweist, erstreckt sich innerhalb des Grabens von einer oberen Fläche der ersten dielektrischen Schicht durch das Substrat hindurch. Die Dicke des Substrats kann 60 Mikrometer oder weniger betragen. Direkt über dem ringförmigen Graben ist eine dielektrische Schicht mit einer Zwischenverbindungsmetallisierung ausgebildet, die mit dem leitfähigen Pfad leitfähig verbunden ist.

公开(公告)号：GB2486357A

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：GB201202913

申请日：2010-08-23

Applicant: IBM

Inventor： FAROOQ MUKTA G ,  KINSER EMILY R ,  MELVILLE IAN D ,  SEMKOW KRYSTYNA W

IPC: H01L23/532

Abstract: Disclosed is a semiconductor device wherein an insulation layer has a copper plug in contact with the last wiring layer of the device. There may also be a barrier layer separating the copper plug from the insulation layer. In a further embodiment, there may also be an aluminum layer between the insulation layer and copper plug. Also disclosed is a process for making the semiconductor device.