中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

9 records (took 0.034 seconds)

    OPTIMIZED ANNULAR COPPER TSV
    2.
    发明申请
    OPTIMIZED ANNULAR COPPER TSV 审中-公开
    优化的环形铜片TSV

    公开(公告)号：WO2012177585A3

    公开(公告)日：2013-04-25

    申请号：PCT/US2012043052

    申请日：2012-06-19

    Applicant: IBM ,  ANDRY PAUL S ,  FAROOQ MUKTA G ,  HANNON ROBERT ,  IYER SUBRAMANIAN S ,  KINSER EMILY R ,  TSANG CORNELIA K ,  VOLANT RICHARD P

    Inventor： ANDRY PAUL S ,  FAROOQ MUKTA G ,  HANNON ROBERT ,  IYER SUBRAMANIAN S ,  KINSER EMILY R ,  TSANG CORNELIA K ,  VOLANT RICHARD P

    IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768

    CPC classification number: H01L21/76846 ,  H01L23/481 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: The present disclosure provides a thermo-mechanically reliable copper TSV and a technique to form such TSV during BEOL processing. The TSV constitutes an annular trench which extends through the semiconductor substrate. The substrate defines the inner and outer sidewalls of the trench, which sidewalls are separated by a distance within the range of 5 to 10 microns. A conductive path comprising copper or a copper alloy extends within said trench from an upper surface of said first dielectric layer through said substrate. The substrate thickness can be 60 microns or less. A dielectric layer having interconnect metallization conductively connected to the conductive path is formed directly over said annular trench.

    Abstract translation: 本公开提供了热机械可靠的铜TSV和在BEOL处理期间形成这种TSV的技术。 TSV构成延伸穿过半导体衬底的环形沟槽。 衬底限定沟槽的内侧壁和外侧壁，该侧壁分隔5至10微米的距离。 包括铜或铜合金的导电路径从所述第一介电层的上表面通过所述衬底在所述沟槽内延伸。 基板厚度可以为60微米或更小。 具有导电连接到导电路径的互连金属化的电介质层直接形成在所述环形沟槽上。

    Optimized annular copper TSV
    3.
    发明专利
    Optimized annular copper TSV 未知

    公开(公告)号：GB2505576A

    公开(公告)日：2014-03-05

    申请号：GB201318982

    申请日：2012-06-19

    Applicant: IBM

    Inventor： ANDRY PAUL S ,  FAROOQ MUKTA G ,  HANNON ROBERT ,  IYER SUBRAMANIAN S ,  KINSER EMILY R ,  TSANG CORNELIA K ,  VOLANT RICHARD P

    IPC: H01L23/48 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768

    Abstract: The present disclosure provides a thermo-mechanically reliable copper TSV and a technique to form such TSV during BEOL processing. The TSV constitutes an annular trench which extends through the semiconductor substrate. The substrate defines the inner and outer sidewalls of the trench, which sidewalls are separated by a distance within the range of 5 to 10 microns. A conductive path comprising copper or a copper alloy extends within said trench from an upper surface of said first dielectric layer through said substrate. The substrate thickness can be 60 microns or less. A dielectric layer having interconnect metallization conductively connected to the conductive path is formed directly over said annular trench.

    Flattened substrate surface for substrate bonding
    4.
    发明专利
    Flattened substrate surface for substrate bonding 未知

    公开(公告)号：GB2509683A

    公开(公告)日：2014-07-09

    申请号：GB201408711

    申请日：2012-08-03

    Applicant: IBM

    Inventor： COONEY EDWARD C ,  DUNN JAMES S ,  MARTIN DALE W ,  MUSANTE CHARLES F ,  RAINEY BETH-ANN ,  SHI LEATHEN ,  SPROGIS EDMUND J ,  TSANG CORNELIA K

    IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768 ,  H01L23/528

    Abstract: Methods for bonding substrate surfaces, bonded substrate assemblies, and design structures for a bonded substrate assembly. Device structures (18, 19, 20, 21) of a product chip (25) are formed using a first surface (15) of a device substrate (10). A wiring layer (26) of an interconnect structure for the device structures is formed on the product chip. The wiring layer is planarized. A temporary handle wafer (52) is removably bonded to the planarized wiring layer. In response to removably bonding the temporary handle wafer to the planarized first wiring layer, a second surface (54) of the device substrate, which is opposite to the first surface, is bonded to a final handle substrate (56). The temporary handle wafer is then removed from the assembly.

    Optimized annular copper TSV
    5.
    发明专利
    Optimized annular copper TSV 未知

    公开(公告)号：GB2505576B

    公开(公告)日：2016-03-23

    申请号：GB201318982

    申请日：2012-06-19

    Applicant: IBM

    Inventor： ANDRY PAUL S ,  FAROOQ MUKTA G ,  HANNON ROBERT ,  IYER SUBRAMANIAN S ,  KINSER EMILY R ,  TSANG CORNELIA K ,  VOLANT RICHARD P

    IPC: H01L23/48 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768

    Abstract: The present disclosure provides a thermo-mechanically reliable copper TSV and a technique to form such TSV during BEOL processing. The TSV constitutes an annular trench which extends through the semiconductor substrate. The substrate defines the inner and outer sidewalls of the trench, which sidewalls are separated by a distance within the range of 5 to 10 microns. A conductive path comprising copper or a copper alloy extends within said trench from an upper surface of said first dielectric layer through said substrate. The substrate thickness can be 60 microns or less. A dielectric layer having interconnect metallization conductively connected to the conductive path is formed directly over said annular trench.

    Abgeflachte Substratoroberfläche für ein Bonden eines Substrats
    6.
    发明专利
    Abgeflachte Substratoroberfläche für ein Bonden eines Substrats 未知

    公开(公告)号：DE112012004106T5

    公开(公告)日：2014-07-10

    申请号：DE112012004106

    申请日：2012-08-03

    Applicant: IBM

    Inventor： COONEY EDWARD C ,  DUNN JAMES S ,  MARTIN DALE W ,  MUSANTE CHARLES F ,  RAINEY BETH-ANN ,  SHI LEATHEN ,  SPROGIS EDMUND J ,  TSANG CORNELIA K

    IPC: H01L21/60 ,  H01L21/58 ,  H01L23/48

    Abstract: Verfahren zum Bonden von Substratoberflächen, gebondete Substratanordnungen sowie Entwurfsstrukturen für eine gebondete Substratanordnung. Es werden Einheiten-Strukturen (18, 19, 20, 21) eines Produkt-Chips (25) unter Verwendung einer ersten Oberfläche (15) eines Einheiten-Substrats (10) gebildet. Auf dem Produkt-Chip wird eine Verdrahtungsschicht (26) einer Zwischenverbindungsstruktur für die Einheiten-Strukturen gebildet. Die Verdrahtungsschicht wird planarisiert. Ein provisorischer Handhabungswafer (52) wird entfernbar an die planarisierte Verdrahtungsschicht gebondet. In Reaktion auf das entfernbare Bonden des provisorischen Handhabungswafers an die planarisierte erste Verdrahtungsschicht wird eine zweite Oberfläche (54) des Einheiten-Substrats, die entgegengesetzt zu der ersten Oberfläche ist, an ein endgültiges Handhabungssubstrat (56) gebondet. Anschließend wird der provisorische Handhabungswafer von der Anordnung entfernt.

    OPTIMIZED ANNULAR COPPER TSV
    8.
    发明专利
    OPTIMIZED ANNULAR COPPER TSV 未知

    公开(公告)号：CA2828498A1

    公开(公告)日：2012-12-27

    申请号：CA2828498

    申请日：2012-06-19

    Applicant: IBM

    Inventor： ANDRY PAUL S ,  FAROOQ MUKTA G ,  HANNON ROBERT ,  IYER SUBRAMANIAN S ,  KINSER EMILY R ,  TSANG CORNELIA K ,  VOLANT RICHARD P

    IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768

    Abstract: The present disclosure provides a thermo-mechanically reliable copper TSV and a technique to form such TSV during BEOL processing. The TSV constitutes an annular trench which extends through the semiconductor substrate. The substrate defines the inner and outer sidewalls of the trench, which sidewalls are separated by a distance within the range of 5 to 10 microns. A conductive path comprising copper or a copper alloy extends within said trench from an upper surface of said first dielectric layer through said substrate. The substrate thickness can be 60 microns or less. A dielectric layer having interconnect metallization conductively connected to the conductive path is formed directly over said annular trench.

    Optimierter ringförmiger Kupfer-TSV
    9.
    发明专利
    Optimierter ringförmiger Kupfer-TSV 未知

    公开(公告)号：DE112012001870T5

    公开(公告)日：2014-03-27

    申请号：DE112012001870

    申请日：2012-06-19

    Applicant: IBM

    Inventor： FAROOQ MUKTA G ,  HANNON ROBERT ,  VOLANT RICHARD P ,  ANDRY PAUL S ,  IYER SUBRAMANIAN S ,  KINSER EMILY R ,  TSANG CORNELIA K

    IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768

    Abstract: Die vorliegende Offenbarung stellt einen thermo-mechanisch zuverlässigen Kupfer-TSV sowie eine Technik zum Bilden eines derartigen TSV während eines BEOL-Prozessablaufs bereit. Der TSV bildet einen ringförmigen Graben, der sich durch das Halbleitersubstrat hindurch erstreckt. Das Substrat definiert die inneren und äußeren Seitenwände des Grabens, wobei die Seitenwände durch einen Abstand innerhalb des Bereichs von 5 bis 10 Mikrometer separiert sind. Ein leitfähiger Pfad, der Kupfer oder eine Kupfer-Legierung aufweist, erstreckt sich innerhalb des Grabens von einer oberen Fläche der ersten dielektrischen Schicht durch das Substrat hindurch. Die Dicke des Substrats kann 60 Mikrometer oder weniger betragen. Direkt über dem ringförmigen Graben ist eine dielektrische Schicht mit einer Zwischenverbindungsmetallisierung ausgebildet, die mit dem leitfähigen Pfad leitfähig verbunden ist.

Patent Agency Ranking