公开(公告)号：DE102021127166A1

公开(公告)日：2022-05-05

申请号：DE102021127166

申请日：2021-10-20

Applicant: IBM

Inventor： LIANG JIM SHIH-CHUN ,  LI BAOZHEN ,  YANG CHIH-CHAO

IPC: H01L27/08 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

Abstract: Es wird eine integrierte Schaltungsstruktur bereitgestellt. Die integrierte Schaltungsstruktur weist eine Back-End-of-Line(BEOL)-Verdrahtungsschicht auf, die Metallleitungen sowie einen ersten Bereich zwischen den Metallleitungen umfasst. Die integrierte Schaltungsstruktur weist außerdem einen Metall-Isolator-Metall(MIM)-Kondensator auf, der in dem ersten Bereich ausgebildet ist. Der MIM-Kondensator weist auf: eine erste Elektrode, eine erste dielektrische Schicht, die auf der ersten Elektrode ausgebildet ist, eine zweite Elektrode, die auf der ersten dielektrischen Schicht ausgebildet ist, eine zweite dielektrische Schicht, die auf der zweiten Elektrode ausgebildet ist, eine dritte Elektrode, die auf der zweiten dielektrischen Schicht ausgebildet ist, eine dritte dielektrische Schicht, die auf der dritten Elektrode ausgebildet ist, eine vierte Elektrode, die auf der dritten dielektrischen Schicht ausgebildet ist, eine erste Metall-Zwischenverbindung, welche die erste Elektrode und die dritte Elektrode elektrisch verbindet, sowie eine zweite Metall-Zwischenverbindung, welche die zweite Elektrode mit der vierten Elektrode elektrisch verbindet.

公开(公告)号：GB2504418B

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：GB201319175

申请日：2012-04-04

Applicant: IBM

Inventor： YANG CHIH-CHAO ,  GATES STEPHEN M ,  LI BAOZHEN ,  EDELSTEIN DANIEL C

IPC: H01L23/525