公开(公告)号：DE102012220824A1

公开(公告)日：2013-06-06

申请号：DE102012220824

申请日：2012-11-15

Applicant: IBM

Inventor： NUMMY KAREN A ,  PEI CHENGWEN ,  RAUSCH WERNER A ,  WANG GENG

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: Ein Graben wird in einem Halbleitersubstrat gebildet und mit einer Knotendielektrikumsschicht und mindestens einem leitfähigen Füllmaterialabschnitt gefüllt, welcher als innere Elektrode fungiert. Der mindestens eine leitfähige Füllmaterialabschnitt weist einen dotierten polykristallinen Halbleiterfüllungsabschnitt auf. Auf dem Halbleitersubstrat wird ein Gate-Stapel für einen Zugriffstransistor gebildet, und um den Gate-Stapel herum wird ein Gate-Abstandhalter gebildet. Zwischen einer äußeren Seitenwand des Gate-Abstandhalters und einer Seitenwand des dotierten polykristallinen Halbleiterfüllungsabschnitts wird ein Source/Drain-Graben gebildet. Eine epitaxiale Source-Zone und ein polykristalliner Halbleitermaterialabschnitt werden gleichzeitig durch ein selektives Epitaxieverfahren gebildet, so dass die epitaxiale Source-Zone und der polykristalline Halbleitermaterialabschnitt miteinander ohne eine Lücke dazwischen in Kontakt stehen. Der polykristalline Halbleitermaterialabschnitt stellt einen robusten Leitweg mit niedrigem Widerstand zwischen der Source-Zone und der inneren Elektrode bereit.