公开(公告)号：DE102012220824B4

公开(公告)日：2015-07-23

申请号：DE102012220824

申请日：2012-11-15

Applicant: IBM

Inventor： NUMMY KAREN A ,  PEI CHENGWEN ,  RAUSCH WERNER A ,  WANG GENG

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: Halbleiterstruktur, aufweisend: einen in einem Halbleitersubstrat angeordneten Graben, der sich in einer Halbleiterschicht erstreckt, welche ein erstens monokristallines Halbleitermaterial aufweist, und der mit einer Knotendielektrikumsschicht und mindestens einem leitfähigen Füllmaterialabschnitt gefüllt ist, wobei der mindestens eine leitfähige Füllmaterialabschnitt einen dotierten Halbleiterfüllungsabschnitt aufweist, der seitlich mit dem ersten monokristallinen Halbleitermaterial in Kontakt steht; und eine Source-Zone, die in die Halbleiterschicht eingebettet ist und ein anderes monokristallines Halbleitermaterial aufweist, welches sich von dem ersten monokristallinen Halbleitermaterial unterscheidet und epitaxial an dem monokristallinen Halbleitermaterial ausgerichtet ist und einen epitaxialen Halbleitermaterialabschnitt bildet; und einen polykristallinen Halbleitermaterialabschnitt, der mit einer obersten horizontalen Fläche des dotierten Halbleiterfüllungsabschnitts in Kontakt steht und ein gleiches Material wie die Source-Zone aufweist und mit der Source-Zone in Kontakt steht.

公开(公告)号：DE102012220824A1

公开(公告)日：2013-06-06

申请号：DE102012220824

申请日：2012-11-15

Applicant: IBM

Inventor： NUMMY KAREN A ,  PEI CHENGWEN ,  RAUSCH WERNER A ,  WANG GENG

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: Ein Graben wird in einem Halbleitersubstrat gebildet und mit einer Knotendielektrikumsschicht und mindestens einem leitfähigen Füllmaterialabschnitt gefüllt, welcher als innere Elektrode fungiert. Der mindestens eine leitfähige Füllmaterialabschnitt weist einen dotierten polykristallinen Halbleiterfüllungsabschnitt auf. Auf dem Halbleitersubstrat wird ein Gate-Stapel für einen Zugriffstransistor gebildet, und um den Gate-Stapel herum wird ein Gate-Abstandhalter gebildet. Zwischen einer äußeren Seitenwand des Gate-Abstandhalters und einer Seitenwand des dotierten polykristallinen Halbleiterfüllungsabschnitts wird ein Source/Drain-Graben gebildet. Eine epitaxiale Source-Zone und ein polykristalliner Halbleitermaterialabschnitt werden gleichzeitig durch ein selektives Epitaxieverfahren gebildet, so dass die epitaxiale Source-Zone und der polykristalline Halbleitermaterialabschnitt miteinander ohne eine Lücke dazwischen in Kontakt stehen. Der polykristalline Halbleitermaterialabschnitt stellt einen robusten Leitweg mit niedrigem Widerstand zwischen der Source-Zone und der inneren Elektrode bereit.

公开(公告)号：CA1273274A

公开(公告)日：1990-08-28

申请号：CA508583

申请日：1986-05-07

Applicant: IBM

Inventor： BEYER KLAUS D ,  MAKRIS JAMES S ,  MENDEL ERIC ,  NUMMY KAREN A ,  OGURA SEIKI ,  RISEMAN JACOB ,  ROVEDO NIVO

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/302 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/74 ,  H01L21/762 ,  H01L21/763 ,  H01L21/205

Abstract: A chemical-mechanical (chem-mech) method for removing SiO2 protuberances at the surface of a silicon chip, such protuberances including "bird heads". A thin etch stop layer of Si3N4 is deposited onto the wafer surface, which is then chem-mech polished with a SiO2 water based slurry. The Si3N4 acts as a polishing or etch stop barrier layer only on the planar portions of the wafer surface. The portions of the Si3N4 layer located on the top and at the sidewalls of the "bird' heads" and the underlying SiO2 protuberances are removed to provide a substantially planar integrated structure.