公开(公告)号：DE10255988A1

公开(公告)日：2004-06-17

申请号：DE10255988

申请日：2002-11-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  AIR PROD & CHEM

Inventor： HOECKELE UWE ,  NOWIK OREST ,  WINZIG HUBERT ,  SCHREIBER KAI-ALEXANDER ,  KESSLER HANS ,  JOHNSON ANDREW ,  SISTERN MARK IAN

IPC: B08B6/00 ,  B08B7/00 ,  C23C20060101 ,  C23C16/44 ,  C23F4/00

Abstract: A method for cleaning silicon-containing deposits in process chamber is described. Fluorine-containing compounds and additional compounds are used for the cleaning. The deposits are removed using a cleaning gas contains fluorine-containing compounds, at least 50% of which have more than one carbon atom and are C 4 F 8 or C 2 F 6 molecules, and additional compounds, at least 50% of which have at least one oxygen atom and at least 50% are N 2 O molecules. A pressure in the chamber is between 266 Pa and 665 Pa. The method permits economical and environmentally friendly cleaning of the process chamber.

公开(公告)号：DE102017218635B4

公开(公告)日：2021-03-18

申请号：DE102017218635

申请日：2017-10-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： METZGER-BRUECKL GERHARD ,  STRASSER JOHANN ,  HOECKELE UWE ,  DEHE ALFONS ,  WALTHER ARNAUD

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02

Abstract: Verfahren (100) zum Verschließen einer Zugangsöffnung (230) zu einer Kavität (220), mit folgenden Schritten:Bereitstellen (120) einer Schichtanordnung (221) mit einer ersten Schichtstruktur (210) und einer angrenzend an die erste Schichtstruktur (210) angeordneten Kavität (220), wobei die erste Schichtstruktur (210) eine Zugangsöffnung (230) zu der Kavität (220) aufweist,Durchführen (140) einer CVD-Schichtabscheidung zum Bilden einer ersten Abdeckungsschicht (240) mit einer Schichtdicke (D240) auf der ersten Schichtstruktur (210) mit der Zugangsöffnung (230), wobei die Schichtdicke (D240) der ersten Abdeckungsschicht (240) im Verhältnis zu einem Durchmesser (D230) der Zugangsöffnung (230) gewählt wird, um eine Verjüngung (240-A) der ersten Abdeckungsschicht (240) in einem Mittenbereich der Zugangsöffnung (230) zu erhalten, undDurchführen (160) einer HDP-Schichtabscheidung mit einem ersten und zweiten Teilschritt zum Bilden einer zweiten Abdeckungsschicht (250) auf der ersten Abdeckungsschicht (240),wobei bei dem ersten Teilschritt eine Abscheidung einer Liner-Materialschicht (250) auf der ersten Abdeckungsschicht (240) erfolgt,wobei bei dem zweiten Teilschritt ein teilweises Rücksputtern der Liner-Materialschicht (250) und ferner der ersten Abdeckungsschicht (240) im Bereich (230-A) der Zugangsöffnung (230) erfolgt, undwobei der erste und zweite Teilschritt abwechselnd und mehrmals wiederholt durchgeführt werden.

公开(公告)号：DE102017218635A1

公开(公告)日：2019-04-18

申请号：DE102017218635

申请日：2017-10-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： METZGER-BRUECKL GERHARD ,  STRASSER JOHANN ,  HOECKELE UWE ,  DEHE ALFONS ,  WALTHER ARNAUD

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02

Abstract: Ein Verfahren (100) zum Verschließen einer Zugangsöffnung (230) zu einer Kavität (220), umfasst folgende Schritte: Bereitstellen (120) einer Schichtanordnung (221) mit einer ersten Schichtstruktur (210) und einer angrenzend an die erste Schichtstruktur (210) angeordneten Kavität (220), wobei die erste Schichtstruktur (210) eine Zugangsöffnung (230) zu der Kavität (220) aufweist; Durchführen (140) einer CVD-Schichtabscheidung zum Bilden einer ersten Abdeckungsschicht (240) mit einer Schichtdicke (D) auf der ersten Schichtstruktur (210) mit der Zugangsöffnung (230); und Durchführen (160) einer HDP-Schichtabscheidung mit einem ersten und zweiten Teilschritt zum Bilden einer zweiten Abdeckungsschicht (250) auf der ersten Abdeckungsschicht (240), wobei bei dem ersten Teilschritt eine Abscheidung einer Liner-Materialschicht (250) auf der ersten Abdeckungsschicht (240) erfolgt, wobei bei dem zweiten Teilschritt ein teilweises Rücksputtern der Liner-Materialschicht (250) und ferner der ersten Abdeckungsschicht (240) im Bereich (230-A) der Zugangsöffnung (230) erfolgt, und wobei der erste und zweite Teilschritt abwechselnd und mehrmals wiederholt durchgeführt werden.

公开(公告)号：DE102012212152A1

公开(公告)日：2013-01-17

申请号：DE102012212152

申请日：2012-07-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOECKELE UWE

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  H01L23/50 ,  H01L27/06

Abstract: Ein Chip umfasst eine integrierte Schaltung und eine kohlenstoffhaltige Schicht. Die kohlenstoffhaltige Schicht umfasst einen graphitartigen Kohlenstoff, wobei ein lateraler leitfähiger Weg durch den graphitartigen Kohlenstoff zwei Schaltungselemente der integrierten Schaltung elektrisch verbindet.

公开(公告)号：DE102010003129A1

公开(公告)日：2010-10-14

申请号：DE102010003129

申请日：2010-03-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ADLER JOERG ,  GOELLNER REINHARD ,  HOECKELE UWE ,  JALICS CHRISTOF ,  NICKUT PATRICIA ,  OBERNHUBER SANDRA ,  PREIS WALTER ,  SCHEST TANJA

IPC: H01L41/22 ,  H01L21/28 ,  H01L21/304 ,  H01L41/047

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines Bauelements auf einem Substrat umfasst die Schritte des Bildens einer Schichtstruktur auf dem Substrat, des Bildens einer Hilfsschicht auf der Schichtstruktur, des Bildens einer Planarisierungsschicht auf der Hilfsschicht und auf dem Substrat, des Freilegens der Hilfsschicht durch einen chemisch-mechanischen Polierprozess und des Entfernens der Hilfsschicht zumindest teilweise, um eine planare Oberfläche der verbleibenden Hilfsschicht oder der Schichtstruktur und der Planarisierungsschicht zu bilden. Der chemisch-mechanische Polierprozess umfasst eine erste Entfernungsrate bezüglich der Planarisierungsschicht und eine zweite Entfernungsrate bezüglich der Hilfsschicht und die erste Entfernungsrate ist größer als die zweite Entfernungsrate.