公开(公告)号：DE102012109745B4

公开(公告)日：2017-10-19

申请号：DE102012109745

申请日：2012-10-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： AUER FRANK ,  KÖPPL BENNO ,  KIEP ANDREAS

IPC: G01R19/00 ,  G01K7/01 ,  G01R17/00 ,  G01R31/02 ,  H02M1/32

Abstract: Schaltungsanordnung aufweisend, eine Brückenschaltung, die wenigstens zwei Feldeffekt-Transistoren (210, 214) aufweist; eine Messschaltung (242), die dazu eingerichtet ist, eine Durchlassspannung einer Body-Diode (212) von einem der wenigstens zwei Feldeffekt-Transistoren (210, 214), die von einem vordefinierten Strom resultiert, der durch den Feldeffekt-Transistor (210) fließt, zu messen, eine Temperaturermittlungsschaltung (246), die dazu eingerichtet ist, unter Verwendung der gemessenen Durchlassspannung die Temperatur des Feldeffekt-Transistors (210) zu ermitteln, und des Weiteren dazu eingerichtet ist, unter Verwendung des vordefinierten Stroms, der durch die Body-Diode (212) des Feldeffekt-Transistors (210) fließt, die Temperatur des Feldeffekt-Transistors (210) zu ermitteln; wobei die Messschaltung (242) dazu eingerichtet ist, die Temperatur des Feldeffekt-Transistors (210) während des Betriebs der Brückenschaltung zu ermitteln.

公开(公告)号：DE102014008894A1

公开(公告)日：2014-12-18

申请号：DE102014008894

申请日：2014-06-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WILLKOFER STEFAN ,  KIEP ANDREAS

IPC: H01L23/62 ,  H01L29/739

Abstract: Eine Ausführungsform betrifft eine Vorrichtung, umfassend einen High-Side-Halbleiter, einen Low-Side-Halbleiter, ein erstes Erfassungselement, das angrenzend an dem High-Side-Halbleiter angeordnet ist. Das erste Erfassungselement ist von dem High-Side-Halbleiter isoliert und das erste Erfassungselement ist mit einer Verarbeitungseinheit direkt verbindbar.

公开(公告)号：DE102012109745A1

公开(公告)日：2013-04-18

申请号：DE102012109745

申请日：2012-10-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： AUER FRANK ,  KOEPPL BENNO ,  KIEP ANDREAS

IPC: G01R19/00 ,  G01K7/01 ,  G01R31/02 ,  H02M1/32

Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen wird eine Schaltungsanordnung angegeben, die eine Brückenschaltung aufweisend wenigstens zwei Feldeffekt-Transistoren und eine Messschaltung, eingerichtet zur Messung der Durchlassspannung einer Body-Diode von wenigstens einem der wenigstens zwei Feldeffekt-Transistoren, die aus einem vordefinierten Strom, der durch den Feldeffekt-Transistor fließt, resultiert, aufweist.

公开(公告)号：DE10317380A1

公开(公告)日：2004-11-18

申请号：DE10317380

申请日：2003-04-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KIEP ANDREAS

IPC: H02M3/158 ,  H02M3/156

Abstract: An output voltage (UA) for a load (RL) is measured via a capacitor (C). The load causes a load current (IA). A change-over switch (COS) (Q1,Q2) switches an input voltage (IV) (UE) to a series connection (SC) or short-circuits the SC. A control circuit (CTR) controls the COS so that the COS short-circuits the SC alternately or switches it to the IV.

公开(公告)号：DE10232640A1

公开(公告)日：2004-02-05

申请号：DE10232640

申请日：2002-07-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KIEP ANDREAS ,  HESENER ALFRED

IPC: H02M3/155 ,  H03K17/00 ,  H03K17/0412 ,  H03K17/04 ,  H03K17/687 ,  H03K17/695

Abstract: A circuit comprises a semiconductor switch comprising a control connection (G) and a load stretch (D-S) and is switched between two supply voltages (V1,V2). Two switches (SW1,SW2) for blocking control lie between a supply voltage (V2) and the control connection (G) and between the control connection and a load connection (LA) respectively. An Independent claim is also included for the a process for operating the above circuit.