公开(公告)号：DE102013217173B4

公开(公告)日：2016-12-15

申请号：DE102013217173

申请日：2013-08-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MARTIN KARL-JOSEF ,  ZANNOTH MARKUS ,  HEIN KARL-DIETER ,  BOGUS MATTHIAS ,  BORCKE MATHIAS ,  KÖPPL BENNO

IPC: H03K17/06 ,  H02M1/08

Abstract: Schaltungsanordnung, die aufweist: eine Halbbrücke mit einem High-Side-Schalter (HSS) und einem Low-Side-Schalter (LSS), wobei jeder der Schalter einen Steueranschluss und eine Laststrecke aufweist, wobei die Laststrecken des High-Side-Schalters und des Low-Side-Schalters in Serie zwischen einen Anschluss für ein Versorgungspotential (VBR) und einen Anschluss für ein Referenzpotential (GND) geschaltet sind; einen High-Side-Treiber (DRVH) der dazu ausgebildet ist, ein High-Side-Treibersignal (GSH) am Steueranschluss des High-Side-Schalters (HSS) bereitzustellen, wobei der High-Side-Treiber (DRVH) Versorgungsanschlüsse umfasst; ein Ladungsspeicherelement (CBH), welches zwischen die Versorgungsanschlüsse des High-Side-Treibers (DRVH) geschaltet ist; und eine Steuerschaltung (CC), die aufweist: eine Ladeschaltung (CP) mit einem Eingangsanschluss, der mit einem Versorgungsanschluss verbunden ist, und mit einem Ausgangsanschluss zum Bereitstellen einer Ausgangsspannung; ein Schaltelement (S1), das zwischen den Ausgangsanschluss der Ladeschaltung (CP) und das Ladungsspeicherelement (CBH) geschaltet ist, und eine Treiberschaltung, die dazu ausgebildet ist, das Schaltelement (S1) in Abhängigkeit von wenigstens einem Betriebsparameter der Schaltungsanordnung einzuschalten, wobei die Steuerschaltung (CC) weiterhin ein Gleichrichterelement (D1) aufweist, welches zwischen den Eingangsanschluss und das Ladungsspeicherelement (CBH) geschaltet ist, und wobei die Treiberschaltung dazu ausgebildet ist, das Schaltelement (S1) in Abhängigkeit von einer Spannung über dem Ladungsspeicherelement (CBH), einer Laststreckenspannung des High-Side-Schalters (HSS) oder einem Treibersignal (GSH) des High-Side-Schalters (HSS) einzuschalten.

公开(公告)号：DE102020124345A1

公开(公告)日：2021-04-08

申请号：DE102020124345

申请日：2020-09-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HEILING CHRISTIAN ,  BARRENSCHEEN JENS ,  BOGUS MATTHIAS ,  KÖPPL BENNO ,  ZANNOTH MARKUS

IPC: H02M3/156

Abstract: Gemäß einer Ausführungsform umfasst ein Verfahren: Treiben einer vorgegebenen Last unter Verwendung einer Treiberschaltung gemäß einem Treibermuster; Versorgen der Treiberschaltung mit Strom unter Verwendung eines Schaltnetzteils (SMPS), das derart eingerichtet ist, dass es mit mindestens einer externen Komponente gekoppelt wird; und Überprüfen einer Funktionalität des SMPS während des Treibens der vorgegebenen Last. Das Überprüfen der Funktionalität umfasst: Überwachen von mindestens einem Betriebsparameter des SMPS, wobei der mindestens eine Betriebsparameter des SMPS vom Treibermuster und der mindestens einer externen Komponente abhängig ist, Vergleichen des mindestens einen Betriebsparameters mit mindestens einem erwarteten Betriebsparameter, um ein erstes Vergleichsergebnis zu bilden, und Anzeigen eines Fehlerzustands auf der Grundlage des ersten Vergleichsergebnisses.

公开(公告)号：DE102012109745B4

公开(公告)日：2017-10-19

申请号：DE102012109745

申请日：2012-10-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： AUER FRANK ,  KÖPPL BENNO ,  KIEP ANDREAS

IPC: G01R19/00 ,  G01K7/01 ,  G01R17/00 ,  G01R31/02 ,  H02M1/32

Abstract: Schaltungsanordnung aufweisend, eine Brückenschaltung, die wenigstens zwei Feldeffekt-Transistoren (210, 214) aufweist; eine Messschaltung (242), die dazu eingerichtet ist, eine Durchlassspannung einer Body-Diode (212) von einem der wenigstens zwei Feldeffekt-Transistoren (210, 214), die von einem vordefinierten Strom resultiert, der durch den Feldeffekt-Transistor (210) fließt, zu messen, eine Temperaturermittlungsschaltung (246), die dazu eingerichtet ist, unter Verwendung der gemessenen Durchlassspannung die Temperatur des Feldeffekt-Transistors (210) zu ermitteln, und des Weiteren dazu eingerichtet ist, unter Verwendung des vordefinierten Stroms, der durch die Body-Diode (212) des Feldeffekt-Transistors (210) fließt, die Temperatur des Feldeffekt-Transistors (210) zu ermitteln; wobei die Messschaltung (242) dazu eingerichtet ist, die Temperatur des Feldeffekt-Transistors (210) während des Betriebs der Brückenschaltung zu ermitteln.

公开(公告)号：DE102019107769A1

公开(公告)日：2019-10-10

申请号：DE102019107769

申请日：2019-03-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BARRENSCHEEN JENS ,  FOTOUHI REZA ,  KÖPPL BENNO

IPC: G06F13/42

Abstract: Es werden Systeme, Verfahren und Schaltungen zum Durchführen einer bidirektionalen Kommunikation unter Verwendung einer Flankenzeit in einem Signal bereitgestellt. In einem Beispiel schließt ein Verfahren ein Empfangen eines gemeinsamen Signals auf einer Signalleitung zwischen einer Vorrichtung und einer anderen Vorrichtung ein. Das gemeinsame Signal schließt eine Reihe von Signalperioden ein, und jede Signalperiode schließt eine erste Flanke eines ersten Typs und eine zweite Flanke eines zweiten Typs, der von dem ersten Typ verschieden ist, ein. In jeder Signalperiode der Reihe von Signalperioden: Informationen, die durch die andere Vorrichtung kommuniziert werden, werden mindestens basierend auf der bestimmten Zeit der ersten Flanke bestimmt, und eine Zeit für eine nachfolgende zweite Flanke in Bezug auf die Signalperiode wird basierend auf Informationen, die an die andere Vorrichtung zu kommunizieren sind, bestimmt. Die nachfolgende zweite Flanke wird bei der ausgewählten Zeit in einer nachfolgenden Signalperiode der Reihe von Signalperioden erzeugt.

公开(公告)号：DE102004037543B4

公开(公告)日：2017-02-16

申请号：DE102004037543

申请日：2004-08-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： THIELE STEFFEN ,  SANDER RAINALD ,  ROSSMEIER LUDWIG ,  KÖPPL BENNO ,  MARTINS CARLOS

IPC: H02H7/12 ,  H02M1/00 ,  H02M1/08 ,  H02M1/32 ,  H02M7/48

Abstract: Vorrichtung zum Schutz einer Halbbrückenschaltungsanordnung vor einem Kurzschluss über einer Last (LSC, RSC), umfassend: – eine Halbbrücke mit einem ersten und einem zweiten Zweig, – einen ersten Schalter (M1) im ersten Zweig und einen zweiten Schalter (M2) im zweiten Zweig, – eine erste Detektoreinrichtung (RS1, X1)zum Messen einer Überlast (IHS) im ersten Zweig, – eine zweite Detektoreinrichtung (RS2, X2) zum Messen einer Überlast (IL1) im zweiten Zweig, und – eine Steuerlogik (L) zur Steuerung der beiden Schalter (M1, M2) abhängig von Ausgangssignalen von den beiden Detektoreinrichtungen derart, dass bei Überschreiten einer Überlastschwelle im ersten oder im zweiten Zweig der entsprechende überlastete Schalter für eine bestimmte Zeitdauer abgeschaltet und gleichzeitig der andere, bis dahin abgeschaltete Schalter eingeschaltet wird, gekennzeichnet durch, – eine Einrichtung (F1, F2, F3, F4, FF1, FF2, FF3), die die Steuerlogik (L) bei Feststellung einer Überlast während der bestimmten Zeitdauer im anderen Zweig auch den anderen Schalter abschalten lässt.