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公开(公告)号:DE19935100A1
公开(公告)日:2001-03-15
申请号:DE19935100
申请日:1999-07-27
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: SANDER RAINALD , XU CHIHAO , GANTIOLER JOSEF-MATTHIAS , AUER FRANK
Abstract: A half-bridge circuit arrangement has two transistors (T1,T2) in which both transistors are connected in series by their drain electrodes, a driving voltage (UB) is applied to the series circuit, and a load (L) can be connected to the interconnected drain electrodes of both the transistors. The two transistors (T1,T2) are of opposite conductivity type and each transistor is produced on a discrete chip (CH1,CH2), with both chips placed with their rear faces on a common electrically conducting carrier, so that a drain electrode of the first transistor (T1) is connected to an equivalent drain electrode of the second transistor (T2). The conducting carrier forms a summation point and the load (L) is connectable to the conducting carrier or to the summation point.
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公开(公告)号:DE102008064848B3
公开(公告)日:2022-01-27
申请号:DE102008064848
申请日:2008-12-05
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: AUER FRANK , KLUG THOMAS , DITTFELD TIMO
IPC: G07C5/08
Abstract: Eine elektronische Steuereinheit (1) für einen Airbag, die aufweist:eine Datenrekordereinheit (20), die einen flüchtigen Speicher (21), einen nicht flüchtigen Speicher (22) und eine Kopierschaltung (23) aufweist, wobei die Kopierschaltung (23) dazu ausgebildet ist, Daten während einer Rekorderphase der Steuereinheit von dem flüchtigen Speicher (22) in den nichtflüchtigen Speicher (21) zu kopieren;eine Protokolleinheit (10), die dazu ausgebildet ist, während einer Protokollphase der Steuereinheit Fahrzeug- und/oder Unfalldaten in dem in der Datenrekordereinheit angeordneten flüchtigen Speicher (22) aufzuzeichnen;eine erste Energieversorgungseinheit (30), die mit der Steuereinheit verbunden ist und die Protokolleinheit (10) sowie weitere Komponenten der Steuereinheit während eines Teils einer Autarkiezeit (TA) unabhängig von einer externen Batterieversorgung (VBAT) mit Energie versorgt; undeine zweite Energieversorgungseinheit (40), die mit der Datenrekordereinheit (20) verbunden ist und während des verbleibenden Teils der Autarkiezeit (TA) nur diese mit Energie versorgt.
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公开(公告)号:DE102015011718A1
公开(公告)日:2016-03-10
申请号:DE102015011718
申请日:2015-09-08
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: AHLERS DIRK , AUER FRANK , GIETLER HERBERT , LENZ MICHAEL
Abstract: Eine Gleichrichtungsvorrichtung weist einen Leistungstransistor und eine Gatesteuerschaltung und eine Kondensatorstruktur auf, die auf einem Halbleitereinzelchip angeordnet sind. Der Leistungstransistor weist einen Source- oder Emitteranschluss, der mit einem ersten Anschluss der Gleichrichtungsvorrichtung verbunden ist, einen Drain- oder Kollektoranschluss, der mit einem zweiten Anschluss der Gleichrichtungsvorrichtung verbunden ist, und ein Gate auf. Die Gatesteuerschaltung ist dafür ausgelegt, eine (die) Gatespannung am Gate des Leistungstransistors auf der Grundlage zumindest eines Parameters in Bezug auf eine Spannung und/oder einen Strom zwischen dem ersten Anschluss und dem zweiten Anschluss zu steuern.
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公开(公告)号:DE102011002674A1
公开(公告)日:2011-08-11
申请号:DE102011002674
申请日:2011-01-13
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: AUER FRANK , KOEPPL BENNO , SCHEFFER MICHAEL
IPC: H02P9/10
Abstract: Es wird eine Schaltungsanordnung beschrieben. Die Schaltungsanordnung umfasst eine erste Halbbrücke mit einem ersten Steuerbaren Halbleiterschalter und einer ersten Diode. Der erste steuerbare Halbleiterschalter ist zwischen ein erstes konstantes Versorgungspotential und einem Mittelabgriff der ersten Halbbrücke geschaltet. Die erste Diode ist zwischen den Mittelabgriff und einem konstanten Referenzpotential geschaltet. Eine zweite Halbbrücke umfasste eine zweite Diode und einen zweiten steuerbaren Halbleiterschalter. Die zweite Diode ist zwischen ein zweites konstantes Potential, welches höher ist als das erste Potential, und einen Mittelabgriff der zweiten Halbbrücke geschaltet. Der zweite steuerbare Halbleiterschalter ist zwischen den Mittelabgriff und dem konstanten Referenzpotential geschaltet. Eine Treiberschaltungsanordnung steuert den Leitungszustand des ersten und des zweiten Halbleiterschalters, wodurch der Stromfluss durch eine Erregerspule gesteuert wird, welche zwischen die beiden Mittelabgriffe geschaltet werden kann.
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公开(公告)号:DE102009057587A1
公开(公告)日:2010-07-01
申请号:DE102009057587
申请日:2009-12-09
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: AUER FRANK , KOEPPL BENNO , HEIN KARL-DIETER
Abstract: g und ein entsprechendes Verfahren zum Steuern von MOSFETs, die an die Steuerschaltung gekoppelt sind. Die MOSFETs werden an eine Last gekoppelt, um die Last an eine Stromversorgung zu koppeln, oder die MOSFETs werden an einen Generator gekoppelt. Im Falle umgekehrter Polarität schaltet die Steuerschaltung die MOSFETs in den leitenden Zustand, um eine Beschädigung der MOSFETs zu verhindern.
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公开(公告)号:DE59814136D1
公开(公告)日:2008-01-24
申请号:DE59814136
申请日:1998-07-28
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: LENZ MICHAEL , HORCHLER WOLFGANG , AUER FRANK
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公开(公告)号:DE10101852A1
公开(公告)日:2002-04-04
申请号:DE10101852
申请日:2001-01-17
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: AUER FRANK , LENZ MICHAEL
IPC: H05B39/04
Abstract: The lamp operating circuit has 2 terminals (1,2) connected across the onboard network voltage (Vin), which are coupled via a lamp (3) in series with a semiconductor switch (4), connected at its control electrode (G) to a control device (5), for regulating the lamp current so that the mean lamp voltage is below the network voltage. The control device supplies the control electrode with a pulsed control signal (VG) having a pulse-pause ratio dependent on the network voltage.
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公开(公告)号:DE102017111771A1
公开(公告)日:2017-11-30
申请号:DE102017111771
申请日:2017-05-30
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG , VALEO EQUIP ELECTR MOTEUR
Inventor: AUER FRANK , ANGERAY CEDRIC , DOFFE LUDOVIC , HARTMANN ROBERT , SEIDL CHRISTOPH
IPC: H02P9/02 , H02P101/45
Abstract: Ein erregerstrombegrenzter Leistungsgenerator enthält eine digitale Schnittstelle, die zur Kopplung mit einer Motorsteuereinheit (ECU) konfiguriert ist, einen Regler, der zur Kopplung mit einem Erregerstromeingang einer Lichtmaschine konfiguriert ist, wobei der Erregerstrom durch die Lichtmaschine erzeugten Strom steuert, einen Frequenzsensor, der zum Messen der Drehzahl der Lichtmaschine konfiguriert ist, und einen Speicher, der eine durch die digitale Schnittstelle kommunizierte Grenze und eine erste permanente Grenze speichert, wobei der Regler dazu konfiguriert ist, den Erregerstrom auf die jeweils niedrigere der ersten permanenten Grenze und der kommunizierten Grenze zu begrenzen.
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公开(公告)号:DE102008039593A1
公开(公告)日:2009-03-12
申请号:DE102008039593
申请日:2008-08-25
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: GRAOVAC DUSAN , AUER FRANK
IPC: H02P9/48
Abstract: A generator control circuit is disclosed. One embodiment provides a first active switching circuit configured to connect a first terminal of an excitation coil either to a first or to a second terminal of a voltage source, a second active switching circuit configured to connect a second terminal of the excitation coil either to the first or to the second terminal of the voltage source, and a generator controller to set the duty cycle of the active switching circuit to rapidly control the current through the excitation coil to an excitation coil current setpoint.
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公开(公告)号:DE102006057042B4
公开(公告)日:2008-07-24
申请号:DE102006057042
申请日:2006-12-04
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: GRAOVAC DUSAN , DITTFELD TIMO , AUER FRANK
Abstract: The arrangement has a protective arrangement (9) arranged outside a semiconductor body (1) with a semiconductor switch (91) and a driver circuit (92) for the switch, which has a control input (96). The protective arrangement controls the switch depending on an operating condition of a break sensor (8) of the body. A set of semiconductor switches (2, 3) e.g. p-channel and n-channel MOSFETs, and the switch integrated in the body have load lines, which are switched in series together and are series to a load e.g. ignition unit, and are made of metal or polycrystalline semiconductor material.
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