公开(公告)号：DE102018115728A1

公开(公告)日：2020-01-02

申请号：DE102018115728

申请日：2018-06-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SIEMIENIEC RALF ,  ESTEVE ROMAIN ,  AICHINGER THOMAS ,  KUECK DANIEL ,  ZIPPELIUS BERND ,  PETERS DETHARD ,  BERGNER WOLFGANG

IPC: H01L29/78

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (500) umfasst einen Siliziumcarbidkörper (100), der ein Transistorzellengebiet (600) und ein Transistorzellen-freies Gebiet (700) umfasst. Das Transistorzellengebiet (600) enthält Transistorzellen (TC). Das Transistorzellen-freie Gebiet (700) ist frei von Transistorzellen (TC). Das Transistorzellen-freie Gebiet (700) umfasst (i) ein Übergangsgebiet (790) zwischen dem Transistorzellengebiet (600) und einer seitlichen Oberfläche (103) des Siliziumcarbidkörpers (100), (ii) ein Gatepad-Gebiet (730) und (iii) eine Merged-PiN-Schottky- und/oder eine Merged-PiN-Heteroübergangs-Diodenstruktur (400) in zumindest einem des Übergangsgebiets (790) und des Gatepad-Gebiets (730).

公开(公告)号：DE102015121532A1

公开(公告)日：2016-06-16

申请号：DE102015121532

申请日：2015-12-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ESTEVE ROMAIN ,  AICHINGER THOMAS ,  BERGNER WOLFGANG ,  KUECK DANIEL ,  PETERS DETHARD ,  SIEMIENIEC RALF

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/324 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336

Abstract: Es wird ein Siliziumkarbidhalbleitersubstrat mit einer Vielzahl erster dotierter Gebiete, die seitlich voneinander beabstandet und unterhalb einer Hauptoberfläche sind, und einem zweiten dotierten Gebiet gebildet, das sich von der Hauptoberfläche zu einem dritten dotierten Gebiet erstreckt, das oberhalb der ersten dotierten Gebiete ist. Es werden vierte dotierte Gebiete gebildet, die sich von der Hauptoberfläche zu den ersten dotierten Gebieten erstrecken. Es wird ein Gategraben mit einem Boden gebildet, der über einem Abschnitt eines der ersten dotierten Gebiete angeordnet ist. An dem Substrat wird ein Hochtemperaturschritt durchgeführt, um Siliziumkarbidatome entlang von Seitenwänden des Grabens neu auszurichten und abgerundete Ecken im Gategraben herzustellen. Eine Oberflächenschicht, die sich während des Hochtemperaturschritts entlang der Seitenwände des Gategrabens bildet, wird vom Substrat entfernt.