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    SiC-Halbleitervorrichtung mit einem Versatz in einem Grabenboden
    2.
    发明专利
    SiC-Halbleitervorrichtung mit einem Versatz in einem Grabenboden 未知

    公开(公告)号：DE102017108738A1

    公开(公告)日：2018-10-25

    申请号：DE102017108738

    申请日：2017-04-24

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： SIEMIENIEC RALF ,  AICHINGER THOMAS ,  ESTEVE ROMAIN ,  KUECK DANIEL

    IPC: H01L29/78 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739

    Abstract: Eine Halbleitervorrichtung enthält einen Graben, der sich von einer ersten Oberfläche in einen SiC-Halbleiterkörper erstreckt. Der Graben weist eine erste Seitenwand, eine der ersten Seitenwand gegenüberliegende zweite Seitenwand und einen Grabenboden auf. Eine Elektrode ist im Graben angeordnet und durch ein Grabendielektrikum von dem SiC-Halbleiterkörper elektrisch isoliert. Ein Bodygebiet eines ersten Leitfähigkeitstyps grenzt an die erste Seitenwand. Eine Abschirmstruktur des ersten Leitfähigkeitstyps grenzt zumindest an einen Bereich der zweiten Seitenwand und des Grabenbodens. Ein erster Abschnitt des Grabenbodens und ein zweiter Abschnitt des Grabenbodens sind um einen vertikalen Versatz entlang einer vertikalen Richtung, die sich von der ersten Oberfläche zu einer der ersten Oberfläche gegenüberliegenden zweiten Oberfläche des SiC-Halbleiterkörpers erstreckt, zueinander versetzt.

    Verfahren zum Herstellen eines Siliziumkarbidbauelements mit einem abgeschirmten Gate
    4.
    发明专利
    Verfahren zum Herstellen eines Siliziumkarbidbauelements mit einem abgeschirmten Gate 未知

    公开(公告)号：DE102015121532B4

    公开(公告)日：2018-11-22

    申请号：DE102015121532

    申请日：2015-12-10

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： ESTEVE ROMAIN ,  AICHINGER THOMAS ,  BERGNER WOLFGANG ,  KUECK DANIEL ,  PETERS DETHARD ,  SIEMIENIEC RALF

    IPC: H01L21/283 ,  H01L21/324 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336

    Abstract: Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements, wobei das Verfahren das aufweist:Herstellen eines Siliziumkarbidhalbleitersubstrats (102) mit einer Vielzahl erster dotierter Gebiete (104), die seitlich voneinander beabstandet und unterhalb einer Hauptoberfläche (105) des Siliziumkarbidhalbleitersubstrats (102) angeordnet sind, einem zweiten dotierten Gebiet (106), das sich von der Hauptoberfläche (105) zu einem dritten dotierten Gebiet (108) erstreckt, das oberhalb der ersten dotierten Gebiete (104) angeordnet ist, und einer Vielzahl vierter dotierter Gebiete (122), die sich von der Hauptoberfläche (105) zu den ersten dotierten Gebieten (104) erstrecken, wobei das zweite dotierte Gebiet (106) einen ersten Leitfähigkeitstyp aufweist und die ersten dotierten Gebiete (104), das dritte dotierte Gebiet (108) und die vierten dotierten Gebiete (122) einen zweiten Leitfähigkeitstyp aufweisen;Tempern des Siliziumkarbidhalbleitersubstrats, um Dotierstoffatome in dem zweiten dotierten Gebiet (106), dem dritten dotierten Gebiet (108) und den vierten dotierten Gebieten (122) zu aktivieren;Herstellen eines Gategrabens (142), der sich durch das zweite dotierte Gebiet (106) und das dritte dotierte Gebiet (108) erstreckt und einen Boden (112) aufweist, der über einem Abschnitt eines der ersten dotierten Gebiete (104) angeordnet ist;Durchführen eines Hochtemperaturschritts in einer nicht Oxid und nicht Nitrid bildenden Atmosphäre, um Siliziumkarbidatome entlang von Seitenwänden (124, 144) des Gategrabens (142) neu auszurichten und abgerundete Ecken zwischen dem Boden (112) und den Seitenwänden (124, 144) des Gategrabens (142) herzustellen; undEntfernen einer Oberflächenschicht, die sich während des Hochtemperaturschritts entlang der Seitenwände (124, 144) des Gategrabens (142) bildet, von dem Siliziumkarbidhalbleitersubstrat (102).

    Halbleitervorrichtung, Sperrschicht-Feldeffekttransistor und vertikaler Feldeffekttransistor
    9.
    发明专利
    Halbleitervorrichtung, Sperrschicht-Feldeffekttransistor und vertikaler Feldeffekttransistor 未知

    公开(公告)号：DE102014113130A1

    公开(公告)日：2015-03-12

    申请号：DE102014113130

    申请日：2014-09-11

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： ESTEVE ROMAIN ,  KONRATH JENS ,  OUVRARD CEDRIC ,  VOERCKEL ANDREAS ,  WERNER WOLFGANG ,  KUECK DANIEL ,  LAFORET DAVID ,  RUPP ROLAND

    IPC: H01L29/78 ,  H01L29/872 ,  H01L29/808

    Abstract: Eine Halbleitervorrichtung ist gemäß einer Ausführungsform zumindest teilweise in oder auf einem Substrat angeordnet und umfasst eine Vertiefung, die eine Mesa ausbildet, wobei die Mesa sich entlang einer Richtung in das Substrat zu einer Bodenfläche der Vertiefung erstreckt und ein Halbleitermaterial eines ersten Leitfähigkeitstyps umfasst, wobei das Halbleitermaterial des ersten Leitfähigkeitstyps, das zumindest lokal eine erste Dotiermittelkonzentration umfasst, sich nicht weiter als bis zur Bodenfläche in das Substrat erstreckt. Die Halbleitervorrichtung umfasst zudem eine zumindest teilweise entlang einer Seitenwand der Mesa angeordnete elektrisch leitende Struktur, wobei die elektrisch leitende Struktur mit dem Halbleitermaterial der Mesa einen elektrischen Schottky- oder Schottky-artigen Kontakt ausbildet, wobei das das Halbleitermaterial des ersten Leitfähigkeitstyps umfassende Substrat zumindest lokal entlang einer Projektion der Mesa in das Substrat eine zweite Dotiermittelkonzentration, die sich von der ersten Dotiermittelkonzentration unterscheidet, umfasst.

    SiC-HALBLEITERVORRICHTUNG MIT EINEM VERSATZ IN EINEM GRABENBODEN UND HERSTELLUNGSVERFAHREN HIERFÜR
    10.
    发明专利
    SiC-HALBLEITERVORRICHTUNG MIT EINEM VERSATZ IN EINEM GRABENBODEN UND HERSTELLUNGSVERFAHREN HIERFÜR 未知

    公开(公告)号：DE102017108738B4

    公开(公告)日：2022-01-27

    申请号：DE102017108738

    申请日：2017-04-24

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： SIEMIENIEC RALF ,  AICHINGER THOMAS ,  ESTEVE ROMAIN ,  KUECK DANIEL

    IPC: H01L29/78 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/161 ,  H01L29/739

    Abstract: Halbleitervorrichtung (1000), umfassend:einen Graben (102), der sich von einer ersten Oberfläche (104) in einen SiC-Halbleiterkörper (100) erstreckt, wobei der Graben (102) eine erste Seitenwand (106), eine der ersten Seitenwand (106) gegenüberliegende zweite Seitenwand (108) und einen Grabenboden (110) aufweist;eine Elektrode (112), die in dem Graben (102) angeordnet und durch ein Grabendielektrikum (114) von dem SiC-Halbleiterkörper (100) elektrisch isoliert ist;ein Bodygebiet (118) eines ersten Leitfähigkeitstyps, das an die erste Seitenwand (106) grenzt;eine Abschirmstruktur (120) des ersten Leitfähigkeitstyps, die an das Grabendielektrikum (114) in zumindest einem Bereich der zweiten Seitenwand (108) und am Grabenboden (110) angrenzt; und wobeientlang einer vertikalen Richtung (y), die von der ersten Oberfläche (104) zu einer der ersten Oberfläche (104) gegenüberliegenden zweiten Oberfläche des SiC-Halbleiterkörpers (100) verläuft, ein erster Abschnitt des Grabenbodens (110) und ein zweiter Abschnitt des Grabenbodens (110) um einen vertikalen Versatz zueinander versetzt sind.

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