公开(公告)号：DE102019121859B3

公开(公告)日：2020-11-26

申请号：DE102019121859

申请日：2019-08-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LEENDERTZ CASPAR ,  ZIPPELIUS BERND ,  BASLER THOMAS ,  PETERS DETHARD ,  NIU SHIQIN ,  HELL MICHAEL ,  ELLINGHAUS PAUL ,  SCHRAML KONRAD ,  KONRATH JENS PETER ,  ELPELT RUDOLF

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/161 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

Abstract: Eine Siliziumcarbid-Vorrichtung (500) enthält eine streifenförmige Graben-Gatestruktur (150), die sich von einer ersten Oberfläche (101) in einen Siliziumcarbid-Körper (100) erstreckt. Die Gatestruktur (150) weist eine Gatelänge (L0) entlang einer lateralen ersten Richtung (291) auf. Eine Bodenfläche (158) und eine aktive erste Gate-Seitenwand (151) der Gatestruktur (150) sind über eine erste Bodenkante (156) der Gatestruktur (150) verbunden. Die Siliziumcarbid-Vorrichtung (500) enthält ferner zumindest ein Sourcegebiet (110) eines ersten Leitfähigkeitstyps. Ein Abschirmgebiet (160) eines zweiten Leitfähigkeitstyps ist über zumindest 20 % der Gatelänge mit der ersten Bodenkante (156) der Gatestruktur (150) in Kontakt.

公开(公告)号：DE102017110508A1

公开(公告)日：2018-11-15

申请号：DE102017110508

申请日：2017-05-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： AICHINGER THOMAS ,  BERGNER WOLFGANG ,  ESTEVE ROMAIN ,  KUECK DANIEL ,  PETERS DETHARD ,  SIEMIENIEC RALF ,  ZIPPELIUS BERND

IPC: H01L21/822 ,  G06F17/50 ,  H01L21/18 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: Indem man eine Prozessorvorrichtung und/oder Modell-Transistorzellen nutzt, wird ein Satz von Auslegungsparametern für zumindest eine einer Transistorzelle und einer Driftstruktur einer Halbleitervorrichtung mit breiter Bandlücke bestimmt, wobei eine Einschaltzustand-Ausfallrate und eine Ausschaltzustand-Ausfallrate eines Gatedielektrikums der Transistorzelle innerhalb einer gleichen Größenordnung für eine vordefinierte Gate-Source-Spannung im Einschaltzustand, eine vordefinierte Gate-Source-Spannung im Ausschaltzustand und eine vordefinierte Drain-Source-Spannung im Ausschaltzustand liegen.

公开(公告)号：DE102015113493B4

公开(公告)日：2018-07-12

申请号：DE102015113493

申请日：2015-08-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： AICHINGER THOMAS ,  ZIPPELIUS BERND ,  ELPELT RUDOLF ,  BERGNER WOLFGANG ,  SIEMIENIEC RALF

IPC: H01L29/78 ,  H03K17/687

Abstract: Eine Schaltung (700) zum Steuern eines Feldeffekttransistors eines Halbleiterbauelements, die Schaltung umfassend:ein Steuerungsmodul (731), das ausgebildet ist, um ein Gate-Steuerungssignal (732) zum Steuern von zumindest einem Gate der Feldeffekttransistorstruktur zu erzeugen,wobei das Steuerungsmodul (731) ausgebildet ist, um das Gate-Steuerungssignal (732) mit einer ersten Gate-Spannung derart zu erzeugen, dass eine Abschirmungskanalregion zwischen zumindest einer Gate-Isolationsschicht und einer Drift-Region der Feldeffekttransistorstruktur in einem Aus-Zustand des Feldeffekttransistors erzeugt wird, wobei die Abschirmungskanalregion einen unterschiedlichen Leitfähigkeitstyp als den Leitfähigkeitstyp der Drift-Region aufweist, undwobei das Steuerungsmodul (732) ausgebildet ist, um das Gate-Steuerungssignal (732) mit einer zweiten Gate-Spannung derart zu erzeugen, dass eine leitende Kanalregion an der Schnittstelle zwischen zumindest einer Gate-Isolationsschicht und der Body-Region in einem Ein-Zustand des Feldeffekttransistors gebildet wird, wobei die leitende Kanalregion denselben Leitfähigkeitstyp aufweist wie der Leitfähigkeitstyp der Drift-Region.

公开(公告)号：DE102023125529A1

公开(公告)日：2025-03-20

申请号：DE102023125529

申请日：2023-09-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ELPELT RUDOLF ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  ZIPPELIUS BERND ,  VELLEI ANTONIO ,  BREYMESSER ALEXANDER

IPC: H10D62/832 ,  H10D8/00 ,  H10D8/01 ,  H10D30/01 ,  H10D30/60 ,  H10D62/10 ,  H10D64/01 ,  H10D64/27

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (500) umfasst einen einkristallinen Siliziumcarbid-Bereich (100) mit einer ersten Oberfläche (101), einer entgegengesetzten zweiten Oberfläche (102) und einer dritten Oberfläche (103), die sich von der ersten Oberfläche (101) in Richtung der zweiten Oberfläche (102) erstreckt. Entlang der dritten Oberfläche (103) sättigen Wasserstoffatome und/oder Atome eines oder mehrerer Nicht-Metallelemente, bei denen es sich nicht um Silizium handelt und die eine Ordnungszahl größer sechs aufweisen, nicht-abgesättigte Bindungen des Siliziumcarbid-Bereichs (100), und/oder ist eine Passivierungsbeschichtung (210) in direktem Kontakt mit der dritten Oberfläche (103). Die Halbleitervorrichtung (500) umfasst ferner eine Glasstruktur (250) und eine Grenzflächenschichtstruktur (220) zwischen der dritten Oberfläche (103) und der Glasstruktur (250).

公开(公告)号：DE102018115728B4

公开(公告)日：2021-09-23

申请号：DE102018115728

申请日：2018-06-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SIEMIENIEC RALF ,  ESTEVE ROMAIN ,  AICHINGER THOMAS ,  KUECK DANIEL ,  ZIPPELIUS BERND ,  PETERS DETHARD ,  BERGNER WOLFGANG

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/161

Abstract: Halbleitervorrichtung, umfassend:einen Siliziumcarbidkörper (100), der ein Transistorzellengebiet (600) und ein Transistorzellen-freies Gebiet (700) umfasst, wobeidas Transistorzellengebiet (600) Transistorzellen (TC) aufweist, unddas Transistorzellen-freie Gebiet (700) frei von Transistorzellen (TC) ist und umfasst:(i) ein Übergangsgebiet (790) zwischen dem Transistorzellengebiet (600) und einer seitlichen Oberfläche (103) des Siliziumcarbidkörpers (100),(ii) ein Gatepad-Gebiet (730), und(iii) eine Merged-PiN-Schottky- und/oder eine Merged-PiN-Heteroübergangs-Diodenstruktur (400) in zumindest einem des Übergangsgebiets (790) und des Gatepad-Gebiets (730).

公开(公告)号：DE102018114664A1

公开(公告)日：2019-12-19

申请号：DE102018114664

申请日：2018-06-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WEHRHAHN-KILIAN LARISSA ,  ELPELT RUDOLF ,  ZIPPELIUS BERND ,  SCHÖRNER REINHOLD ,  RUPP ROLAND

IPC: H01L21/328 ,  H01L23/62 ,  H01L29/16

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung umfasst ein Vorsehen eines Retikels (400), das zumindest zwei erste Gebiete (411) und ein zweites Gebiet (412) zwischen den beiden ersten Gebieten (411) aufweist. Jedes der ersten Gebiete (411) enthält erste opake Flächen (431) und erste transparente Flächen (411). Ein lateraler Abstand (d0) zwischen den beiden ersten Gebieten (411) ist größer als eine Breite (w1) jeder der ersten opaken Flächen (431). Ein Siliziumcarbidsubstrat (700) und eine lichtempfindliche Schicht (300) werden auf einer Hauptoberfläche (701) des Siliziumcarbidsubstrats (700) vorgesehen. Die lichtempfindliche Schicht (300) wird einer Belichtungsstrahlung (820) ausgesetzt, die das Retikel (400) passiert, wobei Teile (825) der Belichtungsstrahlung, die durch benachbarte erste transparente Flächen (441) hindurchgehen, überlappende Flächen (301) der lichtempfindlichen Schicht (300) belichten.

公开(公告)号：DE102017127848A1

公开(公告)日：2019-05-29

申请号：DE102017127848

申请日：2017-11-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WEHRHAHN-KILIAN LARISSA ,  ELPELT RUDOLF ,  ZIPPELIUS BERND ,  SIEMIENIEC RALF ,  RUPP ROLAND

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/36

Abstract: Ein Halbleiterbauelement (500) weist einen SiC Halbleiterkörper (100) mit einem aktiven Bereich (610) und einer den aktiven Bereich (610) mindestens teilweise umgebenden Randabschlussstruktur (190) auf. Im SiC Halbleiterkörper (100) ist eine Driftzone (131) von einem ersten Leitfähigkeitstyp ausgebildet. Die Randabschlussstruktur (190) weist ein erstes dotiertes Gebiet (191) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp zwischen einer ersten Oberfläche (101) des SiC Halbleiterkörpers (100) und der Driftzone (131) auf. Das erste dotierte Gebiet (191) umgibt den aktiven Bereich (610) mindestens teilweise und ist von der ersten Oberfläche (101) beabstandet. Die Randabschlussstruktur (190) weist zudem zweite dotierte Gebiete (192) vom zweiten Leitfähigkeitstyp zwischen der ersten Oberfläche (101) und dem ersten dotierten Gebiet (191) und dritte dotierte Gebiete (193) vom ersten Leitfähigkeitstyp zwischen den zweiten dotierten Gebiete (192) auf.

公开(公告)号：DE102019129537A1

公开(公告)日：2020-05-20

申请号：DE102019129537

申请日：2019-10-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LEENDERTZ CASPAR ,  ESTEVE ROMAIN ,  MAUDER ANTON ,  MEISER ANDREAS ,  ZIPPELIUS BERND

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/07

Abstract: Ausführungsformen von SiC-Vorrichtungen und entsprechende Herstellungsverfahren werden bereitgestellt. In einigen Ausführungsformen weist die SiC-Vorrichtung Abschirmgebiete (130) am Boden (106) einiger Gategräben (102) und nichtlineare Übergänge auf, die mit dem SiC-Material (100) am Boden (106) anderer Gategräben (102) ausgebildet sind. In anderen Ausführungsformen weist die SiC-Vorrichtung die Abschirmgebiete (130) am Boden (106) der Gategräben (102) und in Reihen angeordnet auf, welche in einer Richtung quer zu einer Längsausdehnung der Gräben (102) verlaufen. In noch anderen Ausführungsformen weist die SiC-Vorrichtung die Abschirmgebiete (130) und die nichtlinearen Übergänge auf, und wobei die Abschirmgebiete (130) in Reihen angeordnet sind, welche in einer Richtung quer zu einer Längsausdehnung der Gräben (102) verlaufen.

公开(公告)号：DE102018115728A1

公开(公告)日：2020-01-02

申请号：DE102018115728

申请日：2018-06-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SIEMIENIEC RALF ,  ESTEVE ROMAIN ,  AICHINGER THOMAS ,  KUECK DANIEL ,  ZIPPELIUS BERND ,  PETERS DETHARD ,  BERGNER WOLFGANG

IPC: H01L29/78

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (500) umfasst einen Siliziumcarbidkörper (100), der ein Transistorzellengebiet (600) und ein Transistorzellen-freies Gebiet (700) umfasst. Das Transistorzellengebiet (600) enthält Transistorzellen (TC). Das Transistorzellen-freie Gebiet (700) ist frei von Transistorzellen (TC). Das Transistorzellen-freie Gebiet (700) umfasst (i) ein Übergangsgebiet (790) zwischen dem Transistorzellengebiet (600) und einer seitlichen Oberfläche (103) des Siliziumcarbidkörpers (100), (ii) ein Gatepad-Gebiet (730) und (iii) eine Merged-PiN-Schottky- und/oder eine Merged-PiN-Heteroübergangs-Diodenstruktur (400) in zumindest einem des Übergangsgebiets (790) und des Gatepad-Gebiets (730).

公开(公告)号：DE102019107406A1

公开(公告)日：2019-09-26

申请号：DE102019107406

申请日：2019-03-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RUPP ROLAND ,  WEHRHAHN-KILIAN LARISSA ,  ZIPPELIUS BERND

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/161 ,  H01L29/861

Abstract: Ein Halbleiterbauelement (500) weist einen SiC Halbleiterkörper (100) auf. In dem SiC Halbleiterkörper (100) sind eine Driftzone (131) von einem ersten Leitfähigkeitstyp und ein Halbleitergebiet (120, 140) ausgebildet. Barrierestrukturen (180), die sich von dem Halbleitergebiet (120, 140) in die Driftzone (131) erstrecken, unterscheiden sich von den Gatestrukturen (150) und weisen in der Driftzone (131) eine vertikale Ausdehnung (v1) auf, die kleiner ist als eine vertikale Ausdehnung der Driftzone (131). Benachbarte Barrierestrukturen (180) weisen einen Abstand (d1) voneinander auf. Ein Winkel (α) zwischen Hauptgitterebenen (401) des SiC Halbleiterkörpers (100) und einer horizontalen Richtung beträgt maximal 10°. Ein Verhältnis der vertikalen Ausdehnung (v1) zu dem Abstand (d1) ist größer ist als ein Tangens des Winkels (α).