公开(公告)号：DE102012103759A1

公开(公告)日：2013-01-24

申请号：DE102012103759

申请日：2012-04-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MARTENS STEFAN ,  HIN TZE YANG ,  QUECK KIAN PIN ,  ONG PEI LIC ,  TAN CHIN WEI RONNIE ,  SEE BEN KEH ,  KRUMBEIN ULRICH ,  THEUSS HORST

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/495 ,  H01L23/50

Abstract: Es werden eine Halbleitervorrichtung und ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung offenbart. Eine Ausführungsform umfasst das Ausbilden eines Kontakthöckers auf einem Chip, wobei der Kontakthöcker eine Lötmitteloberseite aufweist, Schmelzen der Lötmitteloberseite durch Pressen der Lötmitteloberseite direkt auf eine Kontaktstelle eines Trägersubstrats und Ausbilden eines Kontakts zwischen dem Chip und dem Trägersubstrat.

公开(公告)号：DE102012104761A1

公开(公告)日：2012-12-06

申请号：DE102012104761

申请日：2012-06-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HIN TZE YANG ,  MARTENS STEFAN ,  SIMBUERGER WERNER ,  WIETSCHORKE HELMUT ,  THEUSS HORST ,  SEE BENG KEH ,  KRUMBEIN ULRICH

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/78

Abstract: In einer Ausführungsform umfasst ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter-Bauelements das Anordnen eines Wafers auf einem Träger, wobei der Wafer vereinzelte Chips umfasst, Bonden der vereinzelten Chips an einen Support-Wafer und Entfernen des Trägers.