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公开(公告)号:DE102010000539B4
公开(公告)日:2014-06-05
申请号:DE102010000539
申请日:2010-02-24
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: AUBURGER ALBERT , PAULUS STEFAN , SEE BENG KEH , WIETSCHORKE HELMUT
Abstract: Halbleiteranordnung (100'), aufweisend: • ein Metallsubstrat (52) mit einer Chipkontaktstelle (61) und einer Drahtbond-Kontaktstelle (72); • einen an der Chipkontaktstelle (61) des Metallsubstrats (52) angebrachten Leistungshalbleiterchip (95a); und • einen den Leistungshalbleiterchip (95a) und das Metallsubstrat (52) einkapselnden Einkapselungskörper (106); wobei eine planare äußere Oberfläche (97', 99') der Halbleiteranordnung (100') einen exponierten Peripherierand (61', 72', 107, 109) der Chipkontaktstelle (61), der Drahtbond-Kontaktstelle (72), des Leistungshalbleiterchips (95a) und des Einkapselungskörpers (106) aufweist, und wobei der Leistungshalbleiterchip (95a) an einer ersten Seite des Leistungshalbleiterchips (95a) an der Chipkontaktstelle (61) des Metallsubstrats (52) angebracht ist und eine zweite Seite des Leistungshalbleiterchips (95a) mit einem Bonddraht mit der Drahtbond-Kontaktstelle (72) des Metallsubstrats (52) elektrisch verbunden ist.
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公开(公告)号:DE102012104761B4
公开(公告)日:2017-08-17
申请号:DE102012104761
申请日:2012-06-01
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: HIN TZE YANG , MARTENS STEFAN , SIMBUERGER WERNER , WIETSCHORKE HELMUT , THEUSS HORST , SEE BENG KEH , KRUMBEIN ULRICH
Abstract: Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter-Bauelements, wobei das Verfahren Folgendes umfasst: Anordnen eines Wafers (100) auf einem Träger (200), wobei der Wafer vereinzelte Chips (110) umfasst; Bonden der vereinzelten Chips an einen Support-Wafer (300) und Entfernen des Trägers, wobei die vereinzelten Chips durch Abstandshalter (115) voneinander beabstandet sind.
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公开(公告)号:DE102014102164A1
公开(公告)日:2014-08-21
申请号:DE102014102164
申请日:2014-02-20
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: SEE BENG KEH , THEUSS HORST
IPC: H01L23/049 , H01L23/482 , H01L23/50
Abstract: In verschiedenen Ausführungsformen wird möglicherweise eine Chipanordnung bereitgestellt. Die Chipanordnung beinhaltet möglicherweise einen metallischen Träger (102). Die Chipanordnung beinhaltet möglicherweise auch mindestens einen auf dem metallischen Träger (102) angeordneten Chip (104), wobei der mindestens eine Chip (104) einen Chipkontakt (106) beinhaltet, wobei der Chipkontakt (106) elektrisch an den metallischen Träger (102) gekoppelt ist. Die Chipanordnung beinhaltet möglicherweise auch Verkappungsmaterial (108), das den mindestens einen Chip (104) mindestens teilweise verkappt. Die Chipanordnung beinhaltet möglicherweise auch eine elektrisch leitfähige Abschirmstruktur (110), die über mindestens einem Abschnitt des Verkappungsmaterials (108) gebildet wird, um den metallischen Träger (102) elektrisch zu kontaktieren.
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公开(公告)号:DE102010000539A1
公开(公告)日:2010-09-30
申请号:DE102010000539
申请日:2010-02-24
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: AUBURGER ALBERT , PAULUS STEFAN , SEE BENG KEH , WIETSCHORKE HELMUT
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公开(公告)号:DE102016103790B8
公开(公告)日:2021-06-02
申请号:DE102016103790
申请日:2016-03-03
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: LEE SWEE KAH , CHIANG CHAU FATT , GOH SOON LOCK , NG MEI CHIN , CHUA KOK YAU , TEE GUAN CHOON , SEE BENG KEH , CHAN SOOK WOON , MAHLER JOACHIM
IPC: H01L23/28 , H01L21/56 , H01L21/60 , H01L23/485
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公开(公告)号:DE102008053645A1
公开(公告)日:2009-07-30
申请号:DE102008053645
申请日:2008-10-29
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: CHIANG CHAU FATT , LAI CHWEE LAN , SEE BENG KEH
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公开(公告)号:DE10394148T5
公开(公告)日:2006-02-09
申请号:DE10394148
申请日:2003-02-24
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: SEE BENG KEH
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公开(公告)号:DE102017221082B4
公开(公告)日:2020-03-05
申请号:DE102017221082
申请日:2017-11-24
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: CHIANG CHAU FATT , GEISSLER CHRISTIAN , GOLLER BERND , KILGER THOMAS , LODERMEYER JOHANNES , MAIER DOMINIC , MUEHLBAUER FRANZ XAVER , NG CHEE YANG , SEE BENG KEH , STEIERT MATTHIAS , WAECHTER CLAUS
Abstract: Halbleitergehäuse, das Folgendes umfasst:einen Halbleiter-Die (1202), der eine Sensorstruktur (1204) aufweist, die an einer ersten Seite des Halbleiter-Dies (1202) angeordnet ist;einen ersten Port, der sich von der ersten Seite zu einer zweiten Seite des Halbleiter-Dies (1202) gegenüber der ersten Seite durch den Halbleiter-Die (1202) erstreckt, um eine Verbindung zur Außenumgebung bereitzustellen;einen Interposer (1206), der an der ersten Seite des Halbleiter-Dies (1202) angebracht ist und die Sensorstruktur (1204) abdeckt;eine Gussmasse (1208), die den Interposer (1206) und die erste Seite des Halbleiter-Dies (1202) einkapselt; undeine Umverteilungsschicht (1210) auf der Gussmasse (1208) und dem Interposer (1206), wobei der Interposer (1206) elektrische Verbindungen zwischen dem Halbleiter-Die (1202) und der Umverteilungsschicht (1210) bereitstellt.
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公开(公告)号:DE102011001306B4
公开(公告)日:2015-05-07
申请号:DE102011001306
申请日:2011-03-16
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: ELIAN KLAUS , SEE BENG KEH , THEUSS HORST
Abstract: Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-Kapselung (50, 150, 650), mit den folgenden Schritten: Bereitstellen eines strukturierten Metallblechs (20, 120, 220); Anbringen eines Halbleiterstücks (10) an dem strukturierten Metallblech (20, 120, 220), wobei das Halbleiterstück (10) eine Metallschicht (11) an einer dem strukturierten Metallblech zugewandten Oberfläche und mehrere Elektroden-Kontaktstellen (12a, 12b) an einer von dem strukturierten Metallblech abgewandten Oberfläche aufweist; Abscheiden eines Einkapselungsmittels (30) auf das mindestens eine Halbleiterstück (10), um eine eingekapselte Halbleiter-Anordnung (40) zu bilden; elektrisches Verbinden einer ersten der mehreren Elektroden-Kontaktstellen (12a) des Halbleiterstücks (10) mit einem ersten Abschnitt des strukturierten Metallblechs (20, 120, 220) vor dem Abscheiden des Einkapselungsmittels; elektrisches Verbinden einer zweiten der mehreren Elektroden-Kontaktstellen (12b) des Halbleiterstücks (10) mit einem zweiten Abschnitt des strukturierten Metallblechs (20, 120, 220) vor dem Abscheiden des Einkapselungsmittels (30); Vereinzeln der eingekapselten Halbleiter-Anordnung (40) zu mindestens zwei Halbleiter-Kapselungen (50, 150, 650), wobei jede Kapselung einen Sensor- oder Emitterchip (70) umfasst, der während der Vereinzelung von dem Halbleiterstück (10) getrennt wird, und wenigstens eine der mehreren Elektroden-Kontaktstellen (12a, 12b) und einen Abschnitt der Metallschicht (11) aufweist, wobei während der Vereinzelung ein aktiver Bereich des Halbleiterstücks (10) aufgeteilt und mindestens eine Seitenwand (92) des Sensor- oder Emitterchips (70), die einen Signaleingang oder Signalausgang für elektromagnetische Strahlung oder Druck aufweist, der Umwelt ausgesetzt wird.
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公开(公告)号:DE102012104761A1
公开(公告)日:2012-12-06
申请号:DE102012104761
申请日:2012-06-01
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: HIN TZE YANG , MARTENS STEFAN , SIMBUERGER WERNER , WIETSCHORKE HELMUT , THEUSS HORST , SEE BENG KEH , KRUMBEIN ULRICH
Abstract: In einer Ausführungsform umfasst ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter-Bauelements das Anordnen eines Wafers auf einem Träger, wobei der Wafer vereinzelte Chips umfasst, Bonden der vereinzelten Chips an einen Support-Wafer und Entfernen des Trägers.
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