公开(公告)号：DE102019104730A1

公开(公告)日：2020-08-27

申请号：DE102019104730

申请日：2019-02-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HÖGERL JÜRGEN ,  KARCZEWSKI TINO ,  SCHEFFER MICHAEL ,  SCHWEIKERT CHRISTIAN

IPC: H01L23/473 ,  H01L21/50 ,  H01L23/10 ,  H01L23/31 ,  H01L23/44 ,  H01L25/11

Abstract: Eine Leistungshalbleiteranordnung umfasst ein erstes und ein zweites Leistungshalbleitermodul, wobei jedes Leistungshalbleitermodul eine erste Hauptseite und eine gegenüberliegende zweite Hauptseite umfasst und wobei die Leistungshalbleitermodule so angeordnet sind, dass eine Hauptseite des ersten Leistungshalbleitermoduls und eine Hauptseite des zweiten Leistungshalbleitermoduls einander zugewandt sind, und ein Kühlergehäuse zur direkten Flüssigkeitskühlung der Leistungshalbleitermodule, wobei das Kühlergehäuse einen Fluidkanal umfasst, wobei mindestens eine Hauptseite des ersten Leistungshalbleitermoduls eine Seitenwand des Fluidkanals bildet, und wobei eine Strömungsrichtung im Fluidkanal entlang der ersten Hauptseite und eine Strömungsrichtung entlang der zweiten Hauptseite des ersten Leistungshalbleitermoduls in entgegengesetzte Richtungen ausgerichtet sind.

公开(公告)号：DE102019108988B3

公开(公告)日：2020-08-13

申请号：DE102019108988

申请日：2019-04-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHWEIKERT CHRISTIAN ,  HÖGERL JÜRGEN ,  JAKOBI WALDEMAR ,  HOHLFELD OLAF

IPC: H01L25/16 ,  H01L21/60 ,  H01L23/34 ,  H01L23/492

Abstract: Leistungshalbleitermodul mit einem Leistungshalbleiterchip, der zwischen einem ersten und einem zweiten Substrat angeordnet und elektrisch mit dem ersten und zweiten Substrat gekoppelt ist, und einem Temperatursensor, der zwischen dem ersten und zweiten Substrat und seitlich neben dem Leistungshalbleiterchip angeordnet ist, sodass eine erste Seite des Temperatursensors dem ersten Substrat und eine zweite Seite des Temperatursensors dem zweiten Substrat zugewandt ist, wobei ein erster elektrischer Kontakt des Temperatursensors auf der ersten Seite angeordnet und elektrisch mit dem ersten Substrat gekoppelt ist und wobei ein zweiter elektrischer Kontakt des Temperatursensors auf der zweiten Seite angeordnet und elektrisch mit dem zweiten Substrat gekoppelt ist.

公开(公告)号：DE102017125705A1

公开(公告)日：2019-05-09

申请号：DE102017125705

申请日：2017-11-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHWEIKERT CHRISTIAN ,  SCHÄFER JÜRGEN ,  SCHWARZBERGER GÜNTER

IPC: H03K17/08 ,  H03K17/12 ,  H03K17/18

Abstract: Hierin wird eine Schaltungsanordnung beschrieben. Gemäß einer Ausgestaltung enthält die Schaltungsanordnung eine diskrete Leistungsschaltung mit zumindest einem Leistungsschalter, wobei die diskrete Leistungsschaltung ein erstes Signal, das einen ersten Betriebsparameter der diskreten Leistungsschaltung repräsentiert, bereitstellt. Die Schaltungsanordnung enthält weiterhin einen ersten Modulator, der dazu ausgebildet ist, das erste Signal zu empfangen und ein zugehöriges erstes moduliertes Signal zu erzeugen. Ein erster Demodulator ist dazu ausgebildet, das erste modulierte Signal zu empfangen und ein zugehöriges erstes demoduliertes Signal zu erzeugen. Ein zweiter Demodulator ist dazu ausgebildet, das erste modulierte Signal zu empfangen und ein zugehöriges zweites demoduliertes Signal zu erzeugen, wobei der erste Demodulator eine größere Bandbreite als der zweite Demodulator aufweist. Eine Auswerteschaltung ist dazu ausgebildet, einen Betriebszustand der diskreten Leistungsschaltung basierend auf dem ersten demodulierten Signal und dem zweiten demodulierten Signal zu bestimmen.

公开(公告)号：DE102024201583A1

公开(公告)日：2024-09-26

申请号：DE102024201583

申请日：2024-02-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JAKOBI WALDEMAR ,  KOCH CHRISTOPH ,  REITER TOMAS ,  SCHWEIKERT CHRISTIAN

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/057 ,  H01L23/495

Abstract: Ein Leistungshalbleitermodul umfasst: einen elektrisch isolierenden Rahmen; Halbbrückenschaltungen, die in dem elektrisch isolierenden Rahmen untergebracht sind, wobei jede Halbbrückenschaltung einen oder mehrere Highside-Leistungshalbleiterchips und einen oder mehrere Lowside-Leistungshalbleiterchips umfasst; einen ersten strukturierten Metallrahmen, der in den elektrisch isolierenden Rahmen eingebettet und elektrisch mit einem Drain- oder Kollektoranschluss des einen oder der mehreren Highside-Leistungshalbleiterchips jeder Halbbrückenschaltung verbunden ist; einen zweiten strukturierten Metallrahmen, der in den elektrisch isolierenden Rahmen eingebettet und elektrisch mit einem Source- oder Emitteranschluss des einen oder der mehreren Lowside-Leistungshalbleiterchips jeder Halbbrückenschaltung verbunden ist; und erste Öffnungen im elektrisch isolierenden Rahmen, die einen Teil des ersten strukturierten Metallrahmens oder einen Teil des zweiten strukturierten Metallrahmens an gegenüberliegenden ersten und zweiten Seitenwänden des elektrisch isolierenden Rahmens und zwischen benachbarten der Halbbrückenschaltungen freilegen.

公开(公告)号：DE102019104730B4

公开(公告)日：2022-07-28

申请号：DE102019104730

申请日：2019-02-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HÖGERL JÜRGEN ,  KARCZEWSKI TINO ,  SCHEFFER MICHAEL ,  SCHWEIKERT CHRISTIAN

IPC: H01L23/473 ,  H01L21/50 ,  H01L23/10 ,  H01L23/31 ,  H01L23/44 ,  H01L25/11

Abstract: Leistungshalbleiteranordnung (100, 400), umfassend:ein erstes und ein zweites Leistungshalbleitermodul (101, 102), wobei jedes Leistungshalbleitermodul (101, 102) eine erste Hauptseite (101_1, 102_1) und eine gegenüberliegende zweite Hauptseite (101_2, 102_2) umfasst und wobei die Leistungshalbleitermodule (101, 102) so angeordnet sind, dass eine Hauptseite (101_2) des ersten Leistungshalbleitermoduls (101) und eine Hauptseite (102_1) des zweiten Leistungshalbleitermoduls (102) einander zugewandt sind, undein Kühlergehäuse (103) zur direkten Flüssigkeitskühlung der Leistungshalbleitermodule (101, 102), wobei das Kühlergehäuse (103) einen Fluidkanal (104) umfasst,wobei mindestens eine Hauptseite (101_1) des ersten Leistungshalbleitermoduls (101) eine Seitenwand des Fluidkanals (104) bildet,wobei ein erster Einlass oder Auslass (105) des Fluidkanals (104) an der ersten Hauptseite (101_1) des ersten Leistungshalbleitermoduls (101) angeordnet ist,wobei ein zweiter Einlass oder Auslass (106) des Fluidkanals (104) an der zweiten Hauptseite (102_2) des zweiten Leistungshalbleitermoduls (102) angeordnet ist, undwobei ein dritter Einlass oder Auslass (401) des Fluidkanals (104) zwischen dem ersten und dem zweiten Leistungshalbleitermodul (101, 102) angeordnet ist, so dass der Fluidkanal (104) in der Leistungshalbleiteranordnung (100, 400) mäandert,wobei eine Strömungsrichtung in dem Fluidkanal (104) entlang der ersten Hauptseite (101_1, 102_1) und eine Strömungsrichtung entlang der zweiten Hauptseite (101_2, 102_2) jedes Leistungshalbleitermoduls (101, 102) in entgegengesetzte Richtungen ausgerichtet sind.

公开(公告)号：DE102020101585A1

公开(公告)日：2020-07-30

申请号：DE102020101585

申请日：2020-01-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOEGERL JÜRGEN ,  AICHRIEDLER LEO ,  SCHWEIKERT CHRISTIAN ,  WRIESNEGGER GERALD

IPC: H01L25/16

Abstract: Halbleitermodul mit einem Halbleiterchip, einer Vergussmasse, die den Halbleiterchip umhüllt, einer Vielzahl von Anschlüssen, die elektrisch mit dem Halbleiterchip verbunden sind und aus der Vergussmasse herausragen, wobei ein erster der Anschlüsse einen verengten Bereich aufweist, der von der Vergussmasse bedeckt ist, wobei die Vergussmasse eine Aussparung oder eine Öffnung in der Nähe des verengten Bereichs des ersten Anschlusses aufweist, und einem kernlosen Magnetfeldsensor, der in der Aussparung oder der Öffnung der Vergussmasse angeordnet und von dem ersten Anschluss durch die Vergussmasse isoliert ist. Der kernlose Magnetsensor ist so konfiguriert, dass er ein Signal als Reaktion auf ein Magnetfeld erzeugt, das durch einen Strom erzeugt wird, der in dem verengten Bereich des ersten Anschlusses fließt. Die Größe des Signals ist proportional zur Stromstärke des Stroms, der im verengten Bereich des ersten Anschlusses fließt. Ein Verfahren zur Herstellung des Moduls wird ebenfalls beschrieben.

公开(公告)号：DE102017125705B4

公开(公告)日：2019-05-23

申请号：DE102017125705

申请日：2017-11-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHWEIKERT CHRISTIAN ,  SCHÄFER JÜRGEN ,  SCHWARZBERGER GÜNTER

IPC: H03K17/08 ,  H03K17/12 ,  H03K17/18

Abstract: Hierin wird eine Schaltungsanordnung beschrieben. Gemäß einer Ausgestaltung enthält die Schaltungsanordnung eine diskrete Leistungsschaltung mit zumindest einem Leistungsschalter, wobei die diskrete Leistungsschaltung ein erstes Signal, das einen ersten Betriebsparameter der diskreten Leistungsschaltung repräsentiert, bereitstellt. Die Schaltungsanordnung enthält weiterhin einen ersten Modulator, der dazu ausgebildet ist, das erste Signal zu empfangen und ein zugehöriges erstes moduliertes Signal zu erzeugen. Ein erster Demodulator ist dazu ausgebildet, das erste modulierte Signal zu empfangen und ein zugehöriges erstes demoduliertes Signal zu erzeugen. Ein zweiter Demodulator ist dazu ausgebildet, das erste modulierte Signal zu empfangen und ein zugehöriges zweites demoduliertes Signal zu erzeugen, wobei der erste Demodulator eine größere Bandbreite als der zweite Demodulator aufweist. Eine Auswerteschaltung ist dazu ausgebildet, einen Betriebszustand der diskreten Leistungsschaltung basierend auf dem ersten demodulierten Signal und dem zweiten demodulierten Signal zu bestimmen.

公开(公告)号：DE102017104015A1

公开(公告)日：2017-10-12

申请号：DE102017104015

申请日：2017-02-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHWEIKERT CHRISTIAN ,  LETEINTURIER PATRICK

IPC: F02D41/00

Abstract: Ausgestaltungen der vorliegenden Offenbarung betreffen Verfahren, ein System und Einrichtungen zur Synchronisation einer Winkelpositionsinformation zwischen einem ersten und einem zweiten Halbleiterchip, die zum Motormanagement in einem Automobil verwendet werden. Gemäß einer Ausgestaltung weist ein System zur Synchronisation einer Winkelpositionsinformation zwischen einem ersten und einem zweiten Halbleiterchip den ersten und den zweiten Halbleiterchip auf, sowie eine digitale Echtzeit-Kommunikationsverbindung, die den ersten und den zweiten Halbleiterchip verbindet. Der zweite Halbleiterchip enthält eine Master-Winkelabschätzschaltung, die dazu ausgebildet ist, eine Winkelposition des Motors basierend auf zumindest einem Winkelpositionssensorsignal abzuschätzen. Der erste Halbleiterchip weist eine Slave-Winkelabschätzschaltung auf, die dazu ausgebildet ist, eine Winkelposition des Motors basierend auf einer von der Master-Winkelabschätzschaltung über die Kommunikationsverbindung empfangenen Information betreffend die Winkelpositionen abzuschätzen.