公开(公告)号：DE102016121912A1

公开(公告)日：2018-05-17

申请号：DE102016121912

申请日：2016-11-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： REITER TOMAS ,  WOLTER FRANK

IPC: H01L29/739 ,  G01R1/30 ,  H01L27/08

Abstract: Ein Halbleiterbauelement umfasst eine Mehrzahl von vorwärts leitenden Bipolartransistorzellen mit isoliertem Gate. Die Mehrzahl von vorwärts leitenden Bipolartransistorzellen mit isoliertem Gate ist ausgebildet, um einen Strom in einem Vorwärts-Operationsmodus des Halbleiterbauelements zu leiten und einen Strom in einem Rückwärts-Operationsmodus des Halbleiterbauelements zu sperren. Ferner umfasst das Halbleiterbauelement eine Mehrzahl von rückwärts leitenden Bipolartransistorzellen mit isoliertem Gate. Die Mehrzahl von rückwärts leitenden Bipolartransistorzellen mit isoliertem Gate ist ausgebildet, um einen Strom sowohl in dem Vorwärts-Operationsmodus als auch Rückwärts-Operationsmodus zu leiten.

公开(公告)号：DE102024201583A1

公开(公告)日：2024-09-26

申请号：DE102024201583

申请日：2024-02-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JAKOBI WALDEMAR ,  KOCH CHRISTOPH ,  REITER TOMAS ,  SCHWEIKERT CHRISTIAN

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/057 ,  H01L23/495

Abstract: Ein Leistungshalbleitermodul umfasst: einen elektrisch isolierenden Rahmen; Halbbrückenschaltungen, die in dem elektrisch isolierenden Rahmen untergebracht sind, wobei jede Halbbrückenschaltung einen oder mehrere Highside-Leistungshalbleiterchips und einen oder mehrere Lowside-Leistungshalbleiterchips umfasst; einen ersten strukturierten Metallrahmen, der in den elektrisch isolierenden Rahmen eingebettet und elektrisch mit einem Drain- oder Kollektoranschluss des einen oder der mehreren Highside-Leistungshalbleiterchips jeder Halbbrückenschaltung verbunden ist; einen zweiten strukturierten Metallrahmen, der in den elektrisch isolierenden Rahmen eingebettet und elektrisch mit einem Source- oder Emitteranschluss des einen oder der mehreren Lowside-Leistungshalbleiterchips jeder Halbbrückenschaltung verbunden ist; und erste Öffnungen im elektrisch isolierenden Rahmen, die einen Teil des ersten strukturierten Metallrahmens oder einen Teil des zweiten strukturierten Metallrahmens an gegenüberliegenden ersten und zweiten Seitenwänden des elektrisch isolierenden Rahmens und zwischen benachbarten der Halbbrückenschaltungen freilegen.

公开(公告)号：DE102023122872B3

公开(公告)日：2025-02-06

申请号：DE102023122872

申请日：2023-08-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： REITER TOMAS ,  SPITZER DIETMAR ,  KOCH CHRISTOPH

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/488 ,  H10D80/20

Abstract: Leistungselektroniksystem, umfassend: ein Leistungshalbleitermodul, umfassend: ein Leistungselektroniksubstrat, das eine erste Seite umfasst, einen Leistungshalbleiterchip, der auf der ersten Seite des Leistungselektroniksubstrats angeordnet und mit dieser elektrisch gekoppelt ist, einen Kunststoffrahmen, der an der ersten Seite des Leistungselektroniksubstrats angeordnet ist, wobei der Leistungshalbleiterchip in einem Innenvolumen des Kunststoffrahmens angeordnet ist, und einen ersten Laststromkontakt, der mit der ersten Seite des Leistungselektroniksubstrats elektrisch verbunden und von dem Kunststoffrahmen teilweise freigelegt ist, wobei der erste Laststromkontakt eine erste Seite, die von dem Leistungselektroniksubstrat abgewandt ist, und eine gegenüberliegende zweite Seite umfasst, wobei der Kunststoffrahmen eine Aussparung über der ersten Seite des ersten Laststromkontakts umfasst; eine Treiberplatine, die über dem Leistungshalbleitermodul angeordnet ist; und einen Stromsensor, der auf einer zweiten Seite der Treiberplatine angeordnet und mit dieser elektrisch gekoppelt ist, die dem einen Leistungshalbleitermodul zugewandt ist, wobei der Stromsensor dazu ausgelegt ist, einen Wechselstrom zu erfassen, der durch den ersten Laststromkontakt fließt, wobei der Stromsensor teilweise innerhalb der Aussparung angeordnet ist und wobei der Kunststoffrahmen dazu ausgelegt ist, den Stromsensor von dem ersten Laststromkontakt elektrisch zu isolieren.

公开(公告)号：DE102011003733B4

公开(公告)日：2023-06-15

申请号：DE102011003733

申请日：2011-02-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  ZAHNRADFABRIK FRIEDRICHSHAFEN

Inventor： KETT JÜRGEN ,  DÖMEL BERNHARD ,  REITER TOMAS

IPC: H02H7/10 ,  H03K17/082

Abstract: Verfahren zur gepulsten Ansteuerung eines Transistors (1), der einen Ansteueranschluss (G) und eine Laststrecke (C-E) aufweist und dessen Laststrecke in Reihe zu einer Last (Z) geschaltet ist, wobei das Verfahren aufweist:Ansteuern des Transistors mit einem Ansteuerimpuls eines ersten Typs, der zumindest für eine erste Zeitdauer (T1) einen ersten Ansteuerpegel (S21) aufweist, vor einem Ansteuerimpuls eines zweiten Typs, der einen im Vergleich zu dem ersten Ansteuerpegel (S21) höheren zweiten Ansteuerpegel (S22) aufweist;Auswerten einer Spannung (Vce) über der Laststrecke des Transistors (1);Abbrechen der gepulsten Ansteuerung, wenn die Spannung (Vce) über der Laststrecke einen vorgegebenen Schwellenwert übersteigtwobei ein Ansteuerimpuls des ersten Typs abhängig von einem Testsignal erzeugt wird.

公开(公告)号：DE102014201781A1

公开(公告)日：2015-08-06

申请号：DE102014201781

申请日：2014-01-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： REITER TOMAS ,  EDENHARTER STEFAN

IPC: H01L23/62 ,  G01K7/34 ,  H01L23/34

Abstract: Das System und das Verfahren zum Messen der Temperatur eines Halbleiterchips (2) in einem Leistungshalbleitermodul, wobei der der Halbleiterchip (2) auf einer Trägeranordnung aufgebracht ist, in der ein mit dem Halbleiterchip (2) thermisch gekoppelter Kondensator (12) mit temperaturabhängigem Kapazitätsverhalten ausgebildet ist, sehen vor das Bestimmen der Kapazität des Kondensators (12) und das Bestimmen der Temperatur am Halbleiterchip (2) aus der Kapazität des Kondensators (12).