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    VERBINDUNGSSYSTEM ZUR HERSTELLUNG ELEKTRISCHER VERBINDUNGEN EINES LEISTUNGSHALBLEITERMODULS UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG SOLCHER VERBINDUNGEN
    11.
    发明专利
    VERBINDUNGSSYSTEM ZUR HERSTELLUNG ELEKTRISCHER VERBINDUNGEN EINES LEISTUNGSHALBLEITERMODULS UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG SOLCHER VERBINDUNGEN 未知

    公开(公告)号：DE102012208146A1

    公开(公告)日：2012-12-06

    申请号：DE102012208146

    申请日：2012-05-15

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： STOLZE THILO ,  KIRSCH OLAF

    IPC: H01L23/495 ,  H01L21/60 ,  H01L23/50 ,  H01L25/18

    Abstract: Ein Halbleitermodulsystem gemäß der vorliegenden Erfindung weist ein Substrat (2) auf, wenigstens einen Halbleiterchip (1), sowie eine Anzahl von wenigstens zwei elektrisch leitenden ersten Verbindungselementen (3). Das Substrat (2) weist eine Unterseite (2b) auf, sowie eine Oberseite (2a), die in einer vertikalen Richtung (v) von der Unterseite (2b) beabstandet ist. Der wenigstens eine Halbleiterchip (1) ist auf der Oberseite (2a) angeordnet. Ein jedes der ersten Verbindungselemente (3) besitzt ein erstes Ende (31), welches in einer Richtung senkrecht zur vertikalen Richtung (v) über einen Isolationsträger (20) des Substrates (2) hinausragt. Das Halbleitermodulsystem umfasst weiterhin ein Verbindungssystem mit einer mit einer Anzahl von N ≥ 1 Verbindern (6). Ein erster der Verbinder (6) weist wenigstens zwei elektrisch leitende zweite Verbindungselemente (4) auf, wobei ein jedes der zweiten Verbindungselemente (4) ein erstes Ende (41) besitzt. Das erste Ende (31) eines jeden der ersten Verbindungselemente (3) ist elektrisch leitend mit dem ersten Ende (41) eines anderen der zweiten Verbindungselemente (4) verbindbar.

    Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleiteranordnung
    14.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleiteranordnung 未知

    公开(公告)号：DE102012215055B4

    公开(公告)日：2022-03-24

    申请号：DE102012215055

    申请日：2012-08-24

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： STOLZE THILO ,  STROTMANN GUIDO ,  GUTH KARSTEN

    IPC: H01L21/60 ,  H01L21/50

    Abstract: Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleiteranordnung, umfassend die Schritte:Bereitstellen eines dielektrischen Isolationsträgers (20), der eine ebene Oberseite (20t) aufweist, sowie eine auf der Oberseite (20t) angeordnete obere Metallisierungsschicht (21);Bereitstellen eines Halbleiterchips (1);Verbinden des Halbleiterchips (1) und der oberen Metallisierungsschicht (21) mittels einer Verbindungsschicht (4), die zwischen dem Halbleiterchip (1) und der oberen Metallisierungsschicht (21) angeordnet wird, wobei die Verbindungsschicht (4) durch Diffusionslöten oder Sintern hergestellt wird;Bereitstellen einer Anzahl von N ≥ 1 elektrisch leitender, gerader Kontaktpins (3), von denen ein jeder ein erstes Ende (31) sowie ein dem ersten Ende entgegengesetztes zweites Ende (32) aufweist;für jeden der Kontaktpins (3): Herstellen einer elektrisch leitenden Verbindung zwischen der oberen Metallisierungsschicht (21) und dem ersten Ende (31), wobei das Material des Kontaktpins (3) in unmittelbaren physischen Kontakt mit dem Material der oberen Metallisierungsschicht (21) gebracht und das erste Ende (31) senkrecht zur Oberseite (20t) unmittelbar an die obere Metallisierungsschicht (21) geschweißt wird, wobei das zweite Ende (32) des Kontaktpins (3) aus einem Modulgehäuse (9) herausgeführt wird.

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG UND ZUM BETRIEB EINES HALBLEITERMODULS
    15.
    发明专利
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG UND ZUM BETRIEB EINES HALBLEITERMODULS 未知

    公开(公告)号：DE102012207560B4

    公开(公告)日：2019-03-14

    申请号：DE102012207560

    申请日：2012-05-07

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： UHLEMANN ANDRE ,  STOLZE THILO

    IPC: H01L21/60 ,  H01L23/498

    Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Halbleitermoduls mit folgenden Schritten:Bereitstellen eines Schaltungsträgers (2), der einen Isolationsträger (20) aufweist, auf den eine zu Leiterbahnen (211, 212, 213, 214) strukturierte Metallisierungsschicht (21) aufgebracht ist;Bereitstellen eines elektrisch leitenden Anschlusselementes (4, 9), das ein erstes Ende (41, 91) aufweist;Herstellen einer elektrisch leitenden, stoffschlüssigen Verbindung zwischen der Metallisierungsschicht (21) und dem ersten Ende (41) durch Lichtbogenschweißen, indem zur Erzeugung eines Lichtbogens (7) zwischen die Metallisierungsschicht (21) und das Anschlusselement (4, 9) eine elektrische Spannung (U) angelegt wird;Bereitstellen eines von dem ersten Ende (41, 91) verschiedenen zweiten Endes (42, 92) des Anschlusselementes (4, 9), und wobeider Schaltungsträger (2) so an einem Gehäuse (10) für das Halbleitermodul montiert wird, dass das erste Ende (41, 91) des Anschlusselements (4, 9) innerhalb des Gehäuses (10) und das zweite Ende (42, 49) des Anschlusselements (4, 9) außerhalb des Gehäuses (10) angeordnet ist.

    Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls
    16.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls 未知

    公开(公告)号：DE102008045615C5

    公开(公告)日：2018-01-04

    申请号：DE102008045615

    申请日：2008-09-03

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： STOLZE THILO

    IPC: H01L23/49 ,  H01L21/603 ,  H01L23/053 ,  H01L23/28 ,  H01L23/40 ,  H01L25/07

    Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls, das folgendes umfasst: Bereitstellen eines Substrats (1), mit elektronischen Bauelementen (2), die auf einer ersten Oberfläche des Substrats angeordnet sind, Formen eines Kunststoffkörpers derart, dass der Kunststoffkörper an der ersten Oberfläche des Substrates (1) anliegt und die elektronischen Bauelemente (2) umhüllt, wobei der Kunststoffkörper mindestens einen Kanal (3.1) aufweist, welcher von der ersten Oberfläche des Substrates (1) durch den Kunststoffkörper hindurch verläuft und wobei der Kunststoffkörper in einem Formnest (5.1) einer Gießform durch Aufbringen einer zuerst flüssigen Kunststoffmasse an das Substrat (1) und die Bauelemente (2) und durch darauf folgendes Erhärten der Kunststoffmasse gebildet ist, wobei der Kanal (3.1) gebildet wird, indem im Formnest (5.1) durch einen darin befindlichen Körper (5.2, 6) Fluss von Kunststoffmasse in jenen Volumenbereich, welcher für den Kanal (3.1) vorgesehen ist, verhindert wird, wobei nach dem Erstarren der Kunststoffmasse eine aus dem Substrat (1), den Bauelementen (2) und dem Kunststoffkörper (3) gebildete Baueinheit ausgeformt wird, Einsetzen eines Kontaktelementes (7, 8, 9, 10) in jeden Kanal (3.1) zur elektrischen Kontaktierung einer Leiterplatte (12) mit der ersten Oberfläche des Substrates (1), wobei das jeweilige Kontaktelement (7, 8, 9, 10) an die erste Oberfläche des Substrates (1) durch die Wirkung einer elastischen Feder angedrückt wird.

    Leistungshalbleitermodul mit beweglich gelagerten Schaltungsträgern und Verfahren zur Herstellung eines solchen Leistungshalbleitermoduls
    19.
    发明专利
    Leistungshalbleitermodul mit beweglich gelagerten Schaltungsträgern und Verfahren zur Herstellung eines solchen Leistungshalbleitermoduls 未知

    公开(公告)号：DE102009026558B3

    公开(公告)日：2010-12-02

    申请号：DE102009026558

    申请日：2009-05-28

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： STOLZE THILO ,  HOHLFELD OLAF ,  KANSCHAT PETER

    IPC: H01L23/16 ,  H01L21/52 ,  H01L23/34

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Leistungshalbleitermodul (100) mit einem Gehäuse (1) und zumindest einem flachen, mit wenigstens einem Leistungshalbleiterchip (4) bestückten Schaltungsträger (2). Das Gehäuse (1) weist eine Gehäuseunterseite (12) auf, sowie eine Gehäuseoberseite (11), die in einer positiven vertikalen Richtung (v) von der Gehäuseunterseite (12) beabstandet ist. Außerdem besitzt der Schaltungsträger (2) eine dem Gehäuseinneren abgewandte Unterseite (25). Der Schaltungsträger (2) ist in einer an der Gehäuseunterseite (12) ausgebildeten Öffnung des Gehäuses (1) angeordnet und mittels eines elastischen Verbindungsmittels (5) parallel zur vertikalen Richtung (v) relativ zu dem Gehäuse (1) beweglich an dem Gehäuse (1) befestigt. Im unmontierten Zustand des Leistungshalbleitermoduls (100) nimmt der Schaltungsträger (2) relativ zu dem Gehäuse (1) eine Ruhelage ein. Um den Schaltungsträger (2) aus dieser Ruhelage parallel zur vertikalen Richtung (v) in und/oder entgegen der vertikalen Richtung (v) auszulenken, ist eine Kraft von nur 0,1 N bis 100 N je Millimeter Auslenkung erforderlich.

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