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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CA2757477A1
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CA2757477
申请日：2010-04-12
Applicant: IBM
IPC: G11C11/00
Abstract: Magnetoresistive structures, devices, memories, and methods for forming the same are presented. For example, a magnetoresistive structure includes a ferromagnetic layer, a ferrimagnetic layer coupled to the ferromagnetic layer, a pinned layer and a nonmagnetic spacer layer. A free side of the magnetoresistive structure comprises the ferromagnetic layer and the ferrimagnetic layer. The nonmagnetic spacer layer is at least partly between the free side and the pinned layer. A saturation magnetization of the ferromagnetic layer opposes a saturation magnetization of the ferrimagnetic layer. The nonmagnetic spacer layer may include a tunnel barrier layer, such as one composed of magnesium oxide (MgO), or a nonmagnetic metal layer.
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公开(公告)号：DE112012002231B4
公开(公告)日：2018-05-09
申请号：DE112012002231
申请日：2012-01-24
Applicant: IBM
Inventor： WORLEDGE DANIEL CHRISTOPHER , KORENIVSKI VLADISLAV
IPC: H03K17/74 , B82Y10/00 , B82Y99/00 , H01L29/68 , H01L29/772
Abstract: Transistoreinheit mit einem magnetischen Tunnelübergang, die aufweist:eine erste Source-/Drain-Elektrode;eine zweite Source-/Drain-Elektrode;eine Gate-Elektrode;einen magnetischen Tunnelübergang, der zwischen der Gate-Elektrode und der zweiten Source-/Drain-Elektrode angeordnet ist, wobei der magnetische Tunnelübergang eine magnetische freie Schicht aufweist, die sich der Länge nach zwischen der ersten und der zweiten Source-/Drain-Elektrode erstreckt und von diesen überlagert ist;wobei die Gate-Elektrode die magnetische freie Schicht zwischen der ersten und der zweiten Source-/Drain-Elektrode vollständig überlagert,dadurch gekennzeichnet, dassdie Transistoreinheit des Weiteren eine Gate-Dielektrikum-Schicht aufweist, die zwischen die Gate-Elektrode und die magnetische freie Schicht eingefügt ist.
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公开(公告)号：DE112012002231T5
公开(公告)日：2014-03-13
申请号：DE112012002231
申请日：2012-01-24
Applicant: IBM
Inventor： WORLEDGE DANIEL CHRISTOPHER , KORENIVSKI VLADISLAV
IPC: H03K17/74 , B82Y99/00 , H01L29/772
Abstract: Transistoreinheiten mit einem magnetischen Tunnelübergang sowie Verfahren zum Betreiben und Bilden von Transistoreinheiten mit einem magnetischen Tunnelübergang. In einem Aspekt beinhaltet eine Transistoreinheit mit einem magnetischen Tunnelübergang eine erste Source-/Drain-Elektrode, eine zweite Source-/Drain-Elektrode, eine Gate-Elektrode und einen magnetischen Tunnelübergang, der zwischen der Gate-Elektrode und der zweiten Source-/Drain-Elektrode angeordnet ist. Der magnetische Tunnelübergang beinhaltet eine magnetische freie Schicht, die sich der Länge nach zwischen der ersten und der zweiten Source-/Drain-Elektrode erstreckt und von diesen überlagert ist. Die Gate-Elektrode überlagert die magnetische freie Schicht zwischen der ersten und der zweiten Source-/Drain-Elektrode vollständig. Die Transistoreinheit mit einem magnetischen Tunnelübergang polt eine Magnetisierungsorientierung der magnetischen freien Schicht mittels Anlegen einer Gate-Spannung an die Gate-Elektrode um, wodurch ein Widerstand zwischen der ersten und der zweiten Source-/Drain-Elektrode durch die magnetische freie Schicht hindurch geändert wird.
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公开(公告)号：DE112012007318B3
公开(公告)日：2022-06-30
申请号：DE112012007318
申请日：2012-01-24
Applicant: IBM
Inventor： KORENIVSKI VLADISLAV , WORLEDGE DANIEL CHRISTOPHER
IPC: H03K17/74 , B82Y10/00 , B82Y99/00 , H01L29/68 , H01L29/772
Abstract: Eine Transistoreinheit mit einem zweifachen magnetischen Tunnelübergang eine erste Source-/Drain-Elektrode, eine zweite Source-/Drain-Elektrode, eine Gate-Elektrode und einen zweifachen magnetischen Tunnelübergang, der zwischen der Gate-Elektrode und der zweiten Source-/Drain-Elektrode angeordnet ist. Der magnetische zweifache Tunnelübergang beinhaltet eine magnetische freie Schicht, die sich der Länge nach zwischen der ersten und der zweiten Source-/Drain-Elektrode erstreckt und von diesen überlagert ist. Die Gate-Elektrode überlagert die magnetische freie Schicht zwischen der ersten und der zweiten Source-/Drain-Elektrode vollständig. Die Transistoreinheit mit einem magnetischen Tunnelübergang polt eine Magnetisierungsorientierung der magnetischen freien Schicht mittels Anlegen einer Gate-Spannung an die Gate-Elektrode um, wodurch ein Widerstand zwischen der ersten und der zweiten Source-/ Drain-Elektrode durch die magnetische freie Schicht hindurch geändert wird.
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公开(公告)号：GB2520429B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：GB201419724
申请日：2014-11-05
Applicant: IBM , CROCUS TECHNOLOGY SA
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