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公开(公告)号：DE112020004221T5
公开(公告)日：2022-06-09
申请号：DE112020004221
申请日：2020-10-16
Applicant: IBM
Inventor： SUN JONATHAN ZANHONG
Abstract: Es wird eine Struktur (100) mit einem modifizierten doppelten magnetischen Tunnelübergang (mDMTJ) bereitgestellt, die eine nicht-magnetische, spin-leitende metallische Schicht (106) aufweist, die sandwichartig zwischen einer freien magnetischen Schicht (108) und einer ersten Tunnelbarrierenschicht (104) angeordnet ist; die erste Tunnelbarrierenschicht (104) befindet sich in Kontakt mit einer ersten magnetischen Referenzschicht (102). Eine zweite Tunnelbarrierenschicht (110) befindet sich auf der freien magnetischen Schicht (108), und eine zweite magnetische Referenzschicht (112) befindet sich auf der zweiten Tunnelbarrierenschicht (110). Die mDMTJ-Struktur (100) weist ein effizientes Wechseln und ein schnelles Auslesen auf.
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公开(公告)号：DE112021000348B4
公开(公告)日：2024-12-05
申请号：DE112021000348
申请日：2021-02-01
Applicant: IBM
Inventor： HASHEMI POUYA , DORIS BRUCE , NOWAK JANUSZ JOZEF , SUN JONATHAN ZANHONG
Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Einheit mit doppeltem magnetischen Tunnelübergang, das Verfahren aufweisend:Ausbilden eines ersten magnetischen Tunnelübergangsstapels (204);Ausbilden einer Spin-leitenden Schicht (206) auf dem ersten magnetischen Tunnelübergangsstapel;Ausbilden einer zweiten Spin-leitenden Schicht auf der Spin-leitenden Schicht, wobei die zweite Spin-leitende Schicht eine Breite aufweist, die größer als eine Breite der Spin-leitenden Schicht und größer als die Breite des ersten magnetischen Tunnelübergangsstapels ist;Ausbilden eines zweiten magnetischen Tunnelübergangsstapels (704) auf der Spin-leitenden Schicht, wobei der zweite magnetische Tunnelübergangsstapel eine Breite aufweist, die größer als eine Breite des ersten magnetischen Tunnelübergangsstapels ist; undAusbilden einer ersten dielektrischen Schicht (502) auf Seiten des ersten magnetischen Tunnelübergangsstapels und auf Seiten der Spin-leitenden Schicht.
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公开(公告)号：DE112021000348T5
公开(公告)日：2022-09-22
申请号：DE112021000348
申请日：2021-02-01
Applicant: IBM
Inventor： HASHEMI POUYA , DORIS BRUCE , NOWAK JANUSZ JOZEF , SUN JONATHAN ZANHONG
Abstract: Es ist ein Verfahren zum Herstellen einer Einheit mit doppeltem magnetischen Tunnelübergang vorgesehen. Das Verfahren umfasst ein Ausbilden eines ersten magnetischen Tunnelübergangsstapels (204), Ausbilden einer Spin-leitenden Schicht (206) auf dem ersten magnetischen Tunnelübergangsstapel (204) und Ausbilden eines zweiten magnetischen Tunnelübergangsstapels (704) auf der Spin-leitenden Schicht (206). Der zweite magnetische Tunnelübergangsstapel (704) hat eine Breite, die größer als eine Breite des ersten magnetischen Tunnelübergangsstapels (204) ist. Die Einheit mit doppeltem magnetischen Tunnelübergang kann eine Erhöhung der Schalteffizienz gegenüber einer verwandten Einheit mit einfachem magnetischen Tunnelübergang erreichen und kann ein erhöhtes Magnetowiderstandsverhältnis erreichen, was den Schaltstrom verringert.
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公开(公告)号：CA2757477A1
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CA2757477
申请日：2010-04-12
Applicant: IBM
IPC: G11C11/00
Abstract: Magnetoresistive structures, devices, memories, and methods for forming the same are presented. For example, a magnetoresistive structure includes a ferromagnetic layer, a ferrimagnetic layer coupled to the ferromagnetic layer, a pinned layer and a nonmagnetic spacer layer. A free side of the magnetoresistive structure comprises the ferromagnetic layer and the ferrimagnetic layer. The nonmagnetic spacer layer is at least partly between the free side and the pinned layer. A saturation magnetization of the ferromagnetic layer opposes a saturation magnetization of the ferrimagnetic layer. The nonmagnetic spacer layer may include a tunnel barrier layer, such as one composed of magnesium oxide (MgO), or a nonmagnetic metal layer.
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