TECHNIKEN FÜR MULTI-READ UND MULTI-WRITE BEI SPEICHERSCHALTUNGEN

    公开(公告)号:DE112019002653T5

    公开(公告)日:2021-03-18

    申请号:DE112019002653

    申请日:2019-11-15

    Applicant: INTEL CORP

    Abstract: Ausführungsformen umfassen Vorrichtungen, Verfahren und Systeme zum Implementieren eines Multi-Read- und/oder Multi-Write-Prozesses bei einem Satz von Speicherzellen. Der Satz von Speicherzellen kann mit demselben Leseverstärker gemultiplext werden. Als Teil eines Multi-Read-Prozesses kann ein Speichercontroller, der mit einer Speicherschaltung verbunden ist, die Bitleitungen, die dem Satz von Speicherzellen zugeordnet sind, vorladen, eine einzelne Aktivierung eines Wortleitungssignals auf der Wortleitung bereitstellen, und dann sequenziell Daten aus dem Satz von Speicherzellen lesen (unter Verwendung des Leseverstärkers), basierend auf dem Vorladen und der einzelnen Aktivierung des Wortleitungssignals. Zusätzlich oder alternativ kann ein Multi-Write-Prozess durchgeführt werden, um sequenziell Daten in den Satz von Speicherzellen zu schreiben, basierend auf ein Vorladen der zugeordneten Bitleitungen. Andere Ausführungsformen können beschrieben und beansprucht werden.

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