公开(公告)号：CA2308871A1

公开(公告)日：2000-11-18

申请号：CA2308871

申请日：2000-05-11

Applicant: PLANHEAD SILMAG PHS SA ,  MEMSCAP SA

Inventor： VALENTIN FRANCOIS ,  MHANI AHMED ,  MARTIN PATRICK ,  KARAM JEAN-MICHEL ,  IMBERT GUY ,  BOUCHON ERIC ,  CHARRIER CATHERINE ,  BASTERES LAURENT

IPC: H01F17/00 ,  H01F17/04 ,  H01F17/06 ,  H01F41/04 ,  H01F41/14 ,  H01F27/00 ,  H01F19/04

Abstract: Procédé de fabrication d'un micro-composant électrique tel que microinductance ou micro-transformateur, incluant au moins un bobinage, et comprenant une couche de substrat, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes consistant - à graver sur le substrat une pluralité de canaux disposés de façon ordonnée selon une bande (3), et orientés sensiblement perpendiculairement à ladite bande (3) ; - à déposer par électrolyse, du cuivre dans lesdits canaux de façon à former une pluralité de segments (7) ; - à planariser la face supérieure du substrat et de la pluralité de segments (7) ; - à déposer au-dessus dudit substrat (1) et desdits segments (7), au moins une couche destinée à former un noyau; - à graver le noyau pour ne le conserver qu'au-dessus de ladite bande; - à déposer par électrolyse au-dessus du noyau (15), une pluralité d'arches (18), chaque arche reliant une extrémité d'un segment (7) avec une extrémité d'un segment adjacent, en passant au-dessus dudit noyau.

公开(公告)号：CA2348107A1

公开(公告)日：2001-11-15

申请号：CA2348107

申请日：2001-05-15

Applicant: PLANHEAD SILMAG PHS ,  MEMSCAP

Inventor： BASTERES LAURENT ,  BOUCHON ERIC ,  CAMPO ALAIN ,  VALENTIN FRANCOIS ,  IMBERT GUY ,  CHARRIER CATHERINE

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  H01G5/16 ,  H01H1/00 ,  H01H11/00 ,  H01H13/52 ,  H01L49/00 ,  H01G7/00 ,  H01L47/00

Abstract: Procédé de fabrication de microcomposants électroniques, du type capaci té variable ou microswitch, comprenant une armature fixe (1) et une membrane (2 0) déformable situées en regard l'une de l'autre, caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes, consistant : ~ à déposer une première couche métallique sur une couche d'oxyde (2), ladite première couche métallique étant destinée à former l'armature fixe ; ~ à déposer un ruban métallique (10, 11) sur au moins une partie de la périphérie et de part et d'autre de l'armature fixe (1), ledit ruban étant destiné à servir d'espaceur entre l'armature fixe (1) et la membrane déformable (20) ; ~ à déposer une couche de résine sacrificielle (15) sur au moins la superfic ie de ladite armature fixe (1) ; ~ à générer par lithographie une pluralité de caissons, sur la surface de ladite couche de résine sacrificielle ; ~ à déposer par électrolyse, à l'intérieur des caissons formés sur la résine sacrificielle (15), au moins une zone métallique destinée à former la membrane déformable (20), cette zone métallique s'étendant entre des sections du ruban métallique (10, 11) situées de part et d'autre de ladite armature fixe (1) ; ~ à éliminer la couche de résine sacrificielle (15).

公开(公告)号：FR2793943A1

公开(公告)日：2000-11-24

申请号：FR9906433

申请日：1999-05-18

Applicant: MEMSCAP

Inventor： BASTERES LAURENT ,  MHANI AHMED ,  KARAM JEAN MICHEL ,  CHARRIER CATHERINE ,  BOUCHON ERIC ,  IMBERT GUY ,  VALENTIN FRANCOIS

IPC: H01F17/00 ,  H01F17/04 ,  H01F17/06 ,  H01F41/04 ,  H01F41/14 ,  B81C1/00

Abstract: The microcomponent manufacture technique has a substrate etched with a number of channels. Copper is deposited by electrolys in the channels and planed flat. A central section (12) is deposited above the segments (7). The central section is then etched for arch sections, each arc connected to an adjacent segment and forming a spiral winding.

公开(公告)号：CA2301988A1

公开(公告)日：2000-09-23

申请号：CA2301988

申请日：2000-03-22

Applicant: MEMSCAP SA ,  PLANHEAD SILMAG PHS SA

Inventor： MHANI AHMED ,  BASTERES LAURENT ,  KARAM JEAN-MICHEL ,  VALENTIN FRANCOIS

IPC: H01L21/822 ,  H01F17/00 ,  H01L21/02 ,  H01L23/522 ,  H01L27/04 ,  H01F29/00 ,  H01F1/40

Abstract: Circuit intégré monolithique (1) incorporant un composant inductif (2), comprenant: - une couche de substrat semi-conducteur (2); - une couche de passivation (4) recouvrant la couche de substrat (2); - des plots de contact métalliques (5) connectés au substrat (2) et traversant la couche de passivation (4) pour affleurer sur la face supérieure (6) de la couche de passivation (4); caractérisé en ce qu'il comporte également un enroulement en spirale (20) formant inductance, et disposé selon un plan parallèle à la face supérieure (6) de la couche de passivation (4), ledit enroulement (20) étant constitué de spires (21-23, 27, 28) en cuivre présentant une épaisseur supérieure à 10 microns, les extrémités de l'enroulement formant des prolongements (12) s'étendant sous le plan de l'enroulement (20), et étant connectées aux plots de contact (5).