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公开(公告)号：DE102011112713A1
公开(公告)日：2013-03-07
申请号：DE102011112713
申请日：2011-09-07
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： KATZ SIMEON , STRASBURG MARTIN , GALLER BASTIAN , SABATHIL MATTHIAS
IPC: H01L33/06
Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement (11) angegeben, das eine aktive Schicht mit einer Quantentopfstruktur (5) aufweist, wobei die Quantentopfstruktur (5) mindestens eine Barriereschicht (2) aus InyGa1-yN mit 0 ≤ y
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