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公开(公告)号：KR20180019661A
公开(公告)日：2018-02-26
申请号：KR20187001260
申请日：2016-06-16
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： KATZ SIMEON , GEHRKE KAI , DRAGO MASSIMO , HERTKORN JOACHIM
Abstract: 광전반도체소자를제조하는방법이제공되며, 본방법은, 반도체층 시퀀스(1)를제공하는단계 - 상기반도체층 시퀀스는발광및/또는광흡수활성영역(12) 및상기반도체층 시퀀스(1)의주 연장평면에수직으로연장되는스택방향(z)으로상기활성영역(12) 후방에배치되는커버면(1a)을포함함 -; 상기커버면(1a) 상에층 스택(2)을적층하는단계 - 상기층 스택(2)은인듐을함유하는산화물층(20) 및상기스택방향(z)으로상기커버면(1a) 후방에배치되는중간면(2a)을포함함 -; 상기중간면(2a) 상에인듐주석산화물로형성된접촉층(3)을적층하는단계를포함하고, 상기층 스택(2)은제조공차의범위내에서주석이없다.
Abstract translation: 本发明提供的光电半导体元件，该方法包括的制造方法，包括：提供半导体层序列（1），其中，所述半导体层序列是发光和/或光吸收有源区12和半导体层序列（1） 以及在垂直于边缘延伸平面延伸的堆叠方向（z）上布置在有源区（12）后面的覆盖表面（1a） （2）在所述覆盖表面（1a）上，所述叠层（2）包括在所述覆盖表面的后侧上的包含铟的氧化物层（20）和氧化物层（20） 中间表面（2a）被布置; 并且在中间表面（2a）上层压由铟锡氧化物形成的接触层（3），其中堆叠（2）在制造公差内不含锡。
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公开(公告)号：TW201732870A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW105139439
申请日：2016-11-30
Applicant: 歐司朗光電半導體公司 , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： 荷普曼索菲亞 , HUPPMANN SOPHIA , 凱茲西蒙 , KATZ SIMEON , 詹格馬克斯 , ZENGER MARCUS , 史戈茲多米尼克 , SCHOLZ DOMINIK
IPC: H01L21/02 , H01L21/822
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/382 , H01L33/62 , H01L2933/0033
Abstract: 本發明提供一種用於生產複數個組件之方法，包括下列步驟：- 提供複合載板(10)，該複合載板(10)含有基板本體(13)及包括平坦的連接表面(11)；- 提供複合晶圓(200)，該複合晶圓(200)含有複合半導體本體(20)及包括平坦的接觸表面(31)；- 連接該複合晶圓至該複合載板，用於形成該複合載板及該複合晶圓之複合物，其中該平坦的接觸表面及該平坦的連接表面是接合用以形成該接合邊界表面(1131)；- 減少該複合物中的內部機械應力，其中該複合載板之材料在某位置處移除；以及- 將該複合物切單成為複數個組件。 再者，本發明提供組件，該組件尤其可以藉由此類的方法而生產。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种用于生产复数个组件之方法，包括下列步骤：- 提供复合载板(10)，该复合载板(10)含有基板本体(13)及包括平坦的连接表面(11)；- 提供复合晶圆(200)，该复合晶圆(200)含有复合半导体本体(20)及包括平坦的接触表面(31)；- 连接该复合晶圆至该复合载板，用于形成该复合载板及该复合晶圆之复合物，其中该平坦的接触表面及该平坦的连接表面是接合用以形成该接合边界表面(1131)；- 减少该复合物中的内部机械应力，其中该复合载板之材料在某位置处移除；以及- 将该复合物切单成为复数个组件。 再者，本发明提供组件，该组件尤其可以借由此类的方法而生产。
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公开(公告)号：WO2014029852A3
公开(公告)日：2014-04-17
申请号：PCT/EP2013067479
申请日：2013-08-22
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： KATZ SIMEON , SPECHT HOLGER , LINKOV ALEXANDER , KÖLPER CHRISTOPHER
CPC classification number: G01J1/0425 , G01J1/0474 , G01J1/42 , G01J2001/4252 , G01M11/30
Abstract: The invention relates to a method for measuring light radiation (300) emitted by a light-emitting diode (210). In the method, an end (121) of an optical fiber (120), which optical fiber is connected to a measuring apparatus (130), is irradiated with the light radiation (300) emitted by the light-emitting diode (210) through an optical apparatus (140), such that part of the light radiation (300) is coupled into the optical fiber (120) and conducted to the measuring apparatus (130). The optical apparatus (140) causes the light radiation (300) passing through the optical apparatus (140) to be emitted in diffuse form in the direction of the end (121) of the optical fiber (130). The invention further relates to a device (100) for measuring light radiation (300) emitted by a light-emitting diode (210).
Abstract translation: 本发明涉及一种用于测量发出的光的发光二极管（210）的光辐射（300）中的一个。 在该方法中的光纤（120），这是通过光学装置连接到测量设备（130）的端部（121）（140）穿过其中与发射的发光二极管（210）的光辐射（300）的被照射，使 的光辐射（300）到所述光纤（120）和测量装置（130）的耦合部分中被引导。 导致的是，在所述光纤（130）的端部（121）的方向上扩散器形式的光学装置（140）是通过使光的辐射（300）分配的光学设备（140）。 本发明还涉及一种设备（100），用于测量发出的光的发光二极管（210）的光辐射（300）中的一个。
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公开(公告)号：DE102015116495B4
公开(公告)日：2025-04-30
申请号：DE102015116495
申请日：2015-09-29
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： HARTMANN RAINER , MANDL MARTIN , KATZ SIMEON , RÜCKERL ANDREAS
IPC: H10H20/00 , H10H20/824 , H10H20/83 , H10H20/84
Abstract: Optoelektronischer Halbleiterchip (1), der einen Träger (5) und einen auf dem Träger (5) angeordneten Halbleiterkörper (2) mit einer Halbleiterschichtenfolge, sowie eine Chipvorderseite und eine Chiprückseite aufweist, wobei- die Halbleiterschichtenfolge einen aktiven Bereich (20) umfasst, der zwischen einer ersten Halbleiterschicht (21) und einer zweiten Halbleiterschicht (22) angeordnet ist und zur Erzeugung oder zum Empfangen von elektromagnetischer Strahlung vorgesehen ist,- die erste Halbleiterschicht (21) elektrisch leitend mit einem ersten Kontakt (41) verbunden ist,- der erste Kontakt (41) auf der Chipvorderseite, insbesondere neben dem aktiven Bereich (20), ausgebildet ist,- die zweite Halbleiterschicht (22) elektrisch leitend mit einem zweiten Kontakt (42) verbunden ist,- der zweite Kontakt (42) ebenfalls auf der Chipvorderseite, insbesondere neben dem aktiven Bereich (20), ausgebildet ist und- der optoelektronische Halbleiterchip eine elektrisch isolierende Trennschicht (6) umfasst, die die Chiprückseite von dem aktiven Bereich (2) des Halbleiterchips elektrisch isoliert, wobei die elektrisch isolierende Trennschicht (6) zumindest eine erste Trennschicht (61) umfasst, die wenigstens eine Atomlagenschicht oder zumindest eine Moleküllagenschicht aufweist, und- die elektrisch isolierende Trennschicht (6) eine zweite Trennschicht (62) und eine dritte Trennschicht (63) aufweist, und- die erste Trennschicht (61) Pinholes und Risse in der zweiten Trennschicht (62) verschließt oder füllt.
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公开(公告)号：DE102012215092B4
公开(公告)日：2025-02-27
申请号：DE102012215092
申请日：2012-08-24
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： SPECHT HOLGER , LINKOV ALEXANDER , KÖLPER CHRISTOPHER , KATZ SIMEON
Abstract: Verfahren zum Messen einer von einer Mehrzahl von Leuchtdioden (210) abgegebenen Lichtstrahlung (300), wobei die Lichtstrahlung (300) von den auf einem Träger (200) nebeneinander angeordneten Leuchtdioden (210) gruppenweise gemessen wird, wobei zu vermessende Gruppen (220) aus den Leuchtdioden (210) jeweils in einer vorgegebenen Messposition gemessen werden, und wobei bei jeder zu vermessenden Gruppe (220) die zugehörigen Leuchtdioden (210) nacheinander die Lichtstrahlung (300) abgeben, wobei ein Ende (121) einer Lichtleitfaser (120), welche mit einer Messeinrichtung (130) verbunden ist, durch eine optische Einrichtung (140) hindurch mit der von der Leuchtdiode (210) der zu vermessenden Gruppe (220) abgegebenen Lichtstrahlung (300) bestrahlt wird, so dass ein Teil der Lichtstrahlung (300) in die Lichtleitfaser (120) eingekoppelt und zu der Messeinrichtung (130) geführt wird, wobei die optische Einrichtung (140) bewirkt, dass die die optische Einrichtung (140) durchtretende Lichtstrahlung (300) in diffuser Form abgegeben wird, wobei die optische Einrichtung (140) eine Streuscheibe aufweist, wobei die Leuchtdioden (210) der einzelnen Gruppen (220) von einer zum Aktivieren der Leuchtdioden (210) verwendeten Aktivierungseinrichtung (110) kontaktiert werden, welche die Leuchtdioden (210) einer Gruppe (220) aufeinanderfolgend aktiviert, wobei die Aktivierungseinrichtung (110) eine an einer Halterung befestigte Anordnung aus Messnadeln (111) umfasst, über die die Leuchtdioden (210) an einer Vorderseite kontaktiert werden, wobei sich die Messnadeln (111) von der Seite her zu den betreffenden Leuchtdioden (210) erstrecken.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE102016113002B4
公开(公告)日：2022-09-29
申请号：DE102016113002
申请日：2016-07-14
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： HIRMER MARIKA , HUPPMANN SOPHIA , KATZ SIMEON
Abstract: Bauelement (100) aufweisend ein Substrat (1), einen ersten Halbleiterkörper (2) mit einer ersten aktiven Schicht (23), einen zweiten Halbleiterkörper (4) mit einer zweiten aktiven Schicht (43) und eine erste Übergangszone (3), wobei- die erste aktive Schicht (23) zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung erster Peakwellenlänge eingerichtet ist und die zweite aktive Schicht (43) zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung zweiter Peakwellenlänge eingerichtet ist,- die erste Übergangszone (3) in vertikaler Richtung zwischen dem ersten Halbleiterkörper (2) und dem zweiten Halbleiterkörper (4) angeordnet ist und unmittelbar an den ersten Halbleiterkörper (2) sowie unmittelbar an den zweiten Halbleiterkörper (4) angrenzt,- die erste Übergangszone (3) ein strahlungsdurchlässiges, zumindest für die Strahlung erster Peakwellenlänge teilweise transparentes und elektrisch leitfähiges Material aufweist, sodass der erste Halbleiterkörper (2) über die erste Übergangszone (3) mit dem zweiten Halbleiterkörper (4) elektrisch leitend verbunden ist, und- die erste Übergangszone (3) eine strukturierte Hauptfläche aufweist, wobei- der erste Halbleiterkörper (2) eine dem Substrat (1) abgewandte zweite Hauptfläche (202) umfasst, die strukturiert ausgebildet ist,- die erste Übergangszone (3) eine erste Anschlussschicht (31) aufweist, die unmittelbar auf die zweite Hauptfläche (202) aufgebracht ist, sodass die erste Anschlussschicht (31) eine dem Halbleiterkörper (2) zugewandte erste Hauptfläche (301) mit einer invertierten Struktur der zweiten Hauptfläche (202) des ersten Halbleiterkörpers (2) aufweist, und- die strukturierte Hauptfläche der ersten Übergangszone (3) eine gemeinsame strukturierte Grenzfläche der ersten Hauptfläche (301) der ersten Anschlussschicht (31) und der zweiten Hauptfläche (202) des ersten Halbleiterkörpers (2) ist, und- die erste Übergangszone (3) zusätzlich eine erste teilweise transparente und teilweise wellenlängenselektiv reflektierende Spiegelstruktur (33) aufweist, wobei die erste Spiegelstruktur (33) als Bragg-Spiegel ausgebildet ist, der elektromagnetische Strahlung erster Peakwellenlänge durchlässt und elektromagnetische Strahlung zweiter Peakwellenlänge streut oder reflektiert.
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公开(公告)号：DE102018112586A1
公开(公告)日：2019-11-28
申请号：DE102018112586
申请日：2018-05-25
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： KATZ SIMEON , HUPPMANN SOPHIA , HÖNLE MICHAEL , WAGNER THORSTEN , HINGERL KURT DR
IPC: H01L21/58 , H01L23/485 , H01L25/16 , H01L27/00 , H01L33/00
Abstract: Es wird ein Bauelement (10) mit einem ersten Bauteil (1) und einem zweiten Bauteil (2) angegeben, bei dem das erste Bauteil eine erste Isolierungsschicht (11), eine Mehrzahl von ersten Durchkontakten (1D) und eine bereichsweise strukturierte Kontaktschicht (1K) aufweist, wobei die ersten Durchkontakte jeweils von der ersten Isolierungsschicht lateral umschlossen sind und die erste Kontaktschicht die erste Isolierungsschicht teilweise und die ersten Durchkontakte vollständig bedeckt. Das zweite Bauteil weist eine zweite Isolierungsschicht (21), eine Mehrzahl von zweiten Durchkontakten (2D) und eine bereichsweise strukturierte zweite Kontaktschicht (2K) auf, wobei die zweiten Durchkontakte jeweils von der zweiten Isolierungsschicht lateral umschlossen sind und die zweite Kontaktschicht die zweite Isolierungsschicht teilweise und die zweiten Durchkontakte vollständig bedeckt. Des Weiteren ist eine mechanische und elektrische Verbindung zwischen den Bauteilen an den Kontaktschichten (1K, 2K) gebildet, wobei die Verbindung auf Van-der-Waals-Wechselwirkungen basiert.Außerdem wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauelements angegeben.
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公开(公告)号：DE102016104280A1
公开(公告)日：2017-09-14
申请号：DE102016104280
申请日：2016-03-09
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： HUPPMANN SOPHIA , KATZ SIMEON , ZENGER MARCUS
Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement (50) mit einem Halbleiterkörper (10a, 10b, 10c), der einen optisch aktiven Bereich (12) aufweist, weiter mit einem Träger (60), und einem Verbindungsschichtenpaar (30a, 30b, 30c), das eine erste Verbindungsschicht (32) und eine zweite Verbindungsschicht (34) aufweist, angegeben, wobei: der Halbleiterkörper auf dem Träger angeordnet ist, die erste Verbindungsschicht zwischen dem Halbleiterkörper und dem Träger angeordnet und mit dem Halbleiterkörper verbunden ist, die zweite Verbindungsschicht zwischen der ersten Verbindungsschicht und dem Träger angeordnet ist, zumindest eine Schicht ausgewählt aus der ersten Verbindungsschicht und der zweiten Verbindungsschicht ein strahlungsdurchlässiges und elektrisch leitfähiges Oxid enthält, und die erste Verbindungsschicht und die zweite Verbindungsschicht zumindest bereichsweise in einem oder mehreren Verbindungsbereichen direkt miteinander verbunden sind, so dass das Verbindungsschichtenpaar an der mechanischen Anbindung des Halbleiterkörpers an den Träger beteiligt ist. Weiterhin wird ein Herstellungsverfahren angegeben.
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公开(公告)号：DE102011112706A1
公开(公告)日：2013-03-07
申请号：DE102011112706
申请日：2011-09-07
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： KATZ SIMEON , GALLER BASTIAN , STRASBURG MARTIN , SABATHIL MATTHIAS , DRECHSEL PHILIPP , BERGBAUER WERNER , MANDL MARTIN
IPC: H01L33/04
Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement (11) angegeben, bei dem die aktive Schicht (10) eine Vielzahl von lateral voneinander beabstandeten Strukturelementen (6) aufweist. Die Strukturelemente (6) weisen jeweils eine Quantententopfstruktur (5) auf, die mindestens eine Barriereschicht (2) aus Inx1Aly1Ga1-x1-y1N mit 0 ≤ x1 ≤ 1, 0 ≤ y1 ≤ 1 und x1 + y1 ≤ 1, und mindestens eine Quantentopfschicht (1) aus Inx2Aly2Ga1-x2-y2N mit 0 ≤ x2 ≤ 1, 0 ≤ y2 ≤ 1 und x2 + y2 ≤ 1 umfasst.
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10.发明专利
公开(公告)号：DE102018103431A1
公开(公告)日：2019-08-22
申请号：DE102018103431
申请日：2018-02-15
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： KATZ SIMEON , WENDT MATHIAS , HUPPMANN SOPHIA , ZENGER MARCUS , MÜLLER JENS
Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Verbindung zwischen einem ersten Bauteil (1) und einem zweiten Bauteil (2) angegeben, bei dem das erste Bauteil mit einer ersten freiliegenden Isolationsschicht (II) und das zweite Bauteil mit einer zweiten freiliegenden Isolationsschicht (21) bereitgestellt werden, wobei die Isolationsschichten jeweils zumindest eine Öffnung (1IC, 2IC) aufweisen. Die Bauteile werden derart zusammengeführt, dass sich die Öffnung (1IC) der ersten Isolationsschicht und die Öffnung (2IC) der zweiten Isolationsschicht in Draufsicht überlappen, wobei in mindestens einer der Öffnungen (1IC, 2IC) eine Au-Schicht (S1, S2) und eine Sn-Schicht (S1, S2) übereinander angeordnet sind. Die Au-Schicht und die Sn-Schicht werden zur Bildung einer AuSn-Legierung aufgeschmolzen, wobei die AuSn-Legierung nach einer Abkühlung eine Durchkontaktierung (12) bildet, welche das erste Bauteil mit dem zweiten Bauteil elektrisch leitend verbindet. Des Weiteren wird ein Bauelement aus einem ersten Bauteil und einem zweiten Bauteil angegeben, wobei die Bauteile durch eine Durchkontaktierung aus einer AuSn-Legierung miteinander elektrisch leitend verbunden sind.
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