公开(公告)号：DE102011112706A1

公开(公告)日：2013-03-07

申请号：DE102011112706

申请日：2011-09-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KATZ SIMEON ,  GALLER BASTIAN ,  STRASBURG MARTIN ,  SABATHIL MATTHIAS ,  DRECHSEL PHILIPP ,  BERGBAUER WERNER ,  MANDL MARTIN

IPC: H01L33/04

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement (11) angegeben, bei dem die aktive Schicht (10) eine Vielzahl von lateral voneinander beabstandeten Strukturelementen (6) aufweist. Die Strukturelemente (6) weisen jeweils eine Quantententopfstruktur (5) auf, die mindestens eine Barriereschicht (2) aus Inx1Aly1Ga1-x1-y1N mit 0 ≤ x1 ≤ 1, 0 ≤ y1 ≤ 1 und x1 + y1 ≤ 1, und mindestens eine Quantentopfschicht (1) aus Inx2Aly2Ga1-x2-y2N mit 0 ≤ x2 ≤ 1, 0 ≤ y2 ≤ 1 und x2 + y2 ≤ 1 umfasst.

公开(公告)号：DE102008021403A1

公开(公告)日：2009-04-02

申请号：DE102008021403

申请日：2008-04-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： RODE PATRICK ,  ENGL KARL ,  STRASBURG MARTIN ,  HOEPPEL LUTZ ,  SABATHIL MATTHIAS

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/40 ,  H01L33/58 ,  H01S5/30

公开(公告)号：DE102007003282A1

公开(公告)日：2008-07-24

申请号：DE102007003282

申请日：2007-01-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SABATHIL MATTHIAS ,  HOEPPEL LUTZ ,  EICHLER CHRISTOPH ,  ENGL KARL ,  PETER MATTHIAS ,  STRASBURG MARTIN

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/38 ,  H01L33/40 ,  H01L33/44

Abstract: The invention relates to a light-emitting diode chip comprising a series of layers (10) provided with at least one n-type conductivity layer. Said light-emitting diode chip comprises a reflective layer (5) that is connected in a conductive manner to the n-type conductivity layer (31). At least one transparent dielectric layer (4) is arranged between the n-type conductivity layer and the reflective layer.

公开(公告)号：DE102010002966A1

公开(公告)日：2011-09-22

申请号：DE102010002966

申请日：2010-03-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LELL ALFRED ,  STRASBURG MARTIN

IPC: H01S5/40 ,  H01S5/042 ,  H01S5/34

Abstract: Es handelt sich um eine Laserdiodenanordnung mit mindestens einem Halbleitersubstrat (2; 1002; 2002; 3002; 2x, 2y), mit mindestens zwei Laserstapeln (30, 31, 32; 1030, 1031, 1032; 2030, 2031; 3030, 3031; 30x, 31x, 32x, 30y, 31y, 32y) mit jeweils einer aktiven Zone (6, 12, 18; 1006, 1012, 1018; 2008, 2014; 3008, 3012; 5006a, 5012a, 5018a; 5006b, 5012b, 5018b; 6006a, 6012a, 6018a; 6006b, 6012b, 6018b; 6x, 12x, 18x, 6y, 12y, 18y) und mit mindestens einer Zwischenschicht (9, 15; 56, 58; 1009, 1015; 2005, 2011, 2017; 3005, 3010, 3014; 4009, 4015; 9x, 15x, 9y, 15y). Die Laserstapel (30, 31, 32; 1030, 1031, 1032; 2030, 2031; 3030, 3031; 30x, 31x, 32x, 30y, 31y, 32y) und die Zwischenschicht (9, 15; 56, 58; 1009, 1015; 2005, 2011, 2017; 3005, 3010, 3014; 4009, 4015; 9x, 15x, 9y, 15y) sind monolithisch auf das Halbleitersubstrat (2; 1002; 2002; 3002; 2x, 2y) aufgewachsen. Die Zwischenschicht (9, 15; 56, 58; 1009, 1015; 2005, 2011, 2017; 3005, 3010, 3014; 4009, 4015; 9x, 15x, 9y, 15y) ist zwischen den Laserstapeln (30, 31, 32; 1030, 1031, 1032; 2030, 2031; 3030, 3031; 30x, 31x, 32x, 30y, 31y, 32y) angeordnet. Die aktive Zone (6; 1006; 2008; 3008; 5006a; 5006b; 6006a; 6006b; 6x, 6y) des ersten Laserstapels (30; 1030; 2030; 3030; 30x, 30y) ist von der aktiven Zone (12, 18; 1012, 1018; 2014; 3012; 5012a, 5018a; 5012b, 5018b; 6012a, 6018a; 6012b, 6018b; 12x, 18x, 12y, 18y) des mindestens einen weiteren Laserstapels (31, 32; 1031, 1032; 2031; 3031; 31x, 32x, 31y, 32y) getrennt ansteuerbar.

公开(公告)号：DE102009054564A1

公开(公告)日：2011-06-16

申请号：DE102009054564

申请日：2009-12-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LELL ALFRED ,  STRASBURG MARTIN

IPC: H01S5/40 ,  H01S5/026

公开(公告)号：DE102008028036A1

公开(公告)日：2009-09-03

申请号：DE102008028036

申请日：2008-06-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STRASBURG MARTIN ,  HOEPPEL LUTZ ,  SABATHIL MATTHIAS

IPC: H01L33/04 ,  H01L33/32 ,  H01S5/343

公开(公告)号：DE102007019079A1

公开(公告)日：2008-07-31

申请号：DE102007019079

申请日：2007-04-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STRASBURG MARTIN ,  HOEPPEL LUTZ ,  SABATHIL MATTHIAS ,  PETER MATTHIAS ,  AHLSTEDT MAGNUS ,  STRAUS UWE

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/16

Abstract: The method involves forming a semiconductor section (2) with a p-doped region. An epitaxial covering layer (3) that is placed downstream of the semiconductor section in a growth direction (7) of a semiconductor chip (1) is formed. The covering layer is free of p-doped semiconductor material and exhibits an n-doped semiconductor layer (32). The p-doped region is electrically activated before or during the formation of the covering layer. A current spreading layer is formed with a transparent, electrically conductive oxide for forming the covering layer. An independent claim is also included for an optoelectronic semiconductor chip based on a nitride semiconductor system.

公开(公告)号：DE102012109594A1

公开(公告)日：2014-04-10

申请号：DE102012109594

申请日：2012-10-09

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MANDL MARTIN ,  STRASBURG MARTIN ,  KOELPER CHRISTOPHER ,  PFEUFFER ALEXANDER ,  RODE PATRICK

IPC: H01L33/08 ,  H01L21/28 ,  H01L27/15 ,  H01L33/30 ,  H01L33/38 ,  H01L33/62

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des Verfahren umfasst dieses die folgenden Schritte: A) Erzeugen von strahlungsaktiven Inseln (4) mit einer Halbleiterschichtenfolge (3) auf einem Aufwachssubstrat (2), wobei die Inseln (4) je mindestens eine aktive Zone (33) der Halbleiterschichtenfolge (3) aufweisen und ein mittlerer Durchmesser der Inseln (4), in Draufsicht auf das Aufwachssubstrat gesehen, zwischen einschließlich 50 nm und 10 µm beträgt, B) Erzeugen einer Trennschicht (5) an einer dem Aufwachssubstrat (2) zugewandten Seite der Inseln (4), wobei die Trennschicht (5) die Inseln (4) ringsum umgibt, in Draufsicht auf das Aufwachssubstrat (2) gesehen, C) Anbringen eines Trägersubstrats (6) an einer dem Aufwachssubstrat (2) abgewandten Seite der Inseln (4), und D) Ablösen des Aufwachssubstrats (2) von den Inseln (4), wobei bei dem Ablösen mindestens ein Teil der Trennschicht (5) zerstört und/oder mindestens zeitweise erweicht wird.

公开(公告)号：DE102011056140A1

公开(公告)日：2013-06-13

申请号：DE102011056140

申请日：2011-12-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MANDL MARTIN ,  STRASBURG MARTIN ,  KOELPER CHRISTOPHER ,  PFEUFFER ALEXANDER ,  RODE PATRICK

IPC: H01L33/08 ,  H01L27/15 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/10 ,  H01L33/20 ,  H01L33/46

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben, mit: – einer Vielzahl aktiver Bereiche (1), die beabstandet zueinander angeordnet sind, und – einer reflektierenden Schicht (2), die an einer Unterseite (1a) der Vielzahl aktiver Bereiche (1) angeordnet ist, wobei – zumindest einer der aktiven Bereiche (1) eine Haupterstreckungsrichtung (R) aufweist, – einer der aktiven Bereiche (1) einen Kernbereich (10) aufweist, der mit einem ersten Halbleitermaterial gebildet ist, – der aktive Bereich (1) eine aktive Schicht (11) aufweist, die den Kernbereich (10) zumindest in Richtungen (x, y) quer zur Haupterstreckungsrichtung (R) des aktiven Bereichs (1) bedeckt, – der aktive Bereich (1) eine Deckschicht (12) aufweist, die mit einem zweiten Halbleitermaterial gebildet ist und die aktive Schicht (11) zumindest in Richtungen (x, y) quer zur Haupterstreckungsrichtung (R) des aktiven Bereichs (11) bedeckt, und – die reflektierende Schicht (2) zur Reflexion von im Betrieb in der aktiven Schicht (11) erzeugter elektromagnetischer Strahlung eingerichtet ist.

公开(公告)号：DE102008011848A1

公开(公告)日：2009-09-03

申请号：DE102008011848

申请日：2008-02-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ENGL KARL ,  RODE PATRICK ,  HOEPPEL LUTZ ,  STRASBURG MARTIN

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/38 ,  H01L33/62