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    Optoelektronischer Halbleiterchip
    1.
    发明专利
    Optoelektronischer Halbleiterchip 未知

    公开(公告)号：DE102015104700A1

    公开(公告)日：2016-09-29

    申请号：DE102015104700

    申请日：2015-03-27

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HIRAI ASAKO ,  MEYER TOBIAS ,  DRECHSEL PHILIPP ,  STAUSS PETER ,  NIRSCHL ANNA ,  GOMEZ-IGLESIAS ALVARO ,  NIEBLING TOBIAS ,  GALLER BASTIAN

    IPC: H01L33/04 ,  H01L33/14

    Abstract: In einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Halbleiterchip (1) eine aktive Zone mit einer Multi-Quantentopfstruktur (3), die mehrere Quantentopfschichten (31) und Barriereschichten (32) beinhaltet, die entlang einer Wachstumsrichtung (G) abwechselnd aufeinanderfolgen und die sich jeweils durchgehend über die gesamte Multi-Quantentopfstruktur (3) erstrecken. In einem Querschnitt parallel zur Wachstumsrichtung (G) gesehen weist die Multi-Quantentopfstruktur (3) zumindest einen Emissionsbereich (41) und mehrere Transportbereiche (42) auf, die in einer Richtung senkrecht zur Wachstumsrichtung (G) abwechselnd aufeinanderfolgen. Die Quantentopfschichten (31) und/oder die Barriereschichten (32) in den Transportbereichen (42) sind dünner gestaltet und/oder weisen eine andere Materialzusammensetzung auf als in den Emissionsbereichen (41).

    Verfahren zur Herstellung von Leuchtdioden und Leuchtdiode
    6.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung von Leuchtdioden und Leuchtdiode 未知

    公开(公告)号：DE102017105397A1

    公开(公告)日：2018-09-20

    申请号：DE102017105397

    申请日：2017-03-14

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： GALLER BASTIAN ,  OFF JÜRGEN

    IPC: H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L33/36

    Abstract: Das Verfahren ist zur Herstellung von Leuchtdioden eingerichtet und umfasst die folgenden Schritte in der angegebenen Reihenfolge:A) Wachsen einer n-leitenden n-Schicht (22),B) Wachsen einer aktiven Zone (23) zur Erzeugung ultravioletter Strahlung,C) Wachsen einer p-leitenden p-Schicht (24),D) Erzeugen einer p-leitenden Halbleiterkontaktschicht (25) mit einer variierenden Dicke und mit einer Vielzahl von Dickenmaxima (4) direkt an der p-Schicht (24), undE) Anbringen einer ohmsch-leitenden Elektrodenschicht (3) direkt auf der Halbleiterkontaktschicht (25),wobei- die n-Schicht (22) und die aktive Zone (23) je auf AlGaN und die p-Schicht (24) auf AlGaN oder InGaN basieren und die Halbleiterkontaktschicht (25) eine GaN-Schicht ist, und- die Dickenmaxima (4) in Draufsicht gesehen eine Flächenkonzentration von mindestens 10cmaufweisen.

    Optoelektronisches Bauteil und Verfahren zum Betreiben eines optoelektronischen Bauteils
    7.
    发明专利
    Optoelektronisches Bauteil und Verfahren zum Betreiben eines optoelektronischen Bauteils 未知

    公开(公告)号：DE102012217681A1

    公开(公告)日：2014-03-27

    申请号：DE102012217681

    申请日：2012-09-27

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： GALLER BASTIAN ,  ZEISEL ROLAND ,  BINDER MICHAEL

    IPC: H01L33/06 ,  H01L33/10 ,  H01S5/34

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauteil (101), umfassend: – eine Halbleiterschichtenfolge (103) mit einer Mehrfach-Quantentopf-Struktur (105, 301), – wobei die Mehrfach-Quantentopf-Struktur (105, 301) einen ersten Quantentopf (107, 303) mit einer ersten Bandlückenenergie und – einen zweiten Quantentopf (109, 305) mit einer zweiten Bandlückenenergie aufweist, die größer ist als die erste Bandlückenenergie – wobei der erste Quantentopf (107, 303) und der zweite Quantentopf (109, 305) benachbart zu einander gebildet sind, – wobei eine Differenz zwischen der ersten und der zweiten Bandlückenenergie derart gewählt ist, dass mittels einer Anregung des ersten Quantentopfes (107, 303) gebildete Ladungsträger (319, 321) eine Energie aus einem Verlustprozeß, insbesondere einem Augerprozeß, nutzen können, um in den zweiten Quantentopf (109, 305) zu gelangen, um in dem zweiten Quantentopf (109, 305) strahlend zu rekombinieren. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zum Betreiben des optoelektronischen Bauteils (101).

    OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP
    8.
    发明申请
    OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP 审中-公开
    光电子半导体芯片

    公开(公告)号：WO2016156312A1

    公开(公告)日：2016-10-06

    申请号：PCT/EP2016056794

    申请日：2016-03-29

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HIRAI ASAKO ,  MEYER TOBIAS ,  DRECHSEL PHILIPP ,  STAUSS PETER ,  NIRSCHL ANNA ,  GOMEZ-IGLESIAS ALVARO ,  NIEBLING TOBIAS ,  GALLER BASTIAN

    IPC: H01L33/06

    CPC classification number: H01L33/06

    Abstract: In one embodiment the optoelectronic semiconductor chip (1) comprises an active zone with a multiple quantum well structure (3) containing a number of quantum well layers (31) and barrier layers (32) disposed sequentially in an alternating manner in a growth direction (G), each layer extending continuously over the entire multiple quantum well structure (3). When viewed in cross-section parallel to the growth direction (G), the multiple quantum well structure (3) has at least one emission region (41) and a number of transport regions (42) disposed sequentially in an alternating manner in a direction perpendicular to the growth region (G). The quantum well layers (31) and/or the barrier layers (32) in the transport regions (42) are thinner than and/or have a different material composition from those in the emission regions (41).

    Abstract translation: 在光电子半导体芯片的实施例（1）包括一个具有多量子阱结构（3），其包括沿着生长方向（G）设置在多个量子阱层（31）和阻挡层（32）的有源区彼此跟随交替和其中的每一个连续延伸超过 整个多量子阱结构（3）延伸。 看到的截面中，以生长方向（G）平行，所述多量子阱结构（3）的至少一个发射区（41）和多个输送区域（42），其交替地跟随在一个方向上相互垂直于生长方向（G）的。 在传送区域（42）的量子阱层（31）和/或所述阻挡层（32）被制造得更薄和/或具有不同的材料组成比在发射区（41）。

    Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zum Betrieb des optoelektronischen Halbleiterchips
    10.
    发明专利
    Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zum Betrieb des optoelektronischen Halbleiterchips 未知

    公开(公告)号：DE102017113531A1

    公开(公告)日：2018-12-20

    申请号：DE102017113531

    申请日：2017-06-20

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： TONKIKH ALEXANDER ,  GALLER BASTIAN

    IPC: H01L33/06

    Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (100) beschrieben, mit einer Halbleiterschichtenfolge (20), die auf einem Phosphid-Verbindungshalbleitermaterial basiert, wobei- die Halbleiterschichtenfolge (20) einen p-Typ Halbleiterbereich (4), einen n-Typ Halbleiterbereich (8) und eine zwischen dem p-Typ Halbleiterbereich (4) und dem n-Typ Halbleiterbereich (8) angeordnete aktive Schicht (6) enthält,- die aktive Schicht (6) als Mehrfach-Quantentopfstruktur (6A, 6B) ausgebildet ist und abwechselnde Quantentopfschichten (6A) und Barriereschichten (6B) aufweist,- an einer dem p-Typ Halbleiterbereich (4) zugewandten Seite der aktiven Schicht (6) und an einer dem n-Typ Halbleiterbereich (8) zugewandten Seite der aktiven Schicht (6) jeweils eine Ladungsträgerbarriereschicht (5, 7) angeordnet ist, die eine größere elektronische Bandlücke aufweist als die Quantentopfschichten (6A) und die Barriereschichten (6B), und- die Ladungsträgerbarriereschichten (5, 7) eine Dicke von mindestens 5 nm aufweisen.

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