公开(公告)号：DE102015111301B4

公开(公告)日：2022-11-03

申请号：DE102015111301

申请日：2015-07-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GEHRKE KAI

IPC: H01L33/38 ,  H01L21/283 ,  H01L33/40 ,  H01L33/62

Abstract: Optoelektronischer Halbleiterchip (1) mit- einem ersten Halbleiterbereich (21) eines ersten Leitfähigkeitstyps und einem zweiten Halbleiterbereich (23) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, zwischen denen eine aktiven Zone (22) liegt,- einer ersten elektrischen Kontaktschicht (31), die sich stellenweise direkt an dem ersten Halbleiterbereich (21) befindet und zur Stromeinprägung in diesen eingerichtet ist,- einer zweiten elektrischen Kontaktschicht (33), die sich stellenweise direkt an dem zweiten Halbleiterbereich (23) befindet und zur Stromeinprägung in diesen eingerichtet ist,- zumindest zwei metallischen Stromzuführungen (41, 43), und- einer Isolierschicht (5), die stellenweise direkt den zweiten Halbleiterbereich (23) bedeckt, sich über diesen erhebt und sich unter der Stromzuführung für den zweiten Halbleiterbereich (23) befindet, wobei- die beiden Kontaktschichten (31, 33) je aus einem transparenten leitfähigen Oxid hergestellt sind,- die erste Kontaktschicht (31) im Bereich der Isolierschicht (5) die zweite Kontaktschicht (33) direkt bedeckt und die Isolierschicht (5) überformt,- durch die Isolierschicht (5) eine Stromeinprägung von der Stromzuführung (43) für den zweiten Halbleiterbereich (23) in diesen in Richtung senkrecht zum zweiten Halbleiterbereich (23) unterbunden ist,- die zweite Kontaktschicht (33) eine laterale Stromaufweitung von dieser Stromzuführung (43) bewirkt, und- in Draufsicht gesehen, die erste Kontaktschicht (31) die Isolierschicht (5) seitlich um mindestens 200 nm und um höchstens 90 % einer Breite (B) der Isolierschicht (5) überragt.

公开(公告)号：DE102012104553A1

公开(公告)日：2013-11-28

申请号：DE102012104553

申请日：2012-05-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WALTER ROBERT ,  GEHRKE KAI ,  PERZLMAIER KORBINIAN

IPC: H01L33/46 ,  H01L33/40

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips (1) eingerichtet und beinhaltet die folgenden Schritte: – Bereitstellen einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit mindestens einer aktiven Schicht (20) zur Erzeugung einer elektromagnetischen Strahlung, – Aufbringen eines sauerstoffhaltigen Silberspiegels (3) auf die Halbleiterschichtenfolge (2), wobei das Aufbringen durch Sputtern in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre erfolgt, und – Fertigstellen des Halbleiterchips (1).